Green emission from Er-doped GaN grown by molecular beam epitaxy on Si substrates

Applied Physics Letters

Volumn 73, Issue 15, 1998, Pages 2143-2145

  Birkhahn, R ^a   Steckl, A J ^a  

^a University of Cincinnati   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0005134465     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.122404     Document Type: Article

References (10)

1. A. Barski, U. Rössner, J. L. Rouvière, and M. Arlery, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1 (1996).
2. T. Lei, M. Fanciulli, R. J. Molnar, T. D. Moustakas, R. J. Graham, and J. Scanlon, Appl. Phys. Lett. 59, 944-6 (1991).
3. T. D. Moustakas, T. Lei, and R. J. Molnar, Physica B 185, 36 (1993).
4. J. W. Yang, C. J. Sun, Q. Chen, M. Z. Anwar, M. A. Khan, S. A. Nikishim, G. A. Seryogin, A. V. Osinsky, L. Chernyak, H. Temkin, C. Hu, and S. Mahajan, Appl. Phys. Lett. 69, 3566 (1996).
5. J. D. MacKenzie, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, S. M. Donovan, U. Hömmerich, M. Thaik, X. Wu, F. Ren, R. G. Wilson, and J. M. Zavada, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 468, 123 (1997).
6. J. D. MacKenzie, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, U. Hömmerich, X. Wu, R. N. Schwartz, R. G. Wilson, and J. M. Zavada, J. Cryst. Growth 175/176, 84 (1997).
7. D. M. Hansen, R. Zhang, N. R. Perkins, S. Safvi, L. Zhang, K. L. Bray, and T. F. Keuch, Appl. Phys. Lett. 72, 1244 (1998).
8. J. D. MacKenzie, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, U. Hömmerich, J. T. Seo, R. G. Wilson, and J. M. Zavada, Appl. Phys. Lett. 72, 2710 (1998).
9. A. J. Steckl and R. Birkhahn, Appl. Phys. Lett. 73, 1700 (1998).
10. A. R. Zanatta and L. A. O. Nunes, Appl. Phys. Lett. 72, 3127 (1998).