Nitride-mediated epitaxy of self-assembled NiSi2 nanowires on (001)Si

Applied Physics Letters

Volumn 87, Issue 25, 2005, Pages 1-3

  Chen, S Y ^a   Chen, L J ^a  

^a NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ASPECT RATIO; EPITAXIAL GROWTH; MAGNETIC FLUX; NICKEL COMPOUNDS;

NANOWIRES; NITRIDE-MEDIATED EPITAXY (NME); SHAPE TRANSITION;

NANOSTRUCTURED MATERIALS;

EID: 29144449323     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2149970     Document Type: Article

References (25)

1. C. R. K. Marrian and D. M. Tennant, J. Vac. Sci. Technol. A 21, S207 (2003).
2. L. J. Chen, JOM 57, 24 (2005).
3. Y. Wu, J. Xiang, C. Yang, W. Lu, and C. M. Lieber, Nature (London) 430, 61 (2004).
4. J. F. Lin, J. P. Bird, Z. He, P. A. Bennett, and D. J. Smith, Appl. Phys. Lett. 85, 281 (2004).
5. C. Preinesberger, S. Vandre, T. Kalka, and M. Dahne-Prietsch, J. Phys. D 31, L43 (1998).
6. Y. Chen, D. A. A. Ohlberg, G. Medeiros-Ribeiro, and Y. A. Chang, Appl. Phys. Lett. 76, 4004 (2000).
7. J. Nogami, B. Z. Liu, M. V. Katkov, C. Ohbuchi, and N. O. Birge, Phys. Rev. B 63, 233305 (2001).
8. Y. Chen, D. A. A. Ohlberg, and R. S. Williams, J. Appl. Phys. 91, 3213 (2002).
9. M. Stevens, Z. He, D. J. Smith, and P. A. Bennett, J. Appl. Phys. 93, 5670 (2003).
10. W. C. Yang, H. Ade, and R. J. Nemanich, J. Appl. Phys. 95, 1572 (2004).
11. S. H. Brongersma, M. R. Castell, D. D. Perovic, and M. Zinke-Allmang, Phys. Rev. Lett. 80, 3795 (1998).
12. J. D. Carter, G. Cheng, and T. Guo, J. Phys. Chem. 108, 6901 (2004).
13. Z. He, D. J. Smith, and P. A. Bennett, Phys. Rev. Lett. 93, 256102 (2004).
14. R. K. K. Chong, M. Yeadon, W. K. Choi, E. A. Stach, and C. B. Boothroyd, Appl. Phys. Lett. 82, 1833 (2003).
15. R. T. Tung, Appl. Phys. Lett. 68, 3461 (1996).
16. K. C. R. Chiu, J. M. Poate, J. E. Rowe, T. T. Sheng, and A. G. Gullis, Appl. Phys. Lett. 38, 988 (1981).
17. L. J. Chen and K. N. Tu, Mater. Sci. Rep. 6, 53 (1991).
18. J. Tersoff and R. M. Tromp, Phys. Rev. Lett. 70, 2782 (1993).
19. D. E. Jesson, G. Chen, K. M. Chen, and S. J. Pennycook, Phys. Rev. Lett. 80, 5156 (1998).
20. F. Edelman, E. Y. Gutmanai, A. Katz, and R. Brener, Appl. Phys. Lett. 53, 1186 (1988).
21. R. N. Ghoshtagore, J. Appl. Phys. 40, 4374 (1969).
22. L. Aballe, L. Gregoratti, A. Barinov, M. Kiskinova, T. Clausen, S. Gangopadhyay, and J. Falta, Appl. Phys. Lett. 84, 5031 (2004).
23. A. Vantomme, S. Degroote, J. Dekoster, G. Langouche, and R. Pretorius, Appl. Phys. Lett. 74, 3137 (1999).
24. C. W. Lim, C.-S. Shin, D. Gall, J. M. Zuo, I. Petrov, and J. E. Greene, J. Appl. Phys. 97, 044909 (2005).
25. J. H. Lee, Appl. Surf. Sci. 239, 268 (2005).