Atomistic study of GaN surface grown on Si(111)

Applied Physics Letters

Volumn 87, Issue 3, 2005, Pages

  Wang, Z T ^a,b   Yamada Takamura, Y ^a   Fujikawa, Y ^a   Sakurai, T ^a   Xue, Q K ^b  

^a TOHOKU UNIVERSITY   (Japan)

^b INSTITUTE OF PHYSICS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

GAN FILMS; RADIO FREQUENCY; SURFACE RECONSTRUCTIONS;

DEPOSITION; GALLIUM COMPOUNDS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; OPTIMIZATION; PLASMAS; REFLECTION HIGH ENERGY ELECTRON DIFFRACTION; SCANNING TUNNELING MICROSCOPY;

SILICON;

EID: 24144499183     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2000332     Document Type: Article

References (25)

1. S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 30, L1705 (1991).
2. T. D. Moustakas, T. Lei, and R. J. Molnar, Physica B 185, 36 (1993).
3. T. Sasaki and T. Matsuoka, J. Appl. Phys. 64, 4531 (1988).
4. H. Okumura, S. Misawa, and S. Yoshida, Appl. Phys. Lett. 59, 1058 (1991).
5. T. Takeuchi, H. Amano, K. Hiramatsu, N. Sawaki, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth 115, 634 (1991).
6. A. Watanabe, T. Takeuchi, K. Hirosawa, H. Amano, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth 128, 391 (1993).
7. A. M. Sanchez, P. Ruterana, S. I. Molina, F. J. Pacheco, and R. Garcia, Phys. Status Solidi B 234, 935 (2002).
8. D. Wang, Y. Hiroyama, M. Tamura, M. Ichikawa, and S. Yoshida, Appl. Phys. Lett. 76, 1683 (2000).
9. J. W. Yang, C. J. Sun, Q. Chen, M. Z. Anwar, M. Asif Khan, S. A. Nikishin, G. A. Seryogin, A. V. Osinsky, L. Chernyak, H. Temkin, C. Hu, and S. Mahajan, Appl. Phys. Lett. 69, 3566 (1996).
10. J. Tolle, R. Roucka, I. S. T. Tsong, C. Ritter, P. A. Crozier, A. V. G. Chizmeshya, and J. Kouvetakis, Appl. Phys. Lett. 82, 2398 (2003).
11. Y. Nakada, I. Aksenov, and H. Okumura, Appl. Phys. Lett. 73, 827 (1998).
12. E. S. Hellman, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 11 (1998).
13. G. Mula, C. Adelmann, S. Moehl, J. Oullier, and B. Daudin, Phys. Rev. B 64, 195406 (2001);
14. N. Gogneau, E. Sarigiannidou, E. Monroy, S. Monnoye, H. Mank, and B. Daudin, Appl. Phys. Lett. 85, 1421 (2004).
15. E. Monroy, E. Sarigiannidou, F. Fossard, N. Gogneau, E. Bellet-Amalric, J.-L. Rouvìre, S. Monnoye, H. Mank, and B. Daudin, Appl. Phys. Lett. 84, 3684 (2004).
16. E. J. Tarsa, B. Heying, X. H. Wu, P. Fini, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 82, 5472 (1997).
17. A. R. Smith, R. M. Feenstra, D. W. Greve, J. Neugebauer, and J. E. Northrup, Phys. Rev. Lett. 79, 3934 (1997);
18. A. R. Smith, R. M. Feenstra, D. W. Greve, J. Neugebauer, and J. E. Northrup, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. A66, S947 (1998).
19. A. R. Smith, R. M. Feenstra, D. W. Greve, M.-S. Shin, M. Skowronski, J. Neugebauer, and J. E. Northrup, Appl. Phys. Lett. 72, 2114 (1998).
20. A. R. Smith, R. M. Feenstra, D. W. Greve, M. S. Shin, M. Skowronski, J. Neugebauer, and J. E. Northrup, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2242 (1998).
21. Q. Z. Xue, Q. K. Xue, R. Z. Bakhtizin, Y. Hasegawa, I. S. T. Tsong, T. Sakurai, and T. Ohno, Phys. Rev. B 59, 12604 (1999).
22. L. T. Romano, J. E. Northrup, and M. A. O'Keefe, Appl. Phys. Lett. 69, 2394 (1996).
23. L. T. Romano and T. H. Myers, Appl. Phys. Lett. 71, 3486 (1997).
24. E. C. Piquette, P. M. Bridger, Z. Z. Bandic, and T. C. McGill, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 1241 (1999).
25. L. T. Romano, B. S. Krusor, R. Singh, and T. D. Moustakas, J. Electron. Mater. 26, 285 (1997).