Effects of implanted nitrogen on the microstructural, optical, and magnetic properties of Mn-implanted GaN

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 152, Issue 8, 2005, Pages

  Baik, Jeong Min ^a   Jo, Hyung Kyun ^b   Kang, Tae Won ^c   Lee, Jong Lam ^a  

^a Pohang University of Science and Technology (POSTECH)   (South Korea)

^b Dong A University   (South Korea)

^c Dongguk University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; FERROMAGNETISM; GALLIUM NITRIDE; MICROSTRUCTURE; OPTICAL PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE;

CURIE TEMPERATURE; HIGH-RESOLUTION ELECTRON SPECTROSCOPY; IMPLANTED NITROGEN; LATTICE SITES;

NITROGEN;

EID: 25844517080     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1946528     Document Type: Article

References (26)

1. H. Ohno, Science, 281, 951 (1998).
2. S. A. Wolf, D. D. Awschalom, R. A. Buhrman, J. M. Daughton, S. von Molna, M. L. Roukes, A. Y. Chtchelkanova, and D. M. Treger, Science, 294, 1488 (2001).
3. H. Ohno, A. Shen, F. Matsukura, A. Oiwa, A. Endo, S. Katsumoto, and Y. Iye, Appl. Phys. Lett., 69, 363 (1996).
4. G. Thaler, R. Frazier, B. Gila, J. Stapleton, Mark Davidson, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett., 84, 1314 (2004).
5. S. J. Pearton, Y. D. Park, C. R. Abernathy, M. E. Overberg, G. T. Thaler, J. Kim, and F. Ren, J. Electron. Mater., 32, 288 (2003).
6. S. J. Pearton, C. R. Abernathy, D. P. Norton, A. F. Hebard, Y. D. Park, L. A. Boatner, and J. D. Budai, Mater. Sci. Eng., R., 40, 137 (2003).
7. T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, and D. Ferrand, Science, 287, 1019 (2000).
8. S. Sonoda, S. Shimizu, T. Sasaki, Y. Yamamoto, and H. Hori, J. Cryst. Growth, 237/239, Part 2, 1358 (2002).
9. D. O'Mahony, J. G. Lunney, G. Tobin, and E. McGlynn, Solid-State Electron., 47, 533 (2003).
10. M. L. Reed, N. A. El-Masry, H. H. Stadelmaier, M. K. Ritums, M. J. Reed, C. A. Parker, J. C. Roberts, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett., 79, 3473 (2001).
11. J. M. Baik and J.-L. Lee, Met. Mater. Int., 10, 555 (2004).
12. Y. Shon, Y. H. Kwon, Sh. U. Yuldashev, J. H. Leem, C. S. Park, D. J. Fu, H. J. Kim, and T. W. Rang, Appl. Phys. Lett., 81, 1845 (2002).
13. A. F. Hebard, R. P. Rairigh, J. G. Kelly, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, S. N. G. Chu, and R. G. Wilson, J. Phys. D, 37, 511 (2004).
14. J. M. Baik, J. K. Kim, H. W. Jang, and J.-L. Lee, Appl. Phys. Lett., 82, 583 (2003).
15. Zajic, R. Doradzinski, J. Gosk, J. Szczytko, M. Lefeld-Sosnowska, M. Kaminska, M. Palczewska, E. Grzanka, and W. Gebicki, Appl. Phys. Lett., 78, 1276 (2001).
16. S. J. Pearton, C. R. Abernathy, G. T. Thaler, R. M. Frazier, D. P. Norton, F. Ren, Y. D. Park, J. M. Zavada, I. A. Buyanova, W. M. Chen, and A. F. Hebard, J. Phys.: Condens. Matter, 16, R209 (2004).
17. M. E. Overberg, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, N. A. Theodoropoulou, K. T. McCarthy, and A. F. Hebard, Appl. Phys. Lett., 79, 1312 (2001).
18. M. B. Haider, C. I Constantin, H. Al-Brithen, H. Yang, E. Trifan, D. Ingram, A. R. Smith, C. V. Kelly, and Y. Ijiri, J. Appl. Phys., 93, 5274 (2003).
19. T. Kozawa, T. Kachi, H. Kano, H. Nagase, N. Koide, and K. Manabe, J. Appl. Phys., 77, 4389 (1995).
20. S.-C. Y. Tsen, D. J. Smith, K. T. Tsen, W. Kim, and H. Morkoc, J. Appl. Phys., 82, 6008 (1997).
21. Y. L. Soo, G. Kioseoglou, S. Kim, S. Huang, Y. H. Kao, S. Kuwabara, S. Owa, T. Kondo, and H. Munekata, Appl. Phys. Lett., 79, 3926 (2001).
22. L. S. Wang, W. K. Fong, C. Surya, K. W. Cheah, W. H. Zheng, and Z. G. Wang, Solid-State Electron., 45, 1153 (2001).
23. U. Kaufmann, M. Kunzer, M. Maier, H. Obloh, A. Ramakrishnan, B. Santic, and P. Sholotter, Appl. Phys. Lett., 72, 1326 (1998).
24. J. M. Baik, S. U. Kim, Y. M. Koo, T. W. Kang, and J.-L. Lee, Electrochem. Solid-State Lett., 7, G313 (2004).
25. H. Yang, H. Al-Brithen, E. Trifan, D. C. Ingram, and A. R. Smith, J. Appl. Phys., 91, 1053 (2002).
26. M. N. Eddine and E. F. Bertaut, Solid State Commun., 23, 147 (1977).