A magneto-optical study of interdiffusion in InGaAs/InP quantum wells: Effects of heat treatment, substrates, and dopants

Journal of Applied Physics

Volumn 79, Issue 9, 1996, Pages 6826-6833

  Wong, S L ^a   Nicholas, R J ^a   Martin, R W ^b   Thompson, J ^c   Wood, A ^c   Moseley, A ^c   Carr, N ^c  

^a UNIVERSITY OF OXFORD   (United Kingdom)

^b UNIVERSITY OF STRATHCLYDE   (United Kingdom)

^c GEC Marconi Materials Technology Ltd   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0010410829     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.361504     Document Type: Article

References (31)

1. M. Razeghi, O. Acher, and F. Launay, Semicond. Sci. Technol. 2, 793 (1987).
2. H. Temkin, S. N. G. Chu, M. B. Panish, and R. A. Logan, Appl. Phys. Lett. 50, 956 (1987).
3. K. Nakashima, Y. Kawaguchi, Y. Kawamura, Y. Imamura, and H. Asahi, Appl. Phys. Lett. 52, 1383 (1988).
4. S. A. Schwarz, P. Mei, T. Venkatesan, R. Bhat, D. M. Hwang, C. L. Schwartz, M. Koza, L. Nazar, and B. J. Skromme, Appl. Phys. Lett. 53, 1051 (1988).
5. P. Ambrée, A. Hangleiter, M. H. Pilkuhn, and K. Wandel, Appl. Phys. Lett. 56, 931 (1990).
6. G. J. van Gurp, W. M. van de Wijgert, G. M. Fontijn, and P. J. A. Thijs, J. Appl. Phys. 67, 2919 (1990).
7. S. J. Yu, H. Asahi, S. Emura, S. Gonda, and K. Nakashima, J. Appl. Phys. 70, 204 (1991).
8. K. Kurishima, T. Kobayashi, and U. Gösele, Appl. Phys. Lett. 60, 2496 (1992).
9. J. Oshinowo, A. Forchel, D. Grützmacher, M. Stollenwerk, M. Heuken, and K. Heime, Appl. Phys. Lett. 60, 2660 (1992).
10. S. A. Pappert, W. Xia, B. Zhu, A. R. Clawson, Z. F. Guan, P. K. L. Yu, and S. S. Lau, J. Appl. Phys. 72, 1306 (1992).
11. T. Kobayashi, K. Kurishima, and U. Gösele, Appl. Phys. Lett. 62, 284 (1993).
12. R. M. Cohen, J. Appl. Phys. 73, 4903 (1993).
13. R. E. Mallard, E. J. Thrush, R. W. Martin, S. L. Wong, R. J. Nicholas, R. E. Pritchard, B. Hamilton, N. J. Long, S. A. Galloway, A. Chew, D. E. Sykes, J. Thompson, K. Scarrott, J. M. Jowett, K. Satzke, A. G. Norman, and G. R. Booker, Semicond. Sci. Technol. 8, 1156 (1993).
14. W. P. Gillin, S. S. Rao, I. V. Bradley, K. P. Homewood, A. D. Smith, and A. T. R. Briggs, Appl. Phys. Lett. 63, 797 (1993).
15. (a) R. W. Glew, J. P. Stagg, P. D. Greene, A. T. R. Briggs, S. Bradshaw, and J. H. Marsh, Proceedings 3rd International Conference on InP and Related Materials, Cardiff, 1991, p. 515;
16. (b) R. W. Glew, A. T. R. Briggs, P. D. Greene, and E. M. Allen, Proceedings 4th International Conference on InP and Related Materials, Newport, 1992, p. 234;
17. (c) R. W. Glew, Proceedings 5th International Conference on InP and Related Materials, Paris, 1993, p. 29.
18. W. D. Laidig, N. Holonyak, Jr., M. D. Camras, K. Hess, J. J. Coleman, P. D. Dapkus, and J. Bardeen, Appl. Phys. Lett. 38, 776 (1981).
19. G. B. Stringfellow, J. Cryst. Growth 58, 194 (1982).
20. D. J. Dunstan and K. P. Homewood, Appl. Phys. Lett. 66, 462 (1989).
21. G. Bastard, Wave Mechanics Applied to Semiconductor Heterostructures (Les Editions de Physique, Les Ulis, France, 1988).
22. E. O. Kane, J. Phys. Chem. Solids 1, 249 (1957).
23. S. Adachi, J. Appl. Phys. 53, 8778 (1982).
24. F. H. Pollak, Surf. Sci. 37, 863 (1973).
25. M. S. Skolnick, P. R. Tapster, S. J. Bass, A. D. Pitt, N. Apsley, and S. P. Aldred, Semicond. Sci. Technol. 1, 29 (1986).
26. S. L. Wong, R. J. Nicholas, C. G. Cureton, J. M. Jowett, and E. J. Thrush, Semicond. Sci. Technol. 7, 493 (1992).
27. Landolt-Bornstein, Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology, Group III 17a, edited by O. Madelung (Springer, Berlin, 1982).
28. T. Fujii, M. Sugawara, S. Yamazaki, and K. Nakajima, J. Cryst. Growth 105, 348 (1990).
29. J. Camassel, S. Juillaguet, R. Schwedler, K. Wolter, F. H. Baumann, K. Leo, and J. P. Laurenti, J. de Physique 5, 99 (1993).
30. A. Mircea, A. Ougazzaden, G. Primot, and C. Kazmierski, J. Cryst. Growth 124, 737 (1992).
31. R. E. Pritchard, J. S. Rimmer, B. Hamilton, J. Thompson, N. Carr, and A. Moseley (unpublished).