On the incorporation of Mg and the role of oxygen, silicon, and hydrogen in GaN prepared by reactive molecular beam epitaxy

Journal of Applied Physics

Volumn 82, Issue 1, 1997, Pages 219-226

  Kim, Wook ^a   Botchkarev, A E ^a   Salvador, A ^a   Popovici, G ^a   Tang, H ^a   Morkoc H ^a,b  

^a University of Illinois at Urbana Champaign   (United States)

^b AIR FORCE RESEARCH LABORATORY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000300543     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.365801     Document Type: Article

References (36)

1. H. Morkoç, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, and M. Burns, J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994); S. N. Mohammad, A. Salvador, and H. Morkoç, Proc. IEEE 83, 1306 (1995); S. N. Mohammad and H. Morkoç, Prog. Quantum Electron. 20, 361 (1996).
2. H. Morkoç, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, and M. Burns, J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994); S. N. Mohammad, A. Salvador, and H. Morkoç, Proc. IEEE 83, 1306 (1995); S. N. Mohammad and H. Morkoç, Prog. Quantum Electron. 20, 361 (1996).
3. H. Morkoç, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, and M. Burns, J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994); S. N. Mohammad, A. Salvador, and H. Morkoç, Proc. IEEE 83, 1306 (1995); S. N. Mohammad and H. Morkoç, Prog. Quantum Electron. 20, 361 (1996).
4. S. Nakamura, T. Mukai. and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994).
5. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh. Jpn. J. Appl. Phys 1 30, 1998 (1991); T. Kawabata, T. Matsuda, and S. Koike, J. Appl. Phys. 56, 2367 (1984); B. Goldenberg, J. David Zook, and Robert J. Ulmer, Appl. Phys. Lett. 62, 381 (1993).
6. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh. Jpn. J. Appl. Phys 1 30, 1998 (1991); T. Kawabata, T. Matsuda, and S. Koike, J. Appl. Phys. 56, 2367 (1984); B. Goldenberg, J. David Zook, and Robert J. Ulmer, Appl. Phys. Lett. 62, 381 (1993).
7. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh. Jpn. J. Appl. Phys 1 30, 1998 (1991); T. Kawabata, T. Matsuda, and S. Koike, J. Appl. Phys. 56, 2367 (1984); B. Goldenberg, J. David Zook, and Robert J. Ulmer, Appl. Phys. Lett. 62, 381 (1993).
8. S. Nakamura, M. Senoh, S.-I. Magahama. N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys. 2, Lett. 35, L74 (1996).
9. S. Nakamura, M. Senoh, S.-I. Magahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Appl. Phys. Lett. 68, 3269 (1996).
10. Z. Fan, S. N. Mohammad, Ö. Aktas, A. Botchkarev, A. Salvador, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 69, 1229 (1996).
11. H. P. Maruska and J. J. Tietjen, Appl. Phys. Lett. 15, 327 (1969).
12. Jörg Neugebauer and Chris G. Van de Walle, Appl. Phys. Lett. 69, 503 (1996).
13. P. Perlin, T. Suzuki, H. Teisseyre, M. Leszczynski, I. Gregory, J. Jun, S. Porowski, P. Boguslawski, J. Bernholc, J. C. Chervin, A. Polian, and T. D. Moustakas, Phys. Rev. Lett. 75, 296 (1995).
14. D. W. Jenkins, J. D. Dow, and M.-H. Tsai, J. Appl. Phys. 72, 4130 (1992).
15. P. Boguslawski, E. L. Briggs, and J. Bernholc, Phys. Rev. B 51, 17 255 (1995).
16. C. Wetzel, W. Walukiewicz, E. E. Haller, J. AgerIII, I. Grzegory, S. Porowski, and T. Suski, Phys. Rev. B 53, 1322 (1996).
17. H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 2, Lett. 28, L2112 (1989).
18. S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, and N. Iwasa, Jpn. J. Appl. Phys. 2, Lett. 31, L139 (1992).
19. S. Nakamura, N. Iwasa, M. Senoh, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 1 31, 1258 (1992).
20. J. A. Van Vechten, J. D. Zook, R. D. Hornig, and B. Goldenberg, Jpn. J. Appl. Phys. 1 31, 3662 (1992).
21. J. Neugebauer and C. G. Van de Walle, Appl. Phys. Lett. 68, 1829 (1996).
22. J. Neugebauer and C. G. Van der Walle, Phys. Rev. Lett. 75, 4452 (1995).
23. Y. Okamoto, M. Saito, and A. Oshiyama, Jpn. J. Appl. Phys. 2, Lett. 35, L807 (1996).
24. W. Kim, A. Salvador, A. E. Botchkarev, Ö. Aktas, S. N. Mohammad, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 69, 559 (1996).
25. Wook Kim, Ö. Aktas, A. E. Botchkarev, A. Salvador, S. N. Mohammad, and H. Morkoç, J. Appl. Phys. 79, 7657 (1996).
26. M. Kamp, M. Mayer, A. Pelzmann, S. Menzel, H. Y. Chung, H. Sternschulte, and K. J. Ebeling, Presented at Topical Workshop on III-V Nitrides, Sept. 21-23, 1995, Nagoya Japan.
27. W. Kim, M. Yeadon, A. E. Botchkarev, S. N. Mohammad, J. M. Gibson, and H. Morkoç, J. Vac. Sci. Technol. B (submitted).
28. Wook Kim, A. Botchkarev, H. Tang, G. Popovici, and H. Morkoç (unpublished).
29. D. C. Look, D. C. Reynolds, W. Kim, Ö. Aktas, A. Botchkarev, A. Salvador, and H. Morkoç, J. Appl. Phys. 80, 2960 (1996).
30. B.-C. Chung and M. Gershenzon, J. Appl. Phys. 72, 651 (1992).
31. Dr. Chris G. Van der Walle (private communication).
32. W. Götz, N. M. Johnson, J. Walker, D. P. Bour, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 67, 2666 (1995).
33. M. S. Brandt and N. M. Johnson, R. J. Molnar, R. Singh, and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 64, 2264 (1994).
34. J. Chevallier, B. Clerjaud, and B. Pajot in Semiconductors and Semimetals, Vol. 34, edited by J. I. Pankove and N. M. Johnson (Academic, New York, 1991).
35. C. Yuan, T. Salagaj, A. Guray, P. Zawadzki, C. S. Chern, W. Kroll, R. A. Stall, Y. Li, M. Schurman, C.-Y. Hwang, W. E. Mayo, Y. Lu, S. J. Pearton, S. Krishnankutty, and R. M. Kolbas, J. Electrochem. Soc. 142, L163 (1995).
36. W. Götz, N. M. Johnson, and D. P. Bour, Appl. Phys. Lett. 68, 3470 (1996).