Wet thermal oxidation of AlAsSb alloys lattice matched to GaSb

Journal of Applied Physics

Volumn 95, Issue 9, 2004, Pages 5131-5136

  Meneou, K ^a   Lin, H C ^a   Cheng, K Y ^a   Kim, J G ^b   Martinelli, R U ^b  

^a UNIVERSITY OF ILLINOIS AT URBANA CHAMPAIGN   (United States)

^b SARNOFF CORPORATION   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRITICAL OXIDATION TIMES; DEIONIZED WATER; OXIDATION KINETICS;

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; BIPOLAR TRANSISTORS; DIFFUSION; MORPHOLOGY; OXIDATION; REACTION KINETICS; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SUBSTRATES; THIN FILMS; THRESHOLD VOLTAGE;

ALUMINUM ALLOYS;

EID: 2442575945     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1687976     Document Type: Article

References (17)

1. J. M. Dallesasse, N. Holonyak, Jr., A. R. Sugg, T. A. Richard, and N. El-Zein, Appl. Phys. Lett. 57, 2844 (1990).
2. A. Massengale, M. C. Larson, C. Dai, and J. S. Harris, Jr., Electron. Lett. 32, 399 (1996).
3. G. W. Pickrell, C. F. Xu, K. L. Chang, K. C. Hsieh, and K. Y. Cheng, J. Appl. Phys. 93, 5429 (2003).
4. K. D. Choquette, R. P. Schneider, M. Crawford Hagerott, K. M. Geib, and J. J. Figiel, Electron. Lett. 31, 1145 (1995).
5. O. Blum, K. M. Geib, M. J. Hafich, J. F. Klem, and C. I. H. Ashby, Appl. Phys. Lett. 68, 3129 (1996).
6. M. H. M. Reddy, D. A. Buell, A. S. Huntington, T. Asano, R. Koda, D. Feezell, D. Lofgreen, and L. A. Coldren, Appl. Phys. Lett. 82, 1329 (2003).
7. P. Chavarkar, U. K. Mishra, S. K. Mathis, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 76, 1291 (2000).
8. O. Blum, M. J. Haflch, J. F. Klem, K. Baucom, and A. Allerman, Electron. Lett. 33, 1097 (1997).
9. S. K. Mathis, K. H. A. Lau, A. M. Andrews, and E. M. Hall, J. Appl. Phys. 89, 2458 (2001).
10. A. M. Andrews and J. S. Speck, in Proceedings of 2002 International Conference on Molecular Beam Epitaxy (IEEE, Piscataway, N.J., 2002), pp. 181-182.
11. A. Salesse, R. Hanfoug, Y. Rouillard, F. Genty, G. Almuneau, L. Chusseau, A. Baranov, C. Alibert, J. Kieffer, E. Lebeau, and J. M. Luck, Appl. Surf. Sci. 161, 426 (2000).
12. P. Legay, P. Petit, G. Le Roux, A. Kohl, I. F. L. Dias, M. Juhel, and M. Quillec, J. Appl. Phys. 81, 7600 (1997).
13. M. Ochiai, O. E. Giudice, H. Terakin, J. W. Scott, and T. M. Cockerill, Appl. Phys. Lett. 68, 1898 (1996).
14. K. D. Choquette, K. M. Geib, H. C. Chui, H. Q. Hou, and R. Hull, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 421, 53 (1996).
15. A. J. Rosenberg, A. A. Menna, and T. P. Tumbull, J. Electrochem. Soc. 107, 196 (1960).
16. T. Shibata, J. Nakata, Y. Nanishi, and M. Fujimoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 1767 (1994).
17. Chin-An Chang, H. Takaoka, L. L. Chang, and L. Esaki, Appl. Phys. Lett. 40, 983 (1982).