Tunable uniaxial vs biaxial in-plane strain using compliant substrates

Applied Physics Letters

Volumn 87, Issue 6, 2005, Pages

  Yin, Haizhou ^a,d   Peterson, R L ^a   Hobart, K D ^b   Shieh, S R ^c   Duffy, T S ^c   Sturm, J C ^a  

^a Princeton University   (United States)

^b NAVAL RESEARCH LABORATORY   (United States)

^c PRINCETON UNIVERSITY   (United States)

^d IBM RESEARCH   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BIAXIAL IN-PLANE STRAIN; IN-PLANE DIRECTION; UNIAXIAL IN-PLANE STRAIN; WAFER BONDING;

BOROSILICATE GLASS; SEMICONDUCTING FILMS; SILICON ALLOYS; SILICON WAFERS; SINGLE CRYSTALS; VISCOSITY;

THIN FILMS;

EID: 23944522829     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2006215     Document Type: Article

References (18)

1. J. Welser, J. Hoyt, S. Takagi, and J. Gibbons, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 1994, 373 (1994).
2. M. L. Lee, C. W. Leitz, Z. Cheng, A. J. Pitera, T. Langdo, M. T. Currie, G. Taraschi, E. A. Fitzgerald, and D. A. Antoniadis, Appl. Phys. Lett. 79, 3344 (2001).
3. B. M. Haugerud, L. A. Bosworth, and R. E. Belford, J. Appl. Phys. 94, 4102 (2003).
4. T. Ghani, M. Armstrong, C. Auth, M. Bost, P. Charvat, G. Glass, T. Hoffmann, K. Johnson, C. Kenyon, J. Klaus, B. McIntyre, K. Mistry, A. Murthy, J. Sandford, M. Silberstein, S. Sivakumar, P. Smith, K. Zawadzki, S. Thompson, and M. Bohr, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2003, 8 (2003).
5. E. A. Fitzgerald, Y.-H. Xie, M. L. Green, D. Brasen, A. R. Kortan, J. Michel, Y.-J. Mii, and B. E. Weir, Appl. Phys. Lett. 59, 811 (1991).
6. K. D. Hobart, F. J. Kub, M. Fatemi, M. E. Twigg, P. E. Thompson, T. S. Kuan, and C. K. Inoki, J. Electron. Mater. 29, 897 (2000).
7. H. Yin, K. D. Hobart, F. J. Kub, S. R. Shieh, T. S. Duffy, and J. C. Sturm, Appl. Phys. Lett. 82, 3853 (2003).
8. H. Yin, R. Huang, K. D. Hobart, J. Liang, Z. Suo, S. R. Shieh, T. S. Duffy, F. J. Kub, and J. C. Sturm, J. Appl. Phys. 94, 6875 (2003).
9. H. Yin, R. Huang, K. D. Hobart, Z. Suo, T. S. Kuan, C. K. Inoki, S. R. Shieh, T. S. Duffy, F. J. Kub, and J. C. Sturm, J. Appl. Phys. 91, 9716 (2002).
10. R. Huang, H. Yin, J. Liang, K. D. Hobart, J. C. Sturm, and Z. Suo, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 695, 115 (2001).
11. I. De Wolf, J. Raman Spectrosc. 30, 877 (1999).
12. S. C. Jain, B. Dietrich, H. Richter, A. Atkinson, and A. H. Harker, Phys. Rev. B 52, 6247 (1995).
13. M. Neuberger, Group IV Semiconducting Materials (IFIPlenum, New York, 1971).
14. L. B. Freund and S. Suresh, Thin Film Materials (Cambridge University Press, Cambridge, 2004).
15. P. D. Moran and T. F. Kuech, J. Electron. Mater. 30, 802 (2001).
16. H. Yin, K. D. Hobart, R. L. Peterson, F. J. Kub, S. R. Shieh, T. S. Duffy, and J. C. Sturm, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2003, 53 (2003).
17. H. Yin, K. D. Hobart, R. L. Peterson, F. J. Kub, S. R. Shieh, T. S. Duffy, and J. C. Sturm, IEEE Trans. Electron. Device (submitted).
18. A. Savitzky and M. J. E. Golay, Anal. Chem. 36, 1627 (1964).