Interdiffusion in InGaAsSb/AlGaAsSb quantum wells

Journal of Applied Physics

Volumn 98, Issue 7, 2005, Pages

  Wang, Y ^a   Djie, H S ^a   Ooi, B S ^a  

^a Lehigh University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BIQUADRATIC QUINARY INTERPOLATION ALGORITHM; INTERDIFFUSION; PHOTONIC DEVICES; SUBLATTICES;

ALGORITHMS; DIFFUSION; ELECTRON TRANSITIONS; EPITAXIAL GROWTH; GROUND STATE; INTERPOLATION; PHOTONS; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING INDIUM GALLIUM ARSENIDE; SUBSTRATES;

SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

EID: 27144542680     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2061893     Document Type: Article

References (30)

1. Long-Wavelength Infrared Semiconductor Lasers, edited by, Hong K. Choi, (Wiley, New Jersey, 2004).
2. G. W. Turner, H. K. Choi, and M. J. Manfra, Appl. Phys. Lett. 72, 876 (1998).
3. D. Z. Garbuzov, H. Lee, V. Khalfin, R. Martinelli, J. C. Connolly, and G. L. Belenky, IEEE Photonics Technol. Lett. 11, 794 (1999).
4. W. Li, J. B. Heroux, H. Shao, and W. I. Wang, Appl. Phys. Lett. 84, 2016 (2004).
5. C. W. Pei, J. B. Heroux, and W. I. Wang, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 1460 (2004).
6. R. M. Biefeld, J. G. Cederberg, G. M. Peake, and S. R. Kurtz, J. Cryst. Growth 225, 384 (2001).
7. M. Lomascolo, P. V. Giugno, R. Cingolani, C. Gerardi, M. Leroux, and J. Massies, Physica E (Amsterdam) 2, 102 (1998).
8. N. Georgiev and T. Mozume, J. Appl. Phys. 89, 1064 (2001).
9. Semiconductor Quantum Wells Intermixing: Material Properties and Optoelectronic Applications, edited by, E. H. Li, (Gordon and Breach Science, The Netherlands, 1997).
10. M. C. Y. Chan, C. Surya, and P. K. A. Wai, J. Appl. Phys. 90, 197 (2001).
11. J. Micallef, E. H. Li, and B. L. Weiss, J. Appl. Phys. 73, 7524 (1993).
12. B. S. Ooi, K. Mcilvaney, M. W. Street, A. S. Helmy, S. G. Ayling, A. C. Bryce, J. H. Marsh, and J. S. Roberts, IEEE J. Quantum Electron. 33, 1784 (1997).
13. H. S. Djie, C. K. F. Ho, T. Mei, and B. S. Ooi, Appl. Phys. Lett. 86, 081106 (2005).
14. S. L. Wong, R. J. Nicholas, R. W. Martin, J. Thompson, A. Wood, A. Moseley, and N. Carr, J. Appl. Phys. 79, 6826 (1996).
15. A. Hamoudi, A. Ougazzaden, Ph. Krauz, E. V. K. Rao, M. Juhel, and H. Thibierge, Appl. Phys. Lett. 66, 718 (1995).
16. P. Boucaud, F. H. Julien, J. Y. Emery, and L. Goldstein, J. Appl. Phys. 78, 1944 (1995).
17. H. Chen, J. Appl. Phys. 89, 4815 (2001).
18. G. P. Donati, R. Kaspi, and K. J. Malloy, J. Appl. Phys. 94, 5814 (2003).
19. I. Vurgaftman, J. R. Meyer, and L. R. Ram-Mohan, J. Appl. Phys. 89, 5815 (2001).
20. M. P. C. M. Krijn, Semicond. Sci. Technol. 6, 27 (1991).
21. S. Adachi, J. Appl. Phys. 61, 4869 (1987).
22. S. L. Chuang, Phys. Rev. B 43, 9649 (1991).
23. L. A. Coldren and S. W. Corzine, Diode Lasers and Photonic Integrated Circuits (Wiley, New York, 1995), Appendix 11.
24. W. Z. Shen, S. C. Shen, W. G. Tang, Y. Zhao, and A. Z. Li, Appl. Phys. Lett. 67, 3432 (1995).
25. D. J. BenDaniel and C. B. Duke, Phys. Rev. 152, 683 (1966).
26. P. Adamiec, A. Salhi, R. Bohdan, A. Bercha, F. Dybala, W. Trzeciakowski, Y. Rouillard, and A. Joullie, Appl. Phys. Lett. 85, 4292 (2004).
27. U. H. Jacobs, K. Scholle, E. Heumann, G. Huber, M. Rattunde, and J. Wagner, Appl. Phys. Lett. 85, 5825 (2004).
28. J. J. He, S. Charbonneau, P. J. Poole, G. C. Aers, Y. Feng, E. S. Koteles, R. D. Goldberg, and I. V. Mitchell, Appl. Phys. Lett. 69, 562 (1996).
29. S. L. Ng, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 1482 (2003).
30. B. Elman, E. S. Koteles, P. Melman, and C. A. Armiento, J. Appl. Phys. 66, 2104 (1989).