Electron-beam-induced current and cathodoluminescence studies of thermally activated increase for carrier diffusion length and lifetime in n -type ZnO

Applied Physics Letters

Volumn 87, Issue 16, 2005, Pages 1-3

  Lopatiuk, O ^a   Chernyak, L ^a   Osinsky, A ^b   Xie, J Q ^b   Chow, P P ^b  

^a UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA   (United States)

^b SVT ASSOCIATES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DIFFUSION LENGTH; OPTICAL MEASUREMENTS; TEMPERATURE RANGE;

CATHODOLUMINESCENCE; DIFFUSION; ZINC OXIDE;

ELECTRON BEAMS;

EID: 28344436326     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2106001     Document Type: Article

References (19)

1. S. J. Pearton, D. P. Norton, K. Ip, Y. W. Heo, and T. Steiner, Prog. Mater. Sci. 50, 293 (2005).
2. D. C. Look, Mater. Sci. Eng., B 80, 383 (2001).
3. Y. I. Alivov, E. V. Kalinina, A. E. Cherenkov, D. C. Look, B. M. Ataev, A. K. Omaev, M. V. Chukichev, and D. M. Bagnall, Appl. Phys. Lett. 83, 4719 (2003).
4. A. Osinsky, J. W. Dong, M. Z. Kauser, B. Hertog, A. M. Dabiran, P. P. Chow, S. J. Pearton, O. Lopatiuk, and L. Chernyak, Appl. Phys. Lett. 85, 4272 (2004).
5. K. Ip, Y. W. Heo, D. P. Norton, S. J. Pearton, J. R. LaRoche, and F. Ren, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1783015 85, 1169 (2004); S. Y. Lee, E. S. Shim, H. S. Kang, S. S. Pang, J. S. Kang, Thin Solid Films 473, 31 (2005).
6. K. Ip, Y. W. Heo, D. P. Norton, S. J. Pearton, J. R. LaRoche, and F. Ren, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1783015 85, 1169 (2004); S. Y. Lee, E. S. Shim, H. S. Kang, S. S. Pang, J. S. Kang, Thin Solid Films 473, 31 (2005).
7. O. Lopatiuk, W. Burdett, L. Chernyak, K. P. Ip, Y. W. Heo, D. P. Norton, S. J. Pearton, B. Hertog, P. P. Chow, and A. Osinsky, Appl. Phys. Lett. 86, 012105 (2005).
8. L. Chernyak, A. Osinsky, H. Temkin, J. W. Yang, Q. Chen, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 69, 2531 (1996).
9. H. J. Leamy, J. Appl. Phys. 53, R51 (1982).
10. K. L. Luke, J. Appl. Phys. 80, 5775 (1996).
11. H. K. Kuiken and C. Vanopdorp, J. Appl. Phys. 57, 2077 (1985).
12. K. Ip, B. P. Gila, A. H. Onstine, E. S. Lambers, Y. W. Heo, K. H. Baik, D. P. Norton, S. J. Pearton, S. Kim, J. R. LaRoche, and F. Ren, Appl. Surf. Sci. 236, 387 (2004).
13. R. Khanna, K. Ip, K. K. Allums, K. Baik, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, Y. W. Heo, D. P. Norton, F. Ren, R. Dwivedi, T. N. Fogarty, and R. Wilkins, Phys. Status Solidi A 201, R79 (2004).
14. S. H. Kim, H. K. Kim, and T. Y. Seong, Appl. Phys. Lett. 86, 112101 (2005).
15. S. H. Kim, H. K. Kim, and T. Y. Seong, Appl. Phys. Lett. 86, 022101 (2005).
16. M. Eckstein and H. U. Habermeier, J. Phys. IV 1, 23 (1991).
17. D. S. Jiang, H. Jung, and K. Ploog, J. Appl. Phys. 64, 1371 (1988).
18. J. I. Pankove, Optical Processes in Semiconductors (Prentice-Hall, Englewood Cliffs, New Jersey, 1971).
19. D. C. Look, D. C. Reynolds, J. R. Sizelove, R. L. Jones, C. W. Litton, G. Cantwell, and W. C. Harsch, Solid State Commun. 105, 399 (1998).