Low-temperature fabrication of epitaxial and random-oriented Pb(Zr,Ti)O 3 capacitors with SrRuO 3 electrodes on Si wafers

Integrated Ferroelectrics

Volumn 52, Issue , 2003, Pages 19-31

  Maki, K ^a,b   Liu, B T ^a   So, Y ^a   Vu, H ^a   Ramesh, R ^a   Finder, J ^c   Yu, Z ^c   Droopad, R ^c   Eisenbeiser, K ^c  

^a UNIVERSITY OF MARYLAND   (United States)

^b MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION   (Japan)

^c MOTOROLA INC   (United States)

Author keywords

Epitaxial; Film; Low temperature; PZT; Sol gel; SRO

Indexed keywords

ELECTRICAL CHARACTERISTICS; FATIGUE ENDURANCE; LOW-TEMPERATURE FABRICATION;

DIFFERENTIAL THERMAL ANALYSIS; ELECTRODES; EPITAXIAL GROWTH; LOW TEMPERATURE EFFECTS; PYROLYSIS; SILICON WAFERS; SOL-GELS; THIN FILMS;

CAPACITORS;

EID: 33644671193     PISSN: 10584587     EISSN: 16078489     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1080/10584580390254088     Document Type: Article

References (20)

1. Z. Huang, Q. Zhang, and R. W. Whatmore, J. Appl. Phys. 85, 7355 (1999).
2. K. Maki, N. Soyama, K. Nagamine, S. Mori, and K. Ogi, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 40, 5533 (2001).
3. K. Maki, N. Soyama, K. Nagamine, S. Mori, and K. Ogi, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 688, 27 (2002).
4. H. Suzuki, M. B. Othman, K. Murakami, S. Kaneko, and T. Hayashi, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 35, 4896 (1996).
5. K. Amanuma, S. Kobayashi, T. Tatsumi, Y. Maejima, H. Hada, J. Yamada, T. Miwa, H. Koike, H. Toyoshima, and T. Kunio, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 39, 2098 (2000).
6. M. Aratani, T. Ozeki, and H. Funakubo, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 40, L343 (2001).
7. K. Maki, B. T. Liu, H. Vu, V. Nagarajan, R. Ramesh, Y. Fujimori, T. Nakamura, and H. Takasu, Appl. Phys. Lett. 82, 1263 (2003).
8. B. T. Liu, K. Maki, Y. So, V. Nagarajan, R. Ramesh, J. Lettieri, J. H. Haeni, D. G. Schlom, W. Tian, X. Q. Pan, F. J. Walker, and R. A. McKee, Appl. Phys. Lett. 80, 4801 (2002).
9. B. T. Liu, K. Maki, S. Aggarwal, B. Nagaraj, V. Nagarajan, L. Salamanca-Riba, R. Ramesh, A. M. Dhote, and O. Auciello, Appl. Phys. Lett. 80, 3599 (2002).
10. C. B. Eom, R. J. Cava, R. M. Fleming, Julia M. Philips, R. B. van Dover, J. H. Marshall, J. W. P. Hsu, J. J. Krajewski, and W. F. Peck, Jr., Science 258, 1766 (1992).
11. C. B. Eom, R. B. van Dover, Julia M. Phillips, D. J. Werder, J. H. Marshall, C. H. Chen, R. J. Cava, R. M. Fleming, and D. K. Fork, Appl. Phys. Lett. 63, 2570 (1993).
12. M. de Keijser, J. F. M. Cillessen, R. B. F. Janssen, A. E. M. De Veirman, and D. M. de Leeuw, J. Appl. Phys. 79, 393 (1996).
13. J. H. Kim, Y. Kim, A. T. Chien, and F. F. Lange, J. Mater. Res. 16, 1739 (2001).
14. K. Aoki, I. Murayama, Y. Fukuda, and A. Nishimura, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 36, L690 (1997).
15. J. S. Cross, M. Fujiki, M. Tsukada, Y. Kotaka, and Y. Goto, Integr. Ferroelectr. 21, 263 (1998).
16. Y. Wang, C. Ganpule, B. T. Liu, H. Li, K. Mori, B. Hill, M. Wuttig, R. Ramesh, J. Finder, Z. Yu, R. Droopad, and K. Eisenbeiser, Appl. Phys. Lett. 80, 97 (2002).
17. K. Eisenbeiser, J. M. Finder, Z. Yu, J. Ramdani, J. A. Curless, J. A. Hallmark, R. Droopad, W. J. Ooms, L. Salem, S. Bradshaw, and C. D. Overgaard, Appl. Phys. Lett. 76, 1324 (2000).
18. B. Yang, S. Aggarwal, A. M. Dhote, T. K. Song, R. Ramesh, and J. S. Lee, Appl. Phys. Lett. 71, 356 (1997).
19. E. Fatuzzo and W. J. Merz, Ferroelectricity (Wiley, New York, 1967)
20. K. Aoki, Y. Fukuda, K. Numata, and A. Nishimura, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 33, 5155 (1994).