Optical properties and carrier dynamics of two-dimensional electrons in AlGaNGaN single heterostructures

Applied Physics Letters

Volumn 87, Issue 4, 2005, Pages

  Kwack, Ho Sang ^a   Cho, Yong Hoon ^a   Kim, G H ^b   Park, M R ^c   Youn, D H ^c   Bae, S B ^c   Lee, K S ^c   Lee, Jae Hoon ^d   Lee, Jung Hee ^d   Kim, T W ^e   Kang, T W ^f   Wang, Kang L ^g  

^a Chungbuk National University   (South Korea)

^b Sungkyunkwan University   (South Korea)

^c Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI)   (South Korea)

^d Kyungpook National University   (South Korea)

^e Hanyang University   (South Korea)

^f Dongguk University   (South Korea)

^g UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARRIER GENERATION; DOPANT ELECTRONS; REACTOR PRESSURE; TWO-DIMENSIONAL ELECTRON GAS;

ELECTRON GAS; OSCILLATIONS; PHOTOLUMINESCENCE; REACTIVE ION ETCHING; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; SPECTROSCOPIC ANALYSIS;

HETEROJUNCTIONS;

EID: 23744449865     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2000334     Document Type: Article

References (15)

1. R. Gaska, J. W. Yang, A. D. Bykhovski, M. S. Shur, V. V. Kaminski, and S. M. Soloviov, Appl. Phys. Lett. 72, 64 (1997).
2. P. M. Asbeck, E. T. Yu, S. S. Lau, G. J. Sullivan, J. Van. Hove, and J. Redwing, Electron. Lett. 33, 1230 (1997).
3. F. Bernardini, V. Firentini, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 56, R10024 (1997).
4. J. P. Bergman, T. Lundstron, B. Monemar, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 69, 3456 (1996).
5. H. K. Kwon, C. J. Eiting, D. J. H. Lambert, B. S. Shelton, M. M. Wong, T. G. Zhu, and R. D. Dupuis, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.125150 75, 2788 (1999); H. K. Kwon, C. J. Eiting, D. J. H. Lambert, B. S. Shelton, M. M. Wong, T. G. Zhu, and R. D. Dupuis, J. Appl. Phys. 90, 1817 (2001).
6. H. K. Kwon, C. J. Eiting, D. J. H. Lambert, B. S. Shelton, M. M. Wong, T. G. Zhu, and R. D. Dupuis, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.125150 75, 2788 (1999); H. K. Kwon, C. J. Eiting, D. J. H. Lambert, B. S. Shelton, M. M. Wong, T. G. Zhu, and R. D. Dupuis, J. Appl. Phys. 90, 1817 (2001).
7. B. Shen, T. Someya, O. Moriwaki, and Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett. 76, 679 (2000).
8. K. B. Nam, J. Li, M. L. Nakarmi, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 81, 1809 (2002).
9. J. H. Lee J. H. Kim, S. B. Bae, K. S. Lee, J. S. Lee, J. W. Kim, S. H. Hahm, and J. H. Lee, Phys. Stat. Sol. (c) 0, 240 (2002).
10. T. Wang, Y. Ohno, M. Lachab, D. Nakagawa, T. Shirahama, S. Sakai, and H. Ohno, Appl. Phys. Lett. 74, 3531 (1999).
11. T. W. Kim, D. C. Choo, K. H. Yoo, M. H. Jung, Y. H. Cho, J. H. Lee and J. H. Lee, J. Appl. Phys. 97, 103721 (2005).
12. L. W. Wong, S. J. Cai, R. Li, K. L. Wang, H. W. Jiang, and M. Chen, Appl. Phys. Lett. 73, 1391 (1998).
13. V. A. Joshikin, C. A. Parker, S. M. Bedair, J. F. Muth, I. K. Shmagin, R. M. Kolbas, E. L. Piner, and R. J. Molnar, J. Appl. Phys. 86, 281 (1999).
14. D. Kovalev, B. Averboukh, D. Volm, and B. K. Meyer, Phys. Rev. B 54, 2518 (1996).
15. Y. H. Cho, G. H. Gainer, J. B. Lam, J. J. Song, W. Yang, and W. Jhe, Phys. Rev. B 61, 7203 (2000).