Deep level defects in proton radiated GaAs grown on metamorphic SiGe/Si substrates

Journal of Applied Physics

Volumn 100, Issue 3, 2006, Pages

  Gonzalez M ^a   Andre, C L ^a   Walters, R J ^b   Messenger, S R ^b   Warner, J H ^b   Lorentzen, J R ^b   Pitera, A J ^c   Fitzgerald, E A ^c   Ringel, S A ^a  

^a The Ohio State University   (United States)

^b NAVAL RESEARCH LABORATORY   (United States)

^c USA   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DISLOCATION; N-TYPE GAAS; P-TYPE GAAS;

CRYSTAL DEFECTS; DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY; ELECTRON TRAPS; HOLE TRAPS; PROTON IRRADIATION; SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS; SOLAR CELLS; SUBSTRATES;

SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE;

EID: 33747372191     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2220720     Document Type: Article

References (27)

1. C. L. Andre, J. A. Carlin, D. M. Wilt, M. A. Smith, A. J. Pitera, M. L. Lee, E. A. Fitzgerald, and S. A. Ringel, IEEE Trans. Electron Devices 52, 1055 (2005).
2. M. R. Lueck, C. L. Andre, and S. A. Ringel, IEEE Electron Device Lett. 27, 142 (2006).
3. O. Kwon, J. J. Boeckl, M. L. Lee, A. J. Pitera, E. A. Fitzgerald, and S. A. Ringel, J. Appl. Phys. 97, 034504 (2005).
4. O. Kwon, J. J. Boeckl, M. L. Lee, A. J. Pitera, E. A. Fitzgerald, and S. A. Ringel, J. Appl. Phys. 100, 013103 (2006).
5. M. E. Groenert, C. W. Leitz, A. J. Pitera, V. Yang, H. Lee, R. J. Ram, and E. A. Fitzgerald, J. Appl. Phys. 93, 362 (2003).
6. R. M. Sieg, S. A. Ringel, S. M. Ting, S. B. Samavedam, M. Currie, T. Langdo, and E. A. Fitzgerald, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 1471 (1998).
7. J. A. Carlin, S. A. Ringel, E. A. Fitzgerald, M. Bulsara, and B. M. Keyes, Appl. Phys. Lett. 76, 1884 (2000).
8. D. M. Wilt et al., Proceedings of the 19th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Paris, France, 7-11 June 2004 (WIP, Munich, 2004), p. 3602.
9. R. J. Walters et al., Mater. Sci. Eng., B 116, 257 (2005).
10. M. T. Currie, S. B. Samavedam, T. A. Langdo, C. W. Leitz, and E. A. Fitzgerald, Appl. Phys. Lett. 72, 1718 (1998).
11. D. V. Lang, J. Appl. Phys. 45, 3022 (1974).
12. D. V. Lang, A. Y. Cho, A. C. Gossard, M. Ilegems, and W. Wiegmann, J. Appl. Phys. 47, 2558 (1976).
13. P. Blood and J. J. Harris, J. Appl. Phys. 56, 993 (1984).
14. A. Mitonneau, G. M. Martin, and A. Mircea, Electron. Lett. 13, 666 (1977).
15. R. M. Sieg et al., Appl. Phys. Lett. 73, 3111 (1998).
16. B. E. Anspaugh, JPL Publ. 96-9, 4 (1996).
17. F. H. Eisen, K. Bachem, E. Klausman, K. Koelher, and R. Haddad, J. Appl. Phys. 72, 5593 (1992).
18. D. Pons and J. C. Bourgoin, J. Phys. C 18, 3839 (1985).
19. H. Boudinov, A. V. Coelho, H. H. Tan, and C. Jagadish, J. Appl. Phys. 93, 3234 (2003).
20. F. D. Auret, S. A. Goodman, W. E. Meyer, R. M. Erasmus, and G. Myburg, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 32, L974 (1993).
21. S. Loualiche, A. Nouailhat, G. Guillot, M. Gavnad, A. Laugier, and J. C. Bourgoin, J. Appl. Phys. 53, 8691 (1982).
22. D. Stievernard, X. Boddaert, and J. C. Bourgoin, Phys. Rev. B 34, 4048 (1986).
23. D. Stievernard, X. Boddaert, J. C. Bourgoin, and H. J. von Bardeleben, Phys. Rev. B 41, 5271 (1991).
24. J. Ding, J. S. C. Chang, and M. Bujatti, Appl. Phys. Lett. 50, 1089 (1987).
25. J. Elsner, R. Jones, M. Haugk, Th. Fraunheim, M. I. Heggie, S. Oberg, and P. R. Briddon, Phys. Rev. B 58, 12571 (1998).
26. D. M. Lee, J. B. Posthill, F. Simura, and G. A. Rozgonyi, Appl. Phys. Lett. 53, 370 (1988).
27. A. S. M. Salih, Z. Radzimski, J. Honeycut, G. A. Rozgonyi, K. E. Ben, and K. Lindberg, Appl. Phys. Lett. 50, 1678 (1987).