Thermal annealing effect of indium tin oxide contact to GaN light-emitting diodes

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 44, Issue 10, 2005, Pages 7424-7426

  Hsu, Chin Yuan ^a   Lan, Wen How ^b   Wu, YewChung Sermon ^a  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL UNIVERSITY OF KAOHSIUNG   (Taiwan)

Author keywords

Dislocation; GaN; ITO contact; Leakage; LEDs

Indexed keywords

DISLOCATIONS (CRYSTALS); ELECTRIC CONTACTS; ENERGY DISPERSIVE SPECTROSCOPY; GALLIUM NITRIDE; INDIUM COMPOUNDS; LEAKAGE CURRENTS; RAPID THERMAL ANNEALING; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; SHORT CIRCUIT CURRENTS; TIN COMPOUNDS;

GAN; INDIUM TIN OXIDE (ITO); LEAKAGE;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 31544470623     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.44.7424     Document Type: Article

References (17)

1. J. K. Ho, C. S. Jong, C. C. Chiu, C. N. Huang and K. K. Shih: Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 1275.
2. J. K. Kim, J. L. Lee, J. W. Lee, H. E. Shin, Y. J. Park and T. Kim: Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 2953.
3. J. S. Jang, K. H. Park, H. K. Jang, H. O. Kim and S. J. Park: J. Vac. Sci. Technol. B 16 (1998) 3105.
4. C. F. Chu, C. C. Yu, Y. K. Wang, J. Y. Tsai, F. I. Lai and S. C. Wang: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 3423.
5. J. W. Bae, H. J. Kim, J. S. Kim, N. E. Lee and G. Y. Yeom: Vacuum 56 (2000) 77.
6. M. Hagerott, H. Jeon, A. V. Nurmikko, W. Xie, D. C. Grille, M. Kobayashi and R. L. Gunshor: Appl. Phys. Lett. 60 (1992) 2825.
7. Y. H. Aliyu, D. V. Morgan, H. Thomas and S. W. Bland: Electron. Lett. 31 (1995) 2210.
8. M. A. Matin, A. F. Jezierski, S. A. Bashar, D. E. Lacklison, T. E. Benson, T. S. Cheng, J. S. Roberts, T. E. Sale, J. W. Orton, C. W. Foxton and A. A. Rezazadeh: Electron. Lett. 30 (1994) 318.
9. C. L. Chua, R. L. Thornton, D. W. Treat, V. K. Yang and C. C. Dunnrowicz: IEEE Photonics Technol. Lett. 9 (1997) 551.
10. T. Margalith, O. Buchinsky, D. A. Cohen, A. C. Abare, M. Hansen, S. P. DenBaars and L. A. Coldren: Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 3930.
11. R. H. Horng, D. S. Wuu, Y. C. Lien and W. H. Lan: Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 2925.
12. S. Y. Kim, H. W. Jang and J. L. Lee: Appl. Phys. Lett. 82 (2003) 61.
13. C. S. Chang, S. J. Chang, Y. K. Su, Y. Z. Chiou, Y. C. Lin, Y. P. Hsu, S. C. Shei, H. M. Lo, J. C. Ke, S. C. Chen and C. H. Liu: Jpn. J. Appl. Phys. 42 (2003) 3324.
14. Y. C. Lin, S. J. Chang, Y. K. Su, C. S. Chang, S. C. Shei, J. C. Ke, H. M. Lo, S. C. Chen and C. W. Kuo: Solid-State Electron. 47 (2003) 1565.
15. C. Y. Hsu, W. H. Lan and Y. S. Wu: Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 2447.
16. S. Nakamura, M. Senoh, S. I. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto and H. Kiyoku: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L1059.
17. K. Shiojima: J. Vac. Sci. Technol. B 18 (2000) 37.