Nonvolatile memory cell effect in multilayered N 1-xFe x self-assembled nanoparticle arrays in polyimide

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 2, 2006, Pages

  Jung, Jae Hun ^a   Kim, Jae Ho ^a   Kim, Tae Whan ^a   Yoon, Chong Seung ^a   Kim, Young Ho ^a   Jin, Sungho ^b  

^a Hanyang University   (South Korea)

^b UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CAPACITANCE-VOLTAGE (C-V) MEASUREMENTS; INTERFACE TRAP; NONVOLATILE MEMORY CELLS;

CAPACITANCE MEASUREMENT; ELECTRIC CONDUCTANCE; METAL INSULATOR BOUNDARIES; NANOSTRUCTURED MATERIALS; NICKEL COMPOUNDS; SELF ASSEMBLY;

POLYIMIDES;

EID: 33746064861     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2220548     Document Type: Article

References (24)

1. A. Lorke, R. J. Luyken, A. O. Govorov, J. P. Kotthaus, J. M. Garcia, and P. M. Petroff, Phys. Rev. Lett. 84, 2223 (2000).
2. W. G. Van der Wiel, S. De Franceschi, J. M. Elzerman, S. Tarucha, L. P. Kouwenhoven, J. Motohisa, F. Nakajima, and T. Fukui, Phys. Rev. Lett. 88, 126803 (2002).
3. L. Jiang, S. S. Li, N.-T. Yeh, J.-I. Chyi, C. E. Ross, and K. S. Jones, Appl. Phys. Lett. 82, 1986 (2003).
4. X. Li, Y. Wu, D. Steel, D. Gammon, T. H. Stievater, D. S. Katzer, D. Park, C. Piermarocchi, and L. J. Sham, Science 301, 809 (2003).
5. N. J. Craig, J. M. Tayler, E. A. Lester, C. M. Marcus, M. P. Hanson, and A. C. Gossard, Science 304, 565 (2004).
6. S. J. Baik and K. S. Lim, Appl. Phys. Lett. 81, 5186 (2002).
7. M. Perego, S. Ferrari, M. Fanciulli, G. B. Assayag, C. Bonafos, M. Carrada, and A. Claverie, J. Appl. Phys. 95, 257 (2004).
8. S. Tiwari, F. Rana, H. Hanafi, A. Hartstein, and E. F. Crabbe, Appl. Phys. Lett. 68, 1377 (1996).
9. E. Leobandung, L. Guo, Y. Wang, and S. Y. Chou, Appl. Phys. Lett. 67, 938 (1995).
10. H. Ishikuro, T. Fujii, T. Saraya, G. Hashiguchi, T. Hiramoto, and T. Ikoma, Appl. Phys. Lett. 68, 3585 (1996).
11. E. S. Snow and P. M. Cambell, Appl. Phys. Lett. 64, 1932 (1994).
12. K. Matsumoto, M. Ishii, K. Segawa, Y. Oka, B. J. Vartanian, and J. S. Harris, Appl. Phys. Lett. 68, 34 (1996).
13. T. W. Kim, D. C. Choo, J. H. Shim, and S. O. Kang, Appl. Phys. Lett. 80, 2168 (2002).
14. M. Perego, S. Ferrari, M. Fanciulli, G. Ben Assayag, C. Bonafos, M. Carrada, and A. Claverie, J. Appl. Phys. 95, 257 (2004).
15. Y. Kim, H. J. Cheong, K. H. Park, T. H. Chung, H. J. Bark, J.-Y. Yi., S. H. Bang, and J. H. Cho, Semicond. Sci. Technol. 17, 1039 (2002).
16. S. Huang, S. Banerjee, R. T. Tung, and S. Oda, J. Appl. Phys. 94, 7261 (2003).
17. T. Z. Lu, M. Alexe, R. Scholz, V. Talelaev, and M. Zacharias, Appl. Phys. Lett. 87, 2021101 (2005).
18. J. H. Kim, J. Y. Jin, J. H. Jung, I. Lee, T. W. Kim, S. K. Lim, C. S. Yoon, and Y.-H. Kim, Appl. Phys. Lett. 86, 032904 (2005).
19. S. K. Lim, K. J. Chung, Y.-H. Kim, C. K. Kim, and C. S. Yoon, J. Colloid Interface Sci. 273, 517 (2004).
20. S. J. Lee, Y. S. Shim, H. Y. Cho, D. Y. Kim, T. W. Kim, and K. L. Wang, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 42, 7180 (2003).
21. B. Riccò, M. Lanzoni, A. Manstretta, H. E. Maes, D. Montanari, and A. Modelli, Proc. IEEE 86, 2399 (1998).
22. L. Larcher, G. Verzellesi, P. Pavan, E. Kusky, I. Bloom, and B. Eitan, IEEE Trans. Electron Devices 49, 1939 (2002).
23. E. H. Nicollian and J. R. Brews, MOS Physics and Technology (Wiley, New York, 1982).
24. M. Sadeghi, A. Jauhiainen, B. Liss, E. Ö. Sveinbjörnsson, and O. Engström, Solid-State Electron. 42, 2233 (1998).