Mechanism of stress relaxation in Ge nanocrystals embedded in Si O2

Applied Physics Letters

Volumn 86, Issue 6, 2005, Pages 1-3

  Sharp, I D ^a,b   Yi, D O ^a,b   Xu, Q ^a   Liao, C Y ^a   Beeman, J W ^a   Liliental Weber, Z ^a   Yu, K M ^a,b   Zakharov, D N ^a   Ager, J W ^a   Chrzan, D C ^a   Haller, E E ^a  

^a LAWRENCE BERKELEY NATIONAL LABORATORY   (United States)

^b UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTALS; GERMANIUM; RAMAN SCATTERING; SEMICONDUCTOR GROWTH; SILICON; STRESS RELAXATION;

AMORPHOUS SILICA MATRIX; COMPRESSIVE STRESSES; NANOCRYSTALS; STRESS REDUCTION;

NANOSTRUCTURED MATERIALS;

EID: 20844457937     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1856132     Document Type: Article

References (26)

1. M. E. Aumer, S. F. LeBoeuf, S. M. Bedair, M. Smith, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 77, 821 (2000).
2. B. S. Meyerson, Sci. Am. 270, 42 (1994).
3. Z. Gai, B. Wu, J. P. Pierce, G. A. Farnan, D. Shu, M. Wang, Z. Zhang, and J. Shen, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.89.235502 89, 235502 (2002); F. Liu, A. H. Li, and M. G. Lagally, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.87.126103 87, 126103 (2001); C. Priester and M. Lannoo, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.75.93 75, 93 (1995); M. Meixner, E. Schöll, V. A. Shchukin, and D. Bimberg, Phys. Rev. Lett. 87, 236101 (2001).
4. Z. Gai, B. Wu, J. P. Pierce, G. A. Farnan, D. Shu, M. Wang, Z. Zhang, and J. Shen, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.89.235502 89, 235502 (2002); F. Liu, A. H. Li, and M. G. Lagally, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.87.126103 87, 126103 (2001); C. Priester and M. Lannoo, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.75.93 75, 93 (1995); M. Meixner, E. Schöll, V. A. Shchukin, and D. Bimberg, Phys. Rev. Lett. 87, 236101 (2001).
5. Z. Gai, B. Wu, J. P. Pierce, G. A. Farnan, D. Shu, M. Wang, Z. Zhang, and J. Shen, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.89.235502 89, 235502 (2002); F. Liu, A. H. Li, and M. G. Lagally, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.87.126103 87, 126103 (2001); C. Priester and M. Lannoo, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.75.93 75, 93 (1995); M. Meixner, E. Schöll, V. A. Shchukin, and D. Bimberg, Phys. Rev. Lett. 87, 236101 (2001).
6. Z. Gai, B. Wu, J. P. Pierce, G. A. Farnan, D. Shu, M. Wang, Z. Zhang, and J. Shen, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.89.235502 89, 235502 (2002); F. Liu, A. H. Li, and M. G. Lagally, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.87.126103 87, 126103 (2001); C. Priester and M. Lannoo, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.75.93 75, 93 (1995); M. Meixner, E. Schöll, V. A. Shchukin, and D. Bimberg, Phys. Rev. Lett. 87, 236101 (2001).
7. V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, P. S. Kop'ev, and D. Bimberg, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.75.2968 75, 2968 (1995); V. A. Shchukin, D. Bimberg, T. P. Munt, and D. E. Jesson, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.90.076102 90, 076102 (2003); J. Tersoff, C. Teichert, and M. G. Lagally, Phys. Rev. Lett. 76, 1675 (1996).
8. V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, P. S. Kop'ev, and D. Bimberg, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.75.2968 75, 2968 (1995); V. A. Shchukin, D. Bimberg, T. P. Munt, and D. E. Jesson, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.90.076102 90, 076102 (2003); J. Tersoff, C. Teichert, and M. G. Lagally, Phys. Rev. Lett. 76, 1675 (1996).
