Optical properties of (Ga 1-xMn x)N thin films with a low Mn concentration grown on GaN buffer layers

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 47, Issue SUPPL. 3, 2005, Pages

  Jeon, Hee Chang ^a   Kang, Tae Won ^a   Kim, Tae Whan ^b   Cho, Yong Hun ^c   Lee, Chang Myung ^d  

^a Dongguk University   (South Korea)

^b Hanyang University   (South Korea)

^c Chungbuk National University   (South Korea)

^d Nano Etch Group   (South Korea)

Author keywords

(Ga 1 xMn x)N; Diluted magnetic semiconductor; Optical property

Indexed keywords

EID: 29344458369     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Conference Paper

References (21)

1. H. Ohno, Science 281, 951 (1998).
2. R. Fiederling, M. Keim, G. Reuscher, W. Ossau, G. Schmidt, A. Waag and L. W. Molenkamp, Nature 402, 787 (1999).
3. T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert and D. Ferrand, Science 287, 1019 (2000).
4. H. Munekata, H. Ohno, S. von Molnar, A. Segmuller, L. L. Chang and L. Esaki, Phys. Rev. Lett. 63, 1849 (1989).
5. H. Ohno, H. Munekata, T. Penny, S. von Molnar and L. L. Chang, Phys. Rev. Lett. 68, 2664 (1992).
6. S. Koshihara, A. Oiwa, M. Hirasawa, S. Katsumoto, Y. Iye, C. Urano, H. Takagi and H. Munekata, Phys. Rev. Lett. 78, 4617 (1998).
7. T. Hayashi, M. Tanaka, K. Seto, T. Nishinaga and K. Ando, Appl. Phys. Lett. 71, 1825 (1997).
8. S. J. Potashnik, K. C. Ku, S. H. Chun, J. J. Berry, N. Samarth and P. Schiffer, Appl. Phys. Lett. 79, 1495 (2001).
9. D. Chiba, K. Takamura, F. Matsukura and H. Ohno, Appl. Phys. Lett. 82, 3020 (2003).
10. S. Lee, S. J. Chung, X. Liu and J. K. Furdyna, J. Korean Phys. Soc. 47, 444 (2005).
11. A. M. Nazmul, S. Sugahara and M. Tanaka, Phys. Rev. B 67, 241308 (2003).
12. S. Sonoda, S. Shimizu, T. Sasaki, Y. Yamamoto and H. Hori, J. Crystal Growth 237, 1358 (2002).
13. Nammee Kim, J. W. Kim, S. J. Lee and T. W. Kang, J. Korean Phys. Soc. 45, S568 (2004).
14. K. H. Kim, K. J. Lee, J. B. Park, D. J. Kim, H. Kim, Y. E. Ihm, C. S. Kim, H. C. Lee, C. G. Kim, S. H. Yoo, D. Djayaprawira and M. Takahashi, J. Korean Phys. Soc. 42, S399 (2003).
15. T. Graf, M. Gjukic, M. S. Brandt, M. Stutzmann and O. Ambacher, Appl. Phys. Lett. 81, 5159 (2002).
16. K. Sardar, A. R. Raju, B. Bansal, V. Venkataraman and C. N. R. Rao, Solid State Commun. 125, 55 (2003).
17. M. Hashimoto, Y. K. Zhou, H. Tampo, M. Kanamura and H. Asahi, J. Crystal Growth 252, 499 (2003).
18. S. Triphathy, R. Soni, H. Asahi, K. Iwata, R. Kuroiwa, K. Asami and S. Gonda, J. Appl. Phys. 85, 8386 (1999).
19. See, for example, E. W. Williams and H. B. Bebb, Semiconductors and Semimetals, edited by R. K Willardson and A. C. Beer (Academic Press, New York, 1992), Vol. 8, p. 321.
20. B. Han, J. M. Gregie and B. W. Wessels, Phys. Rev. B 68, 045205 (2003).
21. M. A. Reshchikov, G-C. Yi and B. W. Wessels, Phys. Rev. B 59, 13176 (1999).