Photoresponse of gated p-silicon field emitter array and correlation with theoretical models

Journal of Applied Physics

Volumn 99, Issue 3, 2006, Pages

  Liu, Kendrick X ^a,b   Chiang, Chin Jen ^a   Heritage, Jonathan P ^a  

^a University of California   (United States)

^b NAVAL RESEARCH LABORATORY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BULK DEFECTS; FIELD EMITTER ARRAYS (FEA); PHOTORESPONSE;

DEFECTS; LEAKAGE CURRENTS; MATHEMATICAL MODELS; NITROGEN; SATURATION (MATERIALS COMPOSITION); SILICON;

ARRAYS;

EID: 33645528221     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2168031     Document Type: Article

References (59)

1. G. N. Fursei and L. M. Baskin, Russian Microelectronics (Engl. Transl.) 26, 96 (1997).
2. G. Fursey, Appl. Surf. Sci. 94-95, 44 (1996).
3. R. L. Perry, J. Appl. Phys. 32, 128 (1961).
4. P. G. Borzyak, A. F. Yatsenko, and L. S. Miroshnichenko, Phys. Status Solidi 14, 403 (1966).
5. G. N. Fursei and V. G. Ivanov, Sov. Phys. Solid State 9, 1421 (1967).
6. G. N. Fursey and N. V. Egorov, Phys. Status Solidi 32, 23 (1969).
7. N. V. Egorov, G. N. Fursei, and S. P. Manokhin, Sov. Phys. Solid State 13, 1525 (1971).
8. N. V. Egorov, G. N. Fursei, and S. P. Manokhin, Sov. Phys. Solid State 13, 2612 (1972).
9. R. N. Thomas and H. C. Nathanson, Appl. Phys. Lett. 21, 384 (1972).
10. R. N. Thomas and H. C. Nathanson, Appl. Phys. Lett. 21, 387 (1972).
11. G. N. Fursey and N. V. Egorov, Sov. Phys. Solid State 14, 1453 (1972).
12. G. N. Fursey, N. V. Egorov, S. P. Manokhin, and M. K. El Nimr, Sov. Phys. Solid State 15, 923 (1973).
13. N. V. Egorov, G. N. Fursei, and M. K. El'Nimr, Sov. Phys. Solid State 19, 709 (1974).
14. R. N. Thomas, R. A. Wickstrom, D. K. Schroder, and H. C. Nathanson, Solid-State Electron. 17, 155 (1974).
15. D. K. Schroder, R. N. Thomas, J. Vine, and H. C. Nathanson, IEEE Trans. Electron Devices 21, 785 (1974).
16. A. I. Klimin, A. A. Mostovskii, I. A. Pustyl'nik, D. A. Sakseev, L. P. Titova, and N. M. Enden, Bull. Acad. Sci. USSR, Phys. Ser. (Engl. Transl.) 40, 20 (1976).
17. B. P. Bundza and B. V. Stetsenko, Bull. Acad. Sci. USSR, Phys. Ser. (Engl. Transl.) 40, 32 (1976).
18. M. H. Herman and T. T. Tsong, Phys. Lett. 71, 461 (1979).
19. A. A. Dadykin, Radio Eng. Electron. Phys. 25, 108 (1980).
20. K. Sawada, K. Ji, and T. Ando, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 33, L1038 (1994).
21. K. Sawada, K. Ji, and T. Ando, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 33, L1345 (1994).
22. T. Yoshimoto, T. Iwata, S. Kikuchi, and N. Yokogawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 40, 4197 (2001).
23. T. Hirano, S. Kanemaru, and J. Itoh, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 3357 (1996).
24. S. Kanemaru, T. Hirano, H. Tanoue, and J. Itoh, Appl. Surf. Sci. 111, 218 (1997).
25. T. Hirano, S. Kanemaru, H. Tanoue, and J. Itoh, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 34, 6907 (1995).
26. S. Kanemaru, T. Hirano, H. Tanoue, and J. Itoh, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 1885 (1996).