9. V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, P. S. Kop'ev, and D. Bimberg, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.75.2968 75, 2968 (1995); V. A. Shchukin, D. Bimberg, T. P. Munt, and D. E. Jesson, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.90.076102 90, 076102 (2003); J. Tersoff, C. Teichert, and M. G. Lagally, Phys. Rev. Lett. 76, 1675 (1996).
10. Minoru Fujii, Shinji Hayashi, and Keiichi Yamamoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 0021-4922 30, 687 (1991); A. Cheung, G. de M. Azevedo, C. J. Glover, D. J. Llewellyn, R. G. Elliman, G. J. Foran, and M. C. Ridgeway, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1639136 84, 278 (2004); M. Dubiel, H. Hofmeister, E. Schurig, E. Wendler, and W. Wesch, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 0168-583X 166-167, 871 (2000); X. L. Wu, T. Gao, X. M. Bao, F. Yan, S. S. Jiang, and D. Feng, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.366089 82, 2704 (1997); W. K. Choi, V. Ng, S. P. Ng, H. H. Thio, Z. X. Shen, and W. S. Li, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.370901 86, 1398 (1999); U. Serincan, G. Kartopu, A. Guennes, T. G. Finstad, R. Turan, Y. Ekinci, and S. C. Bayliss, Semicond. Sci. Technol. 19, 247 (2004).
11. Minoru Fujii, Shinji Hayashi, and Keiichi Yamamoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 0021-4922 30, 687 (1991); A. Cheung, G. de M. Azevedo, C. J. Glover, D. J. Llewellyn, R. G. Elliman, G. J. Foran, and M. C. Ridgeway, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1639136 84, 278 (2004); M. Dubiel, H. Hofmeister, E. Schurig, E. Wendler, and W. Wesch, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 0168-583X 166-167, 871 (2000); X. L. Wu, T. Gao, X. M. Bao, F. Yan, S. S. Jiang, and D. Feng, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.366089 82, 2704 (1997); W. K. Choi, V. Ng, S. P. Ng, H. H. Thio, Z. X. Shen, and W. S. Li, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.370901 86, 1398 (1999); U. Serincan, G. Kartopu, A. Guennes, T. G. Finstad, R. Turan, Y. Ekinci, and S. C. Bayliss, Semicond. Sci. Technol. 19, 247 (2004).
12. Minoru Fujii, Shinji Hayashi, and Keiichi Yamamoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 0021-4922 30, 687 (1991); A. Cheung, G. de M. Azevedo, C. J. Glover, D. J. Llewellyn, R. G. Elliman, G. J. Foran, and M. C. Ridgeway, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1639136 84, 278 (2004); M. Dubiel, H. Hofmeister, E. Schurig, E. Wendler, and W. Wesch, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 0168-583X 166-167, 871 (2000); X. L. Wu, T. Gao, X. M. Bao, F. Yan, S. S. Jiang, and D. Feng, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.366089 82, 2704 (1997); W. K. Choi, V. Ng, S. P. Ng, H. H. Thio, Z. X. Shen, and W. S. Li, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.370901 86, 1398 (1999); U. Serincan, G. Kartopu, A. Guennes, T. G. Finstad, R. Turan, Y. Ekinci, and S. C. Bayliss, Semicond. Sci. Technol. 19, 247 (2004).
