Effects of Be-codoping on the properties of GaMnAs films grown via low-temperature molecular beam epitaxy

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 49, Issue 2, 2006, Pages 596-603

  Yu, Fucheng ^a   Gao, Cunxu ^a   Kim, Dojin ^a   Hong, Soon Ku ^a   Kim, Hyojin ^a   Ihm, Young Eon ^a   Kim, Chang Soo ^b  

^a Chungnam National University   (South Korea)

^b Korea Research Institute of Standards and Science   (South Korea)

Author keywords

Be codoping; Ferromagnetic semiconductor; GaMnAs; MBE

Indexed keywords

EID: 33748141966     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (19)

1. A. Shen, Y. Horikoshi, H. Ohno and S. P. Guo, Appl. Phys. Lett. 71, 1540 (1997).
2. H. Ohno, Science 281, 951 (1998).
3. A. Shen, F. Matsukura, S. P. Guo, Y. Sugawara, H. Ohno, M. Tani, H. Abe and H. C. Liu, J. Crystal Growth 201-202, 679 (1999).
4. H. Ohno, J. Mag. Mag. Mater. 200, 110 (1999).
5. T. Hayashi, M. Tanaka, T. Nishinag, H. Shimada, H. Tsuchiya and Y. Otuka, J. Crystal Growth 175-176, 1063 (1997).
6. H. Shimizu, T. Hayashi, T. Nishinaga and M. Tanaka, Appl. Phys. Lett. 74, 398 (1999).
7. A. Van Esch, L. Van Bockstal, J. De Boeck, G. Verbanck, A. S. van Steenbergen, P. J. Wellmann, B. Grietens, R. Bogaerts, F. Herlach and G. Borghs, Phys. Rev. B 56, 13103 (1997).
8. K. H. Kim, K. J. Lee, D. J. Kim, H. J. Kim, Y. E. Ihm, C. G. Kim, S. H. Yoo and C. S. Kim, Appl. Phys. Lett. 82, 4755 (2003).
9. K. H. Kim, K. J. Lee, D. J. Kim, C. S. Kim, H. C. Lee, C. G. Kim, S. H. Yoo, H. J. Kim and Y. E. Ihm, J. Appl. Phys. 93, 6793 (2003).
10. H. Ohno, A. Shen, F. Matsukura, A. Oiwa, A. Endo, S. Katsumoto and Y. Iye, Appl. Phys. Lett. 60, 363 (1996).
11. K. H. Kim, J. B. Park, B. D. Kim, C. S. Kim, D. J. Kim, H. J. Kim and Y. E. Ihm, Metals Mater. 8, 177 (2002).
12. K. H. Kim, K. J. Lee, D. J. Kim, H. J. Kim, Y. E. Ihm, D. Djayaprawira, M. Takahashi, C. S. Kim, C. G. Kim and S. H. Yoo, Appl. Phys. Lett. 82, 1775 (2003).
13. T. Hayashi, M. Tanaka, T. Nishinaga, H. Shimada, H. Tsuchiya and Y. Otuka, J. Crystal Growth 175-176, 1063 (1997).
14. M. Tanaka, J. P. Harbison, J. DeBoeck, T. Sands, B. Philips, T. L. Cheeks and. V. G. Keramidas, Appl. Phys. Lett. 62, 1565 (1993).
15. K. M. Yu, W. Walukiewicz, T. Wojtowicz, W. L. Lim, X. Liu, M. Dobrowolska and J. K. Furdyna, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 210-220, 636 (2004).
16. J. De Boeck, R. Oesterholt, A. Van Esch, H. Bender, C. Bruynseraede, C. Van Hoof and G. Borghs, Appl. Phys. Lett. 68, 2744 (1996).
17. C. X. Gao, F. C. Yu, A. R. Choi, D. J. Kim, C. G. Kim, C. S. Kim, H. J. Kim and Y. E. Ihm, J. Crystal Growth 291, 60 (2006).
18. P. Specht, M. J. Cich, R. Zhao, J. Gebauer, M. Luysberg and E. R. Weber, Physica B 308-310, 808 (2001).
19. R. L. Peritz, Phys. Rev. 110, 1254 (1958).