Ferroelectric-like hysteresis loop in nonferroelectric systems

Applied Physics Letters

Volumn 87, Issue 11, 2005, Pages

  Pintilie, L ^a   Alexe, M ^a  

^a MAX PLANCK INSTITUTE OF MICROSTRUCTURE PHYSICS   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

HYSTERESIS LOOP; LOW-DIMENSIONAL STRUCTURES; SCHOTTKY CONTACTS;

ELECTRIC CONTACTS; ELECTROCHEMICAL ELECTRODES; ELECTRON TRAPS; HYSTERESIS; NANOSTRUCTURED MATERIALS;

FERROELECTRICITY;

EID: 24944536754     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2045543     Document Type: Article

References (23)

1. J. F. M. Cillessen, M. W. J. Prins, and R. M. Wolf, J. Appl. Phys. 81, 2777 (1997).
2. J. F. Scott, Ferroelectr. Rev. 1, 1 (1998).
3. L. Pintilie, M. Lisca, and M. Alexe, Appl. Phys. Lett. 86, 192902 (2005).
4. B. C. Qu, M. Evstigneev, D. J. Johnson, and R. H. Prince, Appl. Phys. Lett. 72, 1394 (1998).
5. C. S. Hwang, B. T. Lee, C. S. Kang, J. W. Kim, K. H. Lee, H.-J. Cho, H. Horii, W. D. Kim, S. I. Lee, B. Roh, and M. Y. Lee, J. Appl. Phys. 83, 3703 (1998).
6. K. Szot, W. Speier, S. Cramm, J. Herion, Ch. Freiburg, R. Waser, M. Pavelczyk, and W. Eberhardt, J. Phys. Chem. Solids 57, 1765 (1996).
7. T. Tsurumi, T. Harigai, D. Tanaka, S. M. Nam, H. Kakemoto, S. Wada, and K. Saito, Appl. Phys. Lett. 85, 5016 (2004).
8. V. Nagarajan, I. G. Jenkins, S. P. Alpay, H. Li, S. Aggarwal, L. Salamanca-Riba, A. L. Roytburd, and R. Ramesh, J. Appl. Phys. 86, 595 (1999).
9. K. Fujimoto and Y. Cho, Appl. Phys. Lett. 83, 5265 (2003).
10. H. Morioka, S. Yokoyama, T. Oikawa, and H. Funakubo, Appl. Phys. Lett. 85, 3516 (2004).
11. C. Alemany, R. Jimenez, J. Revilla, J. Mendiola, and M. L. Calzada, J. Phys. D 32, L79 (1999).
12. J. Robertson and P. W. Peacock, Thin Solid Films 445, 155 (2003).
13. J. Robertson, Appl. Surf. Sci. 190, 2 (2002).
14. M. W. Chu, I. Szafraniak, R. Scholz, C. Harnagea, D. Hesse, M. Alexe, and U. Gösele, Nat. Mater. 3, 87 (2004).
15. A. K. Tagantsev and I. A. Stolichnov, Appl. Phys. Lett. 74, 1326 (1999).
16. S. Tiedke, T. Schmitz, K. Prume, A. Roelofs, T. Schneller, U. Kall, R. Waser, G. S. Ganpule, V. Nagarajan, A. Stanishevsky, and R. Ramesh, Appl. Phys. Lett. 79, 3678 (2001).
17. D. K. Schroeder, Semiconductor Material and Device Characterization (Wiley-Interscience, New York, 1998).
18. J. F. Scott, Ferroelectric Memories, in Advanced Microelectronics Series, edited by, K. Itoh, and, T. Sakurai, (Springer, Berlin, 2000).
19. P. F. Baude, C. Ye, and D. L. Polla, Appl. Phys. Lett. 64, 2670 (1994).
20. I. Pintilie, L. Pintilie, K. Irmscher, and B. Thomas, Appl. Phys. Lett. 81, 4841 (2002).
21. Y. W. So, D. J. Kim, T. W. Noh, J. G. Yoon, and T. K. Song, Appl. Phys. Lett. 86, 092905 (2005).
22. J. Yin and W. Cao, Appl. Phys. Lett. 80, 1043 (2002).
23. S. M. Nam, Y. B. Kil, S. Wada, and T. Tsurumi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 42, L1519 (2003).