27. M. Ding, H. Kim, and A. I. Akinwande, IEEE Electron Device Lett. 21, 66 (2000).
28. M. Ding and A. I. Akinwande, Proceedings of the IEEE International Electron Devices Meeting, Washington, DC, 3-5 December, 2001 (unpublished), p. 8.6.1.
29. K. X. Liu and J. P. Heritage, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 464 (2003).
30. H. Mimura, T. Ukeba, H. Shimawaki, and K. Yokoo, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 1218 (2004).
31. R. H. Fowler and L. W. Nordheim, Proc. R. Soc. London, Ser. A 119, 173 (1928).
32. L. W. Nordheim, Proc. R. Soc. London, Ser. A 121, 626 (1928).
33. R. Stratton, Proc. Phys. Soc. London, Sect. B 68, 746 (1955).
34. R. Stratton, Phys. Rev. 125, 67 (1962).
35. L. M. Baskin, O. I. Lvov, and G. N. Fursey, Phys. Status Solidi B 47, 49 (1971).
36. L. M. Baskin, O. I. Lvov, and G. N. Fursey, Phys. Status Solidi A 42, 757 (1977).
37. Q. A. Huang, M. Qin, B. Zhang, J. K. O. Sin, and M. C. Poon, IEEE Electron Device Lett. 18, 616 (1997).
38. A. F. Yatsenko, Phys. Status Solidi A 1, 333 (1970).
39. E. L. Murphy and R. H. Good, Jr., Phys. Rev. 102, 1464 (1956).
40. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley, New York, 1981).
41. J. Frenkel, Phys. Rev. 54, 647 (1938).
42. J. R. Yeargan and H. L. Taylor, J. Appl. Phys. 39, 5600 (1968).
43. N. E. McGruer, K. Warner, P. Singhal, J. J. Gu, and C. Chan, IEEE Trans. Electron Devices 38, 2389 (1991).
44. J. T. Trujillo, Ph.D. dissertation, University of California Davis, 1999.
45. R. B. Marcus, T. S. Ravi, T. Gmitter, K. Chin, D. Liu, W. J. Orvis, D. R. Ciarlo, C. E. Hunt, and J. Trujillo, Appl. Phys. Lett. 56, 236 (1990).
46. J. T. Trujillo and C. E. Hunt, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 454 (1993).
47. J. P. Spallas, J. H. Das, and N. C. MacDonald, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 437 (1993).
48. G. Hashiguchi, H. Mimura, and H. Fujita, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L883 (1995).
49. S. T. Purcell, V. T. Binh, and R. Baptist, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 1666 (1997).
50. G. Allen, T. M. Buck, and J. T. Law, J. Appl. Phys. 31, 979 (1960).
51. F. G. Allen, J. Phys. Chem. Solids 19, 87 (1961).
52. Y. Kanazawa, A. Sawada, W. J. Zhao, W. Jarupoonphol, and M. Takai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 42, 4041 (2003).
53. M. Takai, N. Suzuki, O. Yavas, A. Hosono, and S. Okuda, Proc. SPIE 4426, 302 (2002).
54. O. Yavas, N. Suzuki, M. Takai, A. Hosono, and S. Okuda, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1081 (2000).
55. Q. A. Huang, M. Qin, B. Zhang, and J. K. O. Sin, J. Appl. Phys. 81, 7589 (1997).
56. K. Levenberg, Q. Appl. Math. 2, 164 (1944).
57. D. Marquardt, SIAM J. Appl. Math. 11, 431 (1963).
58. J. J. More, in Numerical Analysis, Lecture Notes in Mathematics Vol. 630, edited by, G. A. Watson, (Springer, Berlin, 1977).
59. C. A. Spindt, I. Brodie, L. Humphrey, and E. R. Westerberg, J. Appl. Phys. 47, 5248 (1976).