Growth and morphology of Er-doped GaN on sapphire and hydride vapor phase epitaxy substrates

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 17, Issue 3, 1999, Pages 1195-1199

  Birkhahn, R ^a  

^a University of Cincinnati   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 22644449300     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.590722     Document Type: Article

References (25)

1. A. J. Neuhalfen and B. W. Wessels, Appl. Phys. Lett. 60, 2657 (1992).
2. W. J. Choyke, R. P. Devaty, L. L. Clemen, M. Yoganathan, G. Pensl, and Ch. Hassler, Appl. Phys. Lett. 65, 1668 (1994).
3. J. M. Zavada and D. Zhang, Solid-State Electron. 38, 1285 (1995).
4. J. D. MacKenzie, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, U. Hömmerich, X. Wu, R. N. Schwartz, R. G. Wilson, and J. M. Zavada, Appl. Phys. Lett. 69, 2083 (1996).
5. J. T. Torvik, R. J. Feuerstein, J. I. Pankove, C. H. Qiu, and F. Namavar, Appl. Phys. Lett. 69, 2098 (1996).
6. X. Wu, U. Hömmerich, J. D. MacKenzie, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, R. N. Schwartz, R. G. Wilson, and J. M. Zavada, Appl. Phys. Lett. 70, 2126 (1997).
7. S. Kim, S. J. Rhee, D. A. Turnbull, E. E. Reuter, X. Li, J. J. Coleman, and S. G. Bishop, Appl. Phys. Lett. 71, 231 (1997).
8. M. Thaik, U. Hömmerich, R. N. Schwartz, R. G. Wilson, and J. M. Zavada, Appl. Phys. Lett. 71, 2641 (1997).
9. S. Kim, S. J. Rhee, D. A. Turnbull, X. Li, J. J. Coleman, S. G. Bishop, and P. B. Klein, Appl. Phys. Lett. 71, 2662 (1997).
10. S. Kim, S. J. Rhee, D. A. Turnbull, X. Li, J. J. Coleman, and S. G. Bishop, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 468, 131 (1997).
11. J. T. Torvik, C.H. Qiu, R. J. Feuerstein, J. I. Pankove, and F. Namavar, J. Appl. Phys. 81, 6343 (1997).
12. J. D. MacKenzie, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, S. M. Donovan, U. Hömmerich, M. Thaik, X. Wu, F. Ren, R. G. Wilson, and J. M. Zavada, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 468, 123 (1997).
13. J. D. MacKenzie, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, U. Hömmerich, X. Wu, R. N. Schwartz, R. G. Wilson, and J. M. Zavada, J. Cryst. Growth 175/176, 84 (1997).
14. D. M. Hansen, R. Zhang, N. R. Perkins, S. Safvi, L. Zhang, K. L. Bray, and T. F. Keuch, Appl. Phys. Lett. 72, 1244 (1998).
15. A. J. Steckl and R. Birkhahn, Appl. Phys. Lett. 73, 1700 (1998).
16. R. Birkhahn and A. J. Steckl, Appl. Phys. Lett. 73, 2143 (1998).
17. A. J. Steckl, M. Garter, R. Birkhahn, and J. Scofield, Appl. Phys. Lett. 73, 2450 (1998).
18. M. Garter, J. Scofield, R. Birkhahn, and A. J. Steckl, Appl. Phys. Lett. 74, 182 (1999).
19. M. A. Sanchez-Garcia, E. Calleja, E. Monroy, F. J. Sanchez, F. Calle, E. Munoz, and R. Beresford, J. Cryst. Growth 183, 23 (1998).
20. F. A. Ponce, MRS Bull. 22, 51 (1998).
21. J. E. Colon, D. W. Elsaesser, Y. K. Yeo, R. L. Hengehold, and G. S. Pomrenke, Appl. Phys. Lett. 62, 216 (1993).
22. P. N. Favennec, H. L'Haridon, D. Moutonnet, M. Salvi, and M. Gauneau, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 29, 524 (1990).
23. P. N. Favennec, H. L'Haridon, D. Moutonnet, M. Salvi, and M. Gauneau, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 301, 181 (1993).
24. J. Michel, J. L. Benton, R. F. Ferrante, D. C. Jacobson, D. J. Eaglesham, E. A. Fitzgerald, Y. H. Xie, J. M. Poate, and L. C. Kimerling, J. Appl. Phys. 70, 2672 (1991).
25. B. Ya. Ber, Yu. A. Kudriavtsev, A. V. Merkulov, S. V. Novikov, D. E. Lacklison, J. W. Orton, T. S. Cheng, and C. T. Foxon, Semicond. Sci. Technol. 13, 71 (1998).