Protecting wafer surface during plasma ignition using an arsenic cap

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 23, Issue 3, 2005, Pages 1324-1327

  Wistey, M A ^a   Bank, S R ^a   Yuen, H B ^a   Goddard, L L ^a   Gugov, T ^a   Harris, J S ^a  

^a STANFORD UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ARSENIC CAP; LASER THRESHOLDS; SEMICONDUCTOR SURFACE;

ARSENIC; LASERS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; PHOTOLUMINESCENCE; PLASMAS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

SILICON WAFERS;

EID: 31144473875     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1914820     Document Type: Conference Paper

References (25)

1. M. Kondow, T. Kitatani, S. Nakatsuka, M. C. Larson, K. Nakahara, Y. Yazawa, M. Okai, and K. Uomi, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 3, 719 (1997).
2. K. D. Choquette, et al., Electron. Lett. 36, 1388 (2000).
3. D. A. Livshits, A. Y. Egorov, and H. Riechert, Electron. Lett. 36, 1381 (2000).
4. P. Krispin, S. G. Spruytte, J. S. Harris, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 80, 2120 (2002).
5. Y. Zhang, B. Fluegel, M. C. Hanna, J. F. Geisz, L. W. Wang, and A. Mascarenhas, Phys. Status Solidi B 240, 396 (2003).
6. S. B. Zhang and S. H. Wei, Phys. Rev. Lett. 86, 1789 (2001).
7. W. C. Hughes, W. H. Rowland, M. A. L. Johnson, S. Fujita, J. J. W. Cook, J. F. Schetzina, J. Ren, and J. A. Edmond, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 1571 (1995).
8. R. J. Molnar, R. Singh, and T. D. Moustakas, J. Electron. Mater. 24, 275 (1995).
9. T. Kageyama, T. Miyamoto, S. Makino, F. Koyama, and K. Iga, J. Cryst. Growth 209, 350 (2000).
10. W. Li, J. B. Heroux, and W. I. Wang, J. Appl. Phys. 94, 4248 (2003).
11. H. Shimizu, K. Kumada, S. Uchiyama, and A. Kasukawa, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 7, 355 (2001).
12. M. A. Wistey, S. R. Bank, H. B. Yuen, and J. S. Harris, J. Cryst. Growth (in press).
13. H. F. Liu, C. S. Peng, J. Likonen, T. Jouhti, S. Karirinne, J. Konttinen, and M. Pessa, J. Appl. Phys. 95, 4102 (2004).
14. J. S. Harris, J. W. Mayer, F. H. Eisen, J. D. Haskell, B. Welch, and R. D. Pashley, Appl. Phys. Lett. 21, 601 (1972).
15. S. G. Spruytte, Ph.D. thesis, Leland Stanford Junior University, Department of Materials Science and Engineering, Stanford, CA, 2001.
16. A. J. Ptak, S. W. Johnston, S. Kurtz, D. J. Friedman, and W. K. Metzger, J. Cryst. Growth 251, 392 (2003).
17. S. Z. Wang, S. F. Yoon, and W. K. Loke, J. Appl. Phys. 94, 2662 (2003).
18. M. Fischer, D. Gollub, M. Reinhardt, M. Kamp, and A. Forchel, J. Cryst. Growth 251, 353 (2003).
19. Z. Pan, L. H. Li, W. Zhang, Y. W. Lin, and R. H. Wu, Appl. Phys. Lett. 77, 214 (2000).
20. S. G. Spruytte, C. W. Coldren, A. F. Marshall, M. C. Larson, and J. S. Harris, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 5, U407 (2000).
21. V. F. Gambin (private communication).
22. M. Oye, et al. (private communication).
23. S. Kowalczyk, D. Miller, J. Waldrop, P. Newman, and R. Grant, J. Vac. Sci. Technol. 19, 255 (1981).
24. M. A. Wistey, S. R. Bank, H. B. Yuen, L. L. Goddard, and J. S. Harris, Electron. Lett. 39, 1822 (2003).
25. S. R. Bank, M. A. Wistey, H. B. Yuen, L. L. Goddard, W. Ha, and J. J. S. Harris, Electron. Lett. 39, 1445 (2003).