Strain partition of Si/SiGe and SiO2/SiGe on compliant substrates

Applied Physics Letters

Volumn 82, Issue 22, 2003, Pages 3853-3855

  Yin, H ^a   Hobart, K D ^b   Kub, F J ^b   Shieh, S R ^c   Duffy, T S ^c   Sturm, J C ^a  

^a Princeton University   (United States)

^b NAVAL RESEARCH LABORATORY   (United States)

^c PRINCETON UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMORPHOUS MATERIALS; ANNEALING; CRYSTALLINE MATERIALS; DEPOSITION; DISLOCATIONS (CRYSTALS); GLASS; INTERFACES (MATERIALS); STRAIN;

STRAIN PARTITIONING;

SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS;

EID: 0037970124     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1578168     Document Type: Article

References (21)

1. Y. H. Lo, Appl. Phys. Lett. 59, 2311 (1991).
2. A. R. Powell, S. S. Lyer, and F. K. LeGoues, Appl. Phys. Lett. 64, 1856 (1994).
3. Z. Yang, F. Guarin, I. W. Tao, W. I. Wang, and S. S. Lyer, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 789 (1995).
4. D. M. Follstaedt, S. M. Jyers, and S. R. Lee, Appl. Phys. Lett. 69, 2059 (1996).
5. F. E. Ejeckam, Y. H. Lo, S. Subramanian, H. Q. Hou, and B. E. Hammons, Appl. Phys. Lett. 71, 776 (1997).
6. S. I. Romanov, V. I. Mashanov, L. V. Sokolov, A. Gutakovskii, and O. P. Pchelyakov. Appl. Phys. Lett. 75, 4118 (1999).
7. S. Mantl, B. Hollaender, R. Liedtke, S. Mesters, H. J. Herzog, H. Kibbel, and T. Hackbarth, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 147, 29 (1999).
8. P. D. Moran, D. M. Hansen, R. J. Matyi, J. G. Cederberg, L. J. Mawst, and T. F. Kuech, Appl. Phys. Lett. 75, 1559 (1999).
9. F. Y. Huang, M. A. Chu, M. O. Tanner, K. L. Wang, G. D. U'Ren, and M. S. Goorsky, Appl. Phys. Lett. 76, 2680 (2000).
10. Y. H. Luo, J. Wan, R. L. Forrest, J. L. Liu, M. S. Goorsky, and K. L. Wang, J. Appl. Phys. 89, 8279 (2001).
11. D. Teng and Y. H. Lo, Appl. Phys. Lett. 62, 43 (1993).
12. L. B. Freund and W. D. Nix, Appl. Phys. Lett. 69, 173 (1996).
13. C. Carter-Coman, R. Bicknell-Tassius, A. S. Brown, and N. M. Joerst, Appl. Phys. Lett. 71, 1344 (1997).
14. D. Zubia, S. D. Hersee, and T. Khraishi, Appl. Phys. Lett. 80, 740 (2002).
15. P. D. Moran, D. M. Hansen, R. J. Matyi, L. J. Mawst, and T. F. Kuech, Appl. Phys. Lett. 76, 2541 (2000).
16. C. W. Pei, B. Turk, W. I. Wang, and T. S. Kuan, J. Appl. Phys. 90, 5959 (2001).
17. G. Kastner and U. Gösele, J. Appl. Phys. 88, 4048 (2000).
18. K. D. Hobart, F. J. Kub, M. Fatemi, M. E. Twigg, P. E. Thompson, T. S. Kuan, and C. K. Inoki, J. Electron. Mater. 29, 897 (2000).
19. H. Yin, R. Huang, K. D. Hobart, Z. Suo, T. S. Kuan, C. K. Inoki, S. R. Shieh, T. S. Duffy, F. J. Kub, and J. C. Sturm. J. Appl. Phys. 91, 9716 (2002).
20. K. Nassau, R. A. Levy, and D. L. Chadwick, J. Electrochem. Soc. 132, 209 (1985).
21. M. Newberger, Handbook of Electronic Materials, Group IV Semiconducting Materials Vol. 5 (IFI/Plenum, New York, 1971).