Enhanced carrier velocity to early impact ionization

Journal of Applied Physics

Volumn 95, Issue 7, 2004, Pages 3561-3564

  Hambleton, P J ^a   David, J P R ^a   Rees, G J ^a  

^a UNIVERSITY OF SHEFFIELD   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHARGE CARRIERS; COMPUTER SIMULATION; DIFFUSION; ELECTRIC FIELDS; ELECTRON SCATTERING; ELECTRON TRANSPORT PROPERTIES; MATHEMATICAL MODELS; MONTE CARLO METHODS; PHONONS; VELOCITY CONTROL;

CARRIER VELOCITY; DRIFT VELOCITY;

IMPACT IONIZATION;

EID: 1942489095     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1646434     Document Type: Article

References (19)

1. R. B. Emmons, J. Appl. Phys. 38, 3705 (1967).
2. R. Kuvås and C. A. Lee, J. Appl. Phys. 41, 1743 (1970).
3. D. S. Ong, K. F. Li, G. J. Rees, G. M. Dunn, J. P. R. David, and P. N. Robson, IEEE Trans. Electron Devices 45, 1804 (1998).
4. R. J. McIntyre, IEEE Trans. Electron Devices ED-13, 164 (1966).
5. e.g., K. F. Li, D. S. Ong, J. P. R. David, G. J. Rees, R. C. Tozer, P. N. Robson, and R. Grey, IEEE Trans. Electron Devices 45, 2102 (1998); C. H. Tan, J. P. R. David, S. A. Plimmer, G. J. Rees, R. C. Tozer, and R. Grey, ibid. 48, 1310 (2001); C. Lenox, P. Yuan, H. Nie, O. Baklenov, C. Hansing, J. C. Campbell, A. L. Holmes, Jr., and B. G. Streetman, Appl. Phys. Lett. 73, 783 (1998).
6. e.g., K. F. Li, D. S. Ong, J. P. R. David, G. J. Rees, R. C. Tozer, P. N. Robson, and R. Grey, IEEE Trans. Electron Devices 45, 2102 (1998); C. H. Tan, J. P. R. David, S. A. Plimmer, G. J. Rees, R. C. Tozer, and R. Grey, ibid. 48, 1310 (2001); C. Lenox, P. Yuan, H. Nie, O. Baklenov, C. Hansing, J. C. Campbell, A. L. Holmes, Jr., and B. G. Streetman, Appl. Phys. Lett. 73, 783 (1998).
7. e.g., K. F. Li, D. S. Ong, J. P. R. David, G. J. Rees, R. C. Tozer, P. N. Robson, and R. Grey, IEEE Trans. Electron Devices 45, 2102 (1998); C. H. Tan, J. P. R. David, S. A. Plimmer, G. J. Rees, R. C. Tozer, and R. Grey, ibid. 48, 1310 (2001); C. Lenox, P. Yuan, H. Nie, O. Baklenov, C. Hansing, J. C. Campbell, A. L. Holmes, Jr., and B. G. Streetman, Appl. Phys. Lett. 73, 783 (1998).
8. M. M. Hayat and B. E. A. Saleh, J. Lightwave Technol. 10, 1415 (1992).
9. J. S. Ng, C. H. Tan, B. K. Ng, P. J. Hambleton, J. P. R. David, G. J. Rees, A. H. You, and D. S. Ong, IEEE Trans. Electron Devices 49, 544 (2002).
10. S. A. Plimmer, J. P. R. David, B. Jacob, and G. J. Rees, J. Appl. Phys. 89, 2742 (2001).
11. P. J. Hambleton, S. A. Plimmer, J. P. R. David, G. J. Rees, and G. M. Dunn, J. Appl. Phys. 91, 2107 (2002).
12. P. J. Hambleton, B. K. Ng, S. A. Plimmer, J. P. R. David, and G. J. Rees, IEEE Trans. Electron Devices 50, 347 (2003).
13. C. Lenox, H. Nie, P. Yuan, G. Kinsey, A. L. Holmes, Jr., B. G. Streetman, and J. C. Campbell, IEEE Photonics Technol. Lett. 11, 1162 (1999).
14. B. Jacob, P. N. Robson, J. P. R. David, and G. J. Rees, J. Appl. Phys. 91, 5438 (2002).
15. D. S. Ong, G. J. Rees, and J. P. R. David, J. Appl. Phys. 93, 4232 (2003).
16. P. A. Wolff, Phys. Rev. 95, 1415 (1954).
17. W. Shockley, Solid-State Electron. 2, 35 (1961).
18. W. Shockley, Electrons and Holes in Semiconductors (Van Nostrand, New York, 1956), p. 294.
19. S. A. Plimmer, J. P. R. David, D. S. Ong, and K. F. Li, IEEE Trans. Electron Devices 46, 769 (1999).