High-speed strained-single-crystal-silicon thin-film transistors on flexible polymers

Journal of Applied Physics

Volumn 100, Issue 1, 2006, Pages

  Yuan, Hao Chih ^a   Ma, Zhenqiang ^a   Roberts, Michelle M ^b   Savage, Donald E ^b   Lagally, Max G ^b  

^a University of Wisconsin Madison   (United States)

^b UNIVERSITY OF WISCONSIN MADISON   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELASTIC STRAIN; FLEXIBLE POLYMERS; POLYMER SUBSTRATES;

DISLOCATIONS (CRYSTALS); POLYMERS; SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGY; SINGLE CRYSTALS; STRAIN; TRANSCONDUCTANCE;

THIN FILM TRANSISTORS;

EID: 33746211148     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2214301     Document Type: Article

References (20)

1. L. Collins, IEE Rev. 49, 42 (2003).
2. Y. Ichikawa, T. Yoshida, T. Hama, H. Sakai, and K. Hiroshima, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 66, 107 (2001).
3. C. J. Drury, C. M. J. Mutsaers, C. M. Hart, M. Matters, and D. M. de Leeuw, Appl. Phys. Lett. 73, 108 (1998).
4. P. F. Baude, D. A. Ender, M. A. Haase, T. W. Kelley, D. V. Muyres, and S. D. Theiss, Appl. Phys. Lett. 82, 3964 (2003).
5. J.-U. Meyer, Sens. Actuators, A 97-98, 1 (2002).
6. G. Gu and S. R. Forrest, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 4, 83 (1998).
7. A. Sugimoto, H. Ochi, S. Fujimura, A. Yoshida, T. Miyadera, and M. Tsuchida, IEEE J. Sci. Top. Quantum Electron. 10, 107 (2004).
8. A. Nathan et al., Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 814, 61 (2004).
9. E. Menard, K. J. Lee, D.-Y. Khang, R. G. Nuzzo, and J. A. Rogers, Appl. Phys. Lett. 84, 5398 (2004).
10. E. Menard, R. G. Nuzzo, and J. A. Rogers, Appl. Phys. Lett. 86, 093507 (2005).
11. Y. Sun, S. Kim, I. Adesida, and J. A. Rogers, Appl. Phys. Lett. 87, 083501 (2005).
12. M. M. Roberts, L. J. Klein, D. E. Savage, K. A. Slinker, M. Friesen, G. Celler, M. A. Eriksson, and M. G. Lagally, Nat. Mater. 5, 388 (2006).
13. J. L. Hoyt, H. M. Nayfeh, S. Eguchi, I. Aberg, G. Xia, T. Drake, E. A. Fitzgerald, and D. A. Antoniadis, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2002, 23.
14. G. M. Cohen, P. M. Mooney, V. K. Paruchuri, and H. J. Hovel, Appl. Phys. Lett. 86, 251902 (2005).
15. P. M. Mooney, G. M. Cohen, J. O. Chu, and C. E. Murray, Appl. Phys. Lett. 84, 1093 (2004).
16. G. M. Cohen, P. M. Mooney, and J. O. Chu, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 765, 141 (2003).
17. K. Ismail, F. K. LeGoues, K. L. Saenger, M. Arafa, J. O. Chu. P. M. Mooney, and B. S. Meyerson, Phys. Rev. Lett. 73, 3447 (1994).
18. D. K. Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization, 2nd ed. (Wiley, New York, 1998).
19. S. Luan and G. W. Neudeck, J. Appl. Phys. 72, 766 (1992).
20. A. Yagishita, T.-J. King, and J. Bokor, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 43, 1713 (2004).