Effect of Sb composition on lateral oxidation rates in AlAs1-xSbx

Applied Physics Letters

Volumn 76, Issue 10, 2000, Pages 1291-1293

  Chavarkar, P ^a   Mishra, U K ^a   Mathis, S K ^a   Speck, J S ^a  

^a University of California   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0043262826     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.126012     Document Type: Article

References (13)

1. J. M. Dallesasse, N. Holonyak, Jr., A. R. Sugg, T. A. Richard, and N. El-Zein, Appl. Phys. Lett. 57, 2844 (1990).
2. P. A. Parikh, P. M. Chavarkar, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 18, 111 (1997).
3. A. Massengale, M. C. Larson, C. Dai, and J. S. Harris, Jr., Electron. Lett. 32, 399 (1996).
4. M. Ochiai, G. E. Giudice, H. Temkin, J. W. Scott, and T. M. Cockerill, Appl. Phys. Lett. 68, 1898 (1996).
5. F. A. Kish, S. A. Maranowski, G. E. Hofler, N. Holonyak, Jr., S. J. Caracci, J. M. Dallesasse, and K. C. Hsieh, Appl. Phys. Lett. 60, 3165 (1992).
6. R. L. Naone and L. A. Coldren, J. Appl. Phys. 82, 2277 (1997).
7. O. Blum, C. I. H. Ashby, and H. Q. Hou, Appl. Phys. Lett. 70, 2870 (1997).
8. O. Blum, K. M. Geib, M. J. Hafich, J. F. Klem, and C. I. H. Ashby, Appl. Phys. Lett. 68, 3129 (1996).
9. P. Legay, P. Petit, G. L. Roux, A. Kohl, I. F. L. Dias, M. Juhel, and M. Quillec, J. Appl. Phys. 81, 7600 (1997).
10. O. Blum, M. J. Hafich, J. F. Klem, K. Baucom, and A. Allerman, Electron. Lett. 33, 1097 (1997).
11. B. E. Deal and A. S. Grove, J. Appl. Phys. 36, 3770 (1965).
12. C. I. H. Ashby, M. M. Bridges, A. A. Allerman, B. E. Hammons, and H. Q. Hou, Appl. Phys. Lett. 75, 73 (1999).
13. H. Reese, Y. J. Chiu, and E. Hu, Appl. Phys. Lett. 73, 2624 (1998).