AlGaN/GaN/AlN quantum-well field-effect transistors with highly resistive AlN epilayers

Applied Physics Letters

Volumn 88, Issue 7, 2006, Pages

  Fan, Z Y ^a   Li, J ^a   Nakarmi, M L ^b   Lin, J Y ^b   Jiang, H X ^b  

^a III N Technology Inc   (United States)

^b KANSAS STATE UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DRAIN CURRENT; EPILAYER; PINCH-OFF VOLTAGE; PULSE GATE;

ELECTRONS; GALLIUM NITRIDE; LEAKAGE CURRENTS; PASSIVATION; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

FIELD EFFECT TRANSISTORS;

EID: 32944480343     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2174847     Document Type: Article

References (18)

1. C. Nguyen, N. X. Nguyen, and D. E. Grider, Electron. Lett. 35, 1380 (1999).
2. B. M. Green, K. K. Chu, E. M. Chumbes, J. A. Smart, J. R. Shealy, and L. F. Eastman, IEEE Electron Device Lett. 21, 268 (2000).
3. S. C. Binari, K. Ikossi, J. A. Roussos, W. Kruppa, D. Park, H. B. Dietrich, D. D. Koleske, A. E. Wickenden, and R. L. Henry, IEEE Trans. Electron Devices 48, 465 (2001).
4. P. B. Klein, S. C. Binari, K. Ikossi, A. E. Wickenden, D. D. Koleske, and R. L. Henry, Appl. Phys. Lett. 79, 3529 (2001).
5. H. Tang, J. B. Webb, J. A. Bardwell, S. Raymond, J. Salzman, and C. Uzan-Saguy, Appl. Phys. Lett. 78, 757 (2001).
6. S. Heikman, S. Keller, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 81, 439 (2002).
7. Z. Y. Fan, G. Rong, N. Newman, and D. J. Smith, Appl. Phys. Lett. 76, 1839 (2000).
8. J. Li, B. Nam, M. L. Nakarmi, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 81, 3365 (2002).
9. P. C. Chao, M. S. Shur, R. C. Tiberio, K. H. G. Duh, P. M. Smith, J. M. Ballingall, P. Ho, and A. A. Jabra, IEEE Trans. Electron Devices 36, 461 (1989).
10. M. Miyoshi, T. Egawa, H. Ishikawa, K. Asai, T. Shibata, M. Tanaka, and O. Oda, J. Appl. Phys. 98, 063713 (2005).
11. I.-H. Tan, G. L. Snider, and E. L. Hu, J. Appl. Phys. 68, 4071 (1990).
12. 〈 http://www.nd.edu/~gsnider/〉.
13. O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, W. J. Schaff, and L. F. Eastman, J. Appl. Phys. 85, 3222 (1999).
14. O. Ambacher, J. Majewski, C. Miskys, A. Link, M. Hermann, M. Eickhoff, M. Stutzmann, F. Bernardini, V. Fiorentini, V. Tilak, B. Schaff, and L. F. Eastman, J. Phys.: Condens. Matter 14, 3399 (2002).
15. Z. Y. Fan, J. Li, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 81, 4649 (2002).
16. N. Maeda, K. Tsubaki, T. Saitoh, T. Tawara, and N. Kobayashi, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 743, L9.3.1 (2003).
17. X. Hu, J. Deng, N. Pala, R. Gaska, M. S. Shur, C. Q. Chen, J. Yang, G. Simin, M. A. Khan, J. C. Rojo, and L. J. Schowalter, Appl. Phys. Lett. 82, 1299 (2003).
18. R. Mehandru, B. Luo, J. Kim, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, D. Gotthold, R. Birkhahn, B. Peres, R. Fitch, J. Gillespie, T. Jenkins, J. Sewell, D. Via, and A. Crespo, Appl. Phys. Lett. 82, 2530 (2003).