Epitaxial thin of on MgO Si using metalorganic molecular beam epitaxy

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 18, Issue 4, 2000, Pages 2146-2152

  Niu, F ^a   Hoerman, B H ^a   Wessels, B W ^a  

^a Northwestern University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 23044522676     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (32)

1. R. A. McKee, F. J. Walker, and M. F. Chisholm, Phys. Rev. Lett. 81, 3014 (1998).
2. J. Senzaki, K. Kurihara, N. Nomura, and O. Mitsnaga, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 5150 (1998).
3. K. J. Hubbard and D. G. Schlom, J. Mater. Res. 11, 2757 (1996).
4. J. M. Zeng, H. Wang, S. X. Shang, Z. Wang, and M. Wang, J. Cryst. Growth 169, 474 (1996).
5. J. Boo, S. Lee, K. Yu, W. Koh, and Y. Kim, Thin Solid Films 341, 63 (1999).
6. E. Fujii, A. Tomozawa, S. Fujii, H. Torii, M. Hattori, and R. Takayama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 6331 (1994).
7. P. Tiwari, S. Sharan, and J. Narayan, J. Appl. Phys. 69, 8358 (1991).
8. X. L. Guo, Z. G. Liu, X. Y. Chen, S. N. Zhu, S. B. Xiong, W. S. Hu, and C. Y. Lin, J. Phys. D 29, 1632 (1996).
9. D. K. Fork, F. A. Ponce, J. C. Tramontana, and T. H. Geballe, Appl. Phys. Lett. 58, 2294 (1991).
10. T. Ishiguro, Y. Hiroshima, and T. Inoue, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 3537 (1996).
11. S. Amirhaghi, A. Archer, B. Taguiang, R. McMinn, P. Barnes, S. Tarling, and I. W. Boyd, Appl. Surf. Sci. 54, 205 (1992).
12. A. Masuda, Y. Yamanaka, M. Tazoe, T. Nakamura, A. Morimoto, and T. Shimizu, J. Cryst. Growth 158, 84 (1996).
13. Y. Kaneko, N. Mikoshiba, and T. Yamashita, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 30, 1091 (1991).
14. H. Shimakage, A. Kawakami, and Z. Wang, IEEE Trans. Appl. Supercond. 9, 1645 (1999).
15. S. Fujii, A. Tomozawa, E. Fujii, H. Torii, R. Takayawa, and T. Hirao, Appl. Phys. Lett. 65, 1463 (1994).
16. S. Kim and S. Hishita, Thin Solid Films 281,282, 449 (1996).
17. M. Tonouchi, Y. Sakaguchi, and T. Kobayashi, J. Appl. Phys. 62, 961 (1987).
18. Y. Li, G. C. Xiong, G. J. Lian, J. Li, and Z. Z. Gan, Thin Solid Films 223, 11 (1993).
19. Y. Misaki and M. Mikawa, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 48 (1997).
20. F. J. Walker, R. A. McKee, S. J. Pennycook, and T. G. Thnndat, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 401, 13 (1996).
21. J. G. Yoon and K. Kim, Appl. Phys. Lett. 66, 2661 (1995).
22. X. R. Fu, G. M. Wu, S. G. Song, Z. T. Song, X. Z. Duo, and C. L. Lin, Appl. Surf. Sci. 148, 223 (1999).
23. J. P. Bade, E. A. Baker, A. I. Kingon, R. F. Davis, and J. Bachmanm, J. Vac. Sci. Technol. B 2, 327 (1990).
24. A. L. Kingon, K. Y. Hsieh, L. L. H. King, S. H. Rou, K. J. Bachmann, and R. F. Davis, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 200, 49 (1990).
25. D. J. Lichtenwalner and A. I. Kingon, Appl. Phys. Lett. 59, 3045 (1991).
26. S. Ikegawa and Y. Motoi, Thin Solid Films 281,282, 60 (1996).
27. K. Hayama, T. Togun, and M. Ishida, J. Cryst. Growth 179, 433 (1997).
28. F. Niu, B. H. Hoerman, and B. W. Wessels, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., Vol. 606, edited by A. C. Jones, J. Veteran, S. Kaushol, D. Mullin, and R. Cooper (to be published).
29. M. Diani, A. Mesli, L. Kubler, A. Claverie, J. L. Balladore, D. Aubel, S. Peyre, T. Heiser, and J. L. Bischoff, Mater. Sci. Eng., B 29, 110 (1995).
30. K. Kim, S. Choi, and K. L. Wang, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 930 (1992).
31. G. Ferro, Y. Monteil, H. Vincent, and V. Thevehot, J. Appl. Phys. 80, 4691 (1996).
32. JCPDS-ICDD, PCPDFWIN(2.0) database, Provided by Materials Data Inc. (1998).