Lateral quantum dots in SiSiGe realized by a Schottky split-gate technique

Applied Physics Letters

Volumn 88, Issue 16, 2006, Pages

  Berer, T ^a   Pachinger, D ^a   Pillwein, G ^a   Muhlberger M ^a   Lichtenberger, H ^a   Brunthaler, G ^a   Schaffler F ^a  

^a JOHANNES KEPLER UNIVERSITY LINZ   (Austria)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY; GATES (TRANSISTOR); SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS; TRANSISTORS;

LATERAL QUANTUM DOTS; SCHOTTKY BARRIERS; SINGLE ELECTRON TRANSISTORS; SISIGE HETEROSYSTEM;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 33646185288     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2197320     Document Type: Article

References (22)

1. For a review see, e.g., F. Schäffler, Semicond. Sci. Technol. 12, 1515 (1997).
2. Z. Wilamowski, N. Sandersfeld, W. Jantsch, D. Többen, and F. Schäffler, Phys. Rev. Lett. 87, 026401 (2001).
3. A. M. Tyryshkin, S. A. Lyon, W. Jantsch, and F. Schäffler, Phys. Rev. Lett. 94, 126802 (2005).
4. B. E. Kane, Nature (London) 393, 133 (1998).
5. R. Vrijen, E. Yablonovich, K. Wang, H. W. Jiang, A. Balandin, V. Roychowdhury, T. Mor, and D. DiVicenzo, Phys. Rev. A 62, 012306 (2000).
6. M. Friesen, P. Rugheimer, D. E. Savage, M. G. Lagally, D. W. van der Weide, R. Joynt, and M. A. Eriksson, Phys. Rev. B 67, 1213010 (2003).
7. M. Holzmann, Ph.D. thesis, Technical University, Munich, 1996.
8. A. Notargiacomo, L. Di Gaspare, G. Scappucci, G. Mariottini, F. Evangelisti, E. Giovine, and R. Leoni, Appl. Phys. Lett. 83, 302 (2003).
9. L. J. Klein, K. A. Slinker, J. L. Truitt, S. Goswami, K. L. M. Lewis, S. N. Coppersmith, D. W. van der Weide, M. Friesen, R. H. Blick, D. E. Savage, M. G. Lagally, C. Tahan, R. Joynt, M. A. Eriksson, J. O. Chu, J. A. Ott, and P. M. Mooney, Appl. Phys. Lett. 84, 4047 (2004).
10. M. R. Sakr, H. W. Jiang, E. Yablonovitch, and E. T. Croke, Appl. Phys. Lett. 87, 223104 (2005).
11. S. Kanjanachuchai, T. J. Thornton, J. M. Fernandez, and H. Ahmed, Semicond. Sci. Technol. 13, 1215 (1998).
12. K. Lai, W. Pan, D. C. Tsui, S. Lyon, M. Mühlberger, and F. Schäffler, Phys. Rev. Lett. 93, 156805 (2004).
13. L. L. Tongson, B. E. Knox, T. E. Sullivan, and S. J. Fonash, J. Appl. Phys. 50, 1535 (1979).
14. J. Weis, R. J. Haug, K. V. Klitzing, and K. Ploog, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.46.12837 46, 12837 (1992); J. Weis, R. J. Haug, K. V. Klitzing, and K. Ploog, Phys. Rev. Lett. 71, 4019 (1993).
15. J. Weis, R. J. Haug, K. V. Klitzing, and K. Ploog, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.46.12837 46, 12837 (1992); J. Weis, R. J. Haug, K. V. Klitzing, and K. Ploog, Phys. Rev. Lett. 71, 4019 (1993).
16. L. Kouwenhoven, C. M. Marcus, P. L. Mceuen, S. Tarucha, R. M. Westervelt, and N. S. Wingreen, in Mesoscopic Electron Transport, edited by, L. L. Sohn, L. P. Kouwenhoven, and, G. Schön, NATO Advanced Studies Institute, Series E. Applied Science (Kluwer, Dordrecht, 1997).
17. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley, New York, 1981).
18. P. N. Grillot, S. A. Ringel, E. A. Fitzgerald, G. P. Watson, and Y. H. Xie, J. Appl. Phys. 77, 3248 (1995).
19. D. Monroe, Y. H. Xie, E. A. Fitzgerald, P. J. Silverman, and G. P. Watson, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 1731 (1993).
20. E. C. Lightowlers, V. Higgs, M. J. Gregson, G. Davis, S. T. Davey, C. J. Gibbings, C. G. Tuppen, F. Schäffler, and E. Kasper, Thin Solid Films 183, 235 (1989).
21. X. Deng and M. Krishnamurthy, Phys. Rev. Lett. 81, 1473 (1998).
22. K. Lai, P. D. Ye, W. Pan, D. C. Tsui, S. A. Lyon, M. Mühlberger, and F. Schäffler, Appl. Phys. Lett. 87, 142103 (2005).