Low-resistance tunnel junctions on GaAs substrates using GaInNAs

Applied Physics Letters

Volumn 84, Issue 14, 2004, Pages 2560-2562

  Mars, D E ^a   Chang, Y L ^a   Leary, M H ^a   Roh, S D ^a   Chamberlin, D R ^a  

^a AGILENT TECHNOLOGIES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DONOR CONCENTRATION; FERMI FUNCTION; LATTICE MATCH; VOLTAGE DROP;

APPROXIMATION THEORY; CARRIER CONCENTRATION; CHARGE CARRIERS; CRYSTAL LATTICES; CURRENT DENSITY; DIFFUSION; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRIC RESISTANCE; ENERGY GAP; FERMI LEVEL; MOLECULAR BEAM EPITAXY; PHOTOLITHOGRAPHY; PROBABILITY; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTOR DOPING; SEMICONDUCTOR GROWTH;

TUNNEL JUNCTIONS;

EID: 2342567004     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1691193     Document Type: Article

References (20)

1. S. Sato, N. Nishiyama, T. Miyamoto, T. Takahashi, N. Jikutani, M. Arai, A. Matsutani, F. Koyama, and N. Iga, Electron. Lett. 36, 2018 (2001).
2. G. Steinle, A. Y. Egorov, and H. Riechert, Electron. Lett. 37, 93 (2001).
3. K. D. Choquette, J. F. Klem, A. J. Fischer, O. Blum, A. A. Allerman, I. J. Fritz, S. R. Kurtz, W. G. Breiland, R. Sieg, K. M. Geib, J. W. Scott, and R. L. Naone, Electron. Lett. 36, 1388 (2000).
4. A. W. Jackson, R. L. Naone, J. J. Dalberth, J. M. Smith, K. J. Malone, D. W. Kisker, J. F. Klem, K. D. Choquette, D. K. Serkland, and K. M. Geib, Electron. Lett. 37, 355 (2001).
5. T. Takeuchi, Y.-L. Chang, M. Leary, D. Mars, A. Tandon, R. Twist, S. Belov, D. Bour, M. Tan, D. Roh, Y.-K. Song, L. Mantese, and H.-C. Luan, International Workshop on GaAs Based Lasers for the 1.3-1.5 μm Wavelength Range, Wroclaw, Poland, 24-26, April, 2003.
6. M. Kondow and T. Kitatani, IEE Proc.-J: Optoelectron. 150, 9 (2003).
7. I.-H. Tan, G. L. Snider, L. D. Chang, and E. L. Hu, J. Appl. Phys. 68, 4071 (1990).
8. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1969), p. 161.
9. W. E. Hoke, D. G. Weir, P. J. Lemonias, and H. T. Hendriks, Appl. Phys. Lett. 64, 202 (1994).
10. W. Shan, W. Walukiewicz, J. W. Ager III, E. E. Haller, J. F. Geisz, D. J. Friedman, J. M. Olson, and S. R. Kurtz, Phys. Rev. Lett. 82, 1221 (1999).
11. K. M. Yu, W. Walukiewicz, J. Wu, D. E. Mars, D. R. Chamberlin, M. A. Scarpulla, O. D. Dubon, and J. F. Geisz, Nat. Mater. 3, 185 (2002).
12. I. Vurgaftman, J. R. Meyer, and L. R. Ram-Mohan, J. Appl. Phys. 89, 5815 (2001).
13. K. M. Yu, W. Walukiewicz, W. Shan, J. W. Ager III, J. Wu, E. E. Haller, J. F. Geisz, D. J. Friedman, and J. M. Olson, Phys. Rev. B 61, R13337 (2000).
14. M. Ogawa and T. Baba, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 24, L572 (1985).
15. W. K. Liu, D. I. Lubyshev, P. Specht, R. Zhao, E. R. Weber, J. Bebauer, A. J. SpringThorpe, and R. W. Streater, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1594 (2000).
16. G. C. DeSalvo, J. Appl. Phys. 74, 4207 (1993).
17. F. W. Ragay, M. R. Leys, and J. H. Wolter, Electron. Lett. 30, 86 (1994).
18. S. Ahmed, M. R. Melloch, E. S. Harmon, D. T. McInturff, and J. M. Woodall, Appl. Phys. Lett. 71, 3667 (1997).
19. J. Ch. Garcia, E. Rosencher, Ph. Collot, N. Laurent, J. L. Guyaux, J. Nagle, and E. Chirlias, J. Cryst. Growth 201/202, 891 (1999).
20. K. M. Yu, W. Walukiewicz, W. Shan, J. W. Ager III, J. Wu, E. E. Haller, J. F. Geisz, D. J. Friedman, and J. M. Olson, Phys. Rev. B 61, 13337 (2000).