Surface morphologies of homoepitaxial ZnO on Zn- and O-polar substrates by plasma assisted molecular beam epitaxy

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 7, 2006, Pages

  Xu, Huaizhe ^a,b   Ohtani, K ^a   Yamao, M ^a   Ohno, H ^a  

^a TOHOKU UNIVERSITY   (Japan)

^b BEIHANG UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTAL GROWTH; HIGH TEMPERATURE EFFECTS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; SINGLE CRYSTALS; SUBSTRATES; SURFACE PROPERTIES;

GROWTH CONDITIONS; PLASMA ASSISTED MOLECULAR BEAM EPITAXY; SURFACE POLARITIES;

ZINC OXIDE;

EID: 33747452040     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2337541     Document Type: Article

References (19)

1. Ü. Özgür, Ya. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Doǧan, V. Avrutin, S.-J. Cho, and H. Morkoç, J. Appl. Phys. 98, 41301 (2005).
2. A. Tsukazaki, A. Ohtomo, T. Onuma, M. Ohtani, T. Makino, M. Sumiya, K. Ohtani, S. F. Chichibu, S. Fuke, Y. Segawa, H. Ohno, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Nat. Mater. 4, 42 (2005).
3. P. Zu, Z. K. Tang, G. K. L. Wong, M. Kawasaki, A. Ohtomo, H. Koinuma, and Y. Segawa, Solid State Commun. 103, 459 (1997).
4. A. Ohtomo, M. Kawasaki, T. Koida, K. Masubuchi, H. Koinuma, Y. Sakurai, Y. Yoshida, T. Yasuda, and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett. 72, 2466 (1998).
5. T. Makino, Y. Segawa, M. Kawasaki, A. Ohtomo, R. Shiroki, K. Tamura, T. Yasuda, and H. Koinuma, Appl. Phys. Lett. 78, 1237 (2001).
6. D. C. Look, D. C. Reynolds, C. W. Litton, R. L. Jones, D. B. Eason, and G. Cantwell, Appl. Phys. Lett. 81, 1830 (2002).
7. H. Matsui, H. Saeki, T. Kawai, A. Sasaki, M. Yoshimoto, M. Tsubaki, and H. Tabata, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 2454 (2004).
8. H. Kato, M. Sano, K. Miyamoto, and T. Yao, J. Cryst. Growth 265, 375 (2004);
9. H. Kato, M. Sano, K. Miyamoto, and T. Yao, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 42, L1002 (2003).
10. M. W. Cho, C. Hanada, H. Suzuki, T. Minegishi, T. Yao, H. Ko, K. Maeda, and I. Nikura, Superlattices Microstruct. 38, 394 (2005).
11. H. Z. Xu, K. Ohtani, M. Yamao, and H. Ohno, Phys. Status Solidi B 243, 773 (2006).
12. K. Ogata, T. Kawanishi, K. Maejima, K. Sakurai, S. Fujita, and S. Fujita, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 40, L657 (2001).
13. K. Tamura, A. Ohtomo, K. Saikusa, Y. Osaka, T. Makino, Y. Segawa, M. Sumiya, S. Fuke, H. Koinuma, and M. Kawasaki, J. Cryst. Growth 214/215, 59 (2000).
14. E. J. Tarsa, B. Heying, X. H. Wu, P. Fini, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 82, 5472 (1997).
15. F. A. Ponce, D. Cherns, W. T. Young, and J. W. Steeds, Appl. Phys. Lett. 69, 770 (1996).
16. Y. Chen, T. Takeuchi, H. Amano, I. Akasaki, N. Yamada, Y. Kaneko, and S. Y. Wang, Appl. Phys. Lett. 72, 710 (1998).
17. T. Ohnishi, A. Ohtomo, M. Kawasaki, K. Takahashi, M. Yoshimoto, and H. Koinuma, Appl. Phys. Lett. 72, 824 (1998).
18. M. Sumiya, K. Yoshimura, T. Ito, K. Ohtsuka, S. Fuke, K. Mizuno, M. Yoshimoto, H. Koinuma, A. Ohtomo, and M. Kawasaki, J. Appl. Phys. 88, 1158 (2000).
19. M. Kubo, Y. Oumi, H. Takaba, A. Chatterjee, A. Miyamoto, M. Kawasaki, M. Yoshimoto, and H. Koinuma, Phys. Rev. B 61, 16187 (2000).