13. Minoru Fujii, Shinji Hayashi, and Keiichi Yamamoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 0021-4922 30, 687 (1991); A. Cheung, G. de M. Azevedo, C. J. Glover, D. J. Llewellyn, R. G. Elliman, G. J. Foran, and M. C. Ridgeway, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1639136 84, 278 (2004); M. Dubiel, H. Hofmeister, E. Schurig, E. Wendler, and W. Wesch, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 0168-583X 166-167, 871 (2000); X. L. Wu, T. Gao, X. M. Bao, F. Yan, S. S. Jiang, and D. Feng, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.366089 82, 2704 (1997); W. K. Choi, V. Ng, S. P. Ng, H. H. Thio, Z. X. Shen, and W. S. Li, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.370901 86, 1398 (1999); U. Serincan, G. Kartopu, A. Guennes, T. G. Finstad, R. Turan, Y. Ekinci, and S. C. Bayliss, Semicond. Sci. Technol. 19, 247 (2004).
14. Minoru Fujii, Shinji Hayashi, and Keiichi Yamamoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 0021-4922 30, 687 (1991); A. Cheung, G. de M. Azevedo, C. J. Glover, D. J. Llewellyn, R. G. Elliman, G. J. Foran, and M. C. Ridgeway, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1639136 84, 278 (2004); M. Dubiel, H. Hofmeister, E. Schurig, E. Wendler, and W. Wesch, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 0168-583X 166-167, 871 (2000); X. L. Wu, T. Gao, X. M. Bao, F. Yan, S. S. Jiang, and D. Feng, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.366089 82, 2704 (1997); W. K. Choi, V. Ng, S. P. Ng, H. H. Thio, Z. X. Shen, and W. S. Li, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.370901 86, 1398 (1999); U. Serincan, G. Kartopu, A. Guennes, T. G. Finstad, R. Turan, Y. Ekinci, and S. C. Bayliss, Semicond. Sci. Technol. 19, 247 (2004).
15. Minoru Fujii, Shinji Hayashi, and Keiichi Yamamoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 0021-4922 30, 687 (1991); A. Cheung, G. de M. Azevedo, C. J. Glover, D. J. Llewellyn, R. G. Elliman, G. J. Foran, and M. C. Ridgeway, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1639136 84, 278 (2004); M. Dubiel, H. Hofmeister, E. Schurig, E. Wendler, and W. Wesch, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 0168-583X 166-167, 871 (2000); X. L. Wu, T. Gao, X. M. Bao, F. Yan, S. S. Jiang, and D. Feng, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.366089 82, 2704 (1997); W. K. Choi, V. Ng, S. P. Ng, H. H. Thio, Z. X. Shen, and W. S. Li, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.370901 86, 1398 (1999); U. Serincan, G. Kartopu, A. Guennes, T. G. Finstad, R. Turan, Y. Ekinci, and S. C. Bayliss, Semicond. Sci. Technol. 19, 247 (2004).
16. A. Wellner, V. Paillard, C. Bonafos, H. Coffin, and A. Claverie, J. Appl. Phys. 94, 5639 (2003).
17. H. Richter, Z. P. Wang, and B. Ley, Solid State Commun. 39, 625 (1981).
18. I. D. Sharp, Q. Xu, C. Y. Liao, D. O. Yi, J. W. Ager III, J. W. Beeman, K. M. Yu, D. N. Zakharov, Z. Liliental-Weber, D. C. Chrzan, and E. E. Haller, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 818, M13.3.1 (2004).
19. E. B. Shand, in Modern Materials (Academic, New York, 1968), Vol. 6, 262 pp.
20. F. Cerdeira, C. J. Buchenauer, F. H. Pollak, and M. Cardona, Phys. Rev. B 5, 580 (1972).
21. G. W. Greenwood, A. J. E. Foreman, and D. E. Rimmer, J. Nucl. Mater. 4, 305 (1959).
22. J. C. Mikkelsen, Appl. Phys. Lett. 45, 1187 (1984).
23. M. Uematsu, H. Kageshima, Y. Takahashi, S. Fukatsu, K. M. Itoh, K. Shiraishi, and U. Gosele, Appl. Phys. Lett. 84, 876 (2004).
24. G. K. Celler and L. E. Trimble, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.101407 54, 1427 (1989); D. Tsoukalas, C. Tsamis, and J. Stoemenos, Appl. Phys. Lett. 63, 3167 (1993).
25. G. K. Celler and L. E. Trimble, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.101407 54, 1427 (1989); D. Tsoukalas, C. Tsamis, and J. Stoemenos, Appl. Phys. Lett. 63, 3167 (1993).
26. T. Takagahara and K. Takeda, Phys. Rev. B 46, 15578 (1992).