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Volumn 71, Issue 25, 1997, Pages 3667-3669

Use of nonstoichiometry to form GaAs tunnel junctions

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EID: 0037894602     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.120475     Document Type: Article
Times cited : (38)

References (19)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.