Structural characteristics of carbon nanofibers for on-chip interconnect applications

Applied Physics Letters

Volumn 87, Issue 23, 2005, Pages 1-3

  Ominami, Yusuke ^a   Ngo, Quoc ^a   Austin, Alexander J ^a   Yoong, Hans ^a   Yang, Cary Y ^a   Cassell, Alan M ^b   Cruden, Brett A ^b   Li, Jun ^b   Meyyappan, M ^b  

^a Santa Clara University   (United States)

^b NASA AMES RESEARCH CENTER   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARBON NANOFIBERS; CHEMICAL VAPOR; STRUCTURAL CHARACTERISTICS;

CATALYSIS; DEPOSITION; ELECTRON MICROSCOPY; MICROPROCESSOR CHIPS; MICROSTRUCTURE; PLASMAS; SUBSTRATES;

CARBON NANOTUBES;

EID: 28444459501     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2137873     Document Type: Article

References (22)

1. R. Martel, T. Schmidt, H. R. Shea, T. Hertel, and P. Avouris, Appl. Phys. Lett. 73, 2447 (1998).
2. F. Kreupl, A. P. Graham, G. S. Duesberg, W. Steinhogl, M. Liebau, U. Unger, and W. Honlein, Microelectron. Eng. 64, 399 (2002).
3. H. Cui, O. Zhou, and B. R. Stoner, J. Appl. Phys. 88, 6072 (2000).
4. H. Ye, N. Naguib, Y. Gogotsi, G. Yazicioglu, and C. M. Megaridis, Nanotechnology 15, 232 (2004).
5. M. Endo, Y. A. Kim, T. Hayashi, Y. Fukai, K. Oshida, M. Terrones, T. Yanagisawa, S. Higaki, and M. S. Dresselhaus, Appl. Phys. Lett. 80, 1267 (2002).
6. V. I. Merkulov, M. A. Guillorn, D. H. Lowndes, and M. L. Simpson, Appl. Phys. Lett. 79, 1178 (2001).
7. H. Cui, X. Yang, M. Simpson, D. Lowndes, and M. Varela, Appl. Phys. Lett. 84, 4077 (2004).
8. S. Helveg, C. Lopez-Cartes, J. Shested, P. L. Hansen, B. S. Clausen, J. R. Rostrup-Nielson, F. Abild-Pederson, and J. K. Norskov, Nature (London) 427, 426 (2004).
9. S. Tsai, C. Shiu. S. Lai, and H. Shih, Carbon 40, 1597 (2002).
10. A. Javey, J. Guo, Q. Wang, M. Lundstrom, and H. Dai, Nature (London) 424, 654 (2003).
11. L. H. Chang, K. H. Hong, S. H. Lai, X. W. Liu, and H. C. Shih, Thin Solid Films 423, 27 (2003).
12. Y. M. Wong, W. P. Kang, J. L. Davidson, A. Wisitora-at, K. L. Soh, T. Fisher, Q. Li, and J. F. Xu, J. Vac. Sci. Technol. A 21, 391 (2003).
13. S. Kita, Y. Sakai, T. Fukushima, Y. Mizuta, A. Ogawa, S. Senda, and F. Okuyama, Appl. Phys. Lett. 85, 4478 (2004).
14. J. Li, Q. Ye, A. Cassell, H. T. Ng, R. Stevens, J. Han, and M. Meyyappan, Appl. Phys. Lett. 82, 2491 (2003).
15. B. A. Cruden, A. M. Cassell, Q. Ye, and M. Meyyappan, J. Appl. Phys. 94, 4070 (2003).
16. Q. Ngo, D. Petranovic, S. Krishnan, A. M. Cassell, Q. Ye, J. Li, M. Meyyappan, and C. Y. Yang IEEE Trans. Nanotechnol. 3, 311 (2004).
17. L. Zhang, D. Austin, V. I. Merkulov, A. V. Meleshko, K. L. Klein, M. A. Guillorn, D. H. Lowndes, and M. L. Simpson, Appl. Phys. Lett. 84, 3972 (2004).
18. J. B. O. Caughman, L. R. Baylor, M. A. Guillorn, V. I. Merkulov, D. H. Lowndes, and L. F. Allard, Appl. Phys. Lett. 83, 1207 (2003).
19. L. Delzeit, I. McAninch, B. A. Cruden, D. Hash, B. Chen, J. Han, and M. Meyyappan, J. Appl. Phys. 91, 6027 (2002).
20. J. G. Wen, Z. P. Huang, D. Z. Wang, J. H. Chen, S. X. Yang, Z. F. Ren, J. H. Wang, L. E. Calvet, J. Chen, J. F. Klemic, and M. A. Reed, J. Mater. Chem. 16, 3246 (2001).
21. Q. Ngo, A. M. Cassell, A. J. Austin, J. Li, S. Krishnan, M. Meyyappan, and C. Y. Yang, IEEE Electron Device Lett. (2005) (submitted).
22. H. Yokoyama, H. Numakura, and M. Koiwa, Acta Mater. 46, 2823 (1998).