Intrinsic exciton transitions in high-quality ZnO thin films grown by plasma-enhanced molecular-beam epitaxy on sapphire substrates

Journal of Applied Physics

Volumn 99, Issue 6, 2006, Pages

  Zhang, X Q ^a   Yao, Z G ^a   Huang, S H ^a   Suemune, Ikuo ^b   Kumano, H ^b  

^a BEIJING JIAOTONG UNIVERSITY   (China)

^b HOKKAIDO UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ABSORPTION; CRYSTAL STRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; PHASE TRANSITIONS; PHOTOLUMINESCENCE; ZINC OXIDE;

FREE-EXCITON ABSORPTION; PLASMA-ENHANCED MOLECULAR-BEAM EPITAXY; VALENCE BANDS; ZNO THIN FILMS;

THIN FILMS;

EID: 33645780834     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2183354     Document Type: Article

References (31)

1. H. Jeon, J. Ding, A. V. Nurmikko, H. Luo, N. Samarth, J. K. Furdyna, W. A. Bonner, and R. E. Nahory, Appl. Phys. Lett. 57, 2413 (1990).
2. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nakahana, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku, Appl. Phys. Lett. 69, 1477 (1996).
3. X. Q. Zhang, I. Suemune, H. Kumano, J. Wang, and S. H. Huang, J. Appl. Phys. 96, 3733 (2004).
4. X. Q. Zhang, Z. K. Tang, M. Kawasaki, A. Ohtomo, and H. Koinuma, Thin Solid Films 450, 320 (2004).
5. X. Q. Zhang, Z. K. Tang, M. Kawasaki, A. Ohtomo, and H. Koinuma, J. Phys.: Condens. Matter 15, 5191 (2003).
6. X. Q. Zhang, Z. K. Tang, M. Kawasaki, A. Ohtomo, and H. Koinuma, J. Cryst. Growth 259, 286 (2003).
7. P. Yu, Z. K. Tang, G. K. L. Wong, M. Kawasaki, A. Ohtomo, H. Koinuma, and Y. Segawa, Solid State Commun. 103, 459 (1997).
8. Y. Segawa, A. Ohtomo, M. Kawasaki, H. Koinuma, Z. K. Tang, P. Yu, and G. K. L. Wong, Phys. Status Solidi B 202, 669 (1997).
9. Z. K. Tang, G. K. L. Wong, P. Yu, M. Kawasaki, A. Ohtomo, H. Koinuma, and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett. 72, 3270 (1998).
10. D. M. Bagnall, Y. Chen, Z. Zhu, T. Yao, S. Koyama, M. Y. Shen, and T. Goto, Appl. Phys. Lett. 70, 2230 (1997).
11. M. Zamfirescu, A. Kavokin, B. Gil, G. Malpuech, and M. Kaliteevski, Phys. Rev. B 65, 161205 (2002).
12. S. F. Chichibu, Semicond. Sci. Technol. 20, S67 (2005).
13. D. C. Reynolds, D. C. Look, B. Jogai, C. W. Litton, G. Cantwell, and W. C. Harsch, Phys. Rev. B 60, 2340 (1999).
14. T. Makino, T. Yasuda, Y. Segawa, A. Ohtomo, K. Tamura, M. Kawasaki, and H. Oinuma, Appl. Phys. Lett. 79, 1282 (2001).
15. J. M. Hvam, G. Blattner, M. Reuscher, and C. Klingshim, Phys. Status Solidi B 118, 179 (1983).
16. J. M. Hvam, Phys. Status Solidi B 63, 511 (1974).
17. S. Miyamoto and S. Shionoya, J. Lumin. 1213, 563 (1976).
18. J. M. Hvam, Solid State Commun. 27, 1347 (1978).
19. H. Schrey and C. Klingshirn, Solid State Commun. 28, 9 (1978).
20. J. M. Hvam, Phys. Status Solidi B 93, 581 (1979).
21. A. Yamamoto, K. Miyajima, T. Goto, H. J. Ko, and T. Yao, J. Appl. Phys. 90, 4973 (2001).
22. H. J. Ko, Y. F. Chen, T. Yao, K. Miyajima, A. Yamamoto, and T. Goto, Appl. Phys. Lett. 77, 537 (2000).
23. T. Makino, C. H. Chia, N. T. Tuan, Y. Segawa, M. Kawasaki, A. Ohtomo, K. Tamura, and H. Koinuma, Appl. Phys. Lett. 76, 3549 (2000).
24. P. L. Washington, H. C. Ong, J. Y. Dai, and R. P. H. Chang, Appl. Phys. Lett. 72, 3261 (1998).
25. R. Planel, A. Bonnot, and C. Benoit á la Guillaume, Phys. Status Solidi B 58, 251 (1973).
26. E. Gutsche and J. Voigt, Proceedings of International Conference of II-VI Semiconductors, edited by, D. G. Thomas, (Benjamin, New York, 1967), p. 337.
27. J. F. Muth, R. M. Kolbas, A. K. Sharma, S. Oktyabrsky, and J. Narayan, J. Appl. Phys. 85, 7884 (1999).
28. S. Chichibu, A. Shikanai, T. Azuhata, T. Sota, A. Kuramata, K. Horino, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 68, 3766 (1996).
29. Y. Yamada, T. Sakashita, H. Watanabe, H. Kugimiya, S. Nakamura, and T. Taguchi, Phys. Rev. B 61, 8363 (2000).
30. R. Spiegel, G. Bacher, A. Forchel, B. Jobst, D. Hommel, and G. Landwehr, Phys. Rev. B 55, 9866 (1997).
31. D. M. Bagnall, Y. F. Chen, M. Y. Shen, Z. Zhu, T. Goto, and T. Yao, J. Cryst. Growth 184185, 605 (1998).