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Volumn 188, Issue 1, 2001, Pages 403-406

Allowable Substrate Bias for the Etching of n-GaN hi Photo-Enhanced Electrochemical Etching

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EID: 1942478635     PISSN: 00318965     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/1521-396X(200111)188:1<403::AID-PSSA403>3.0.CO;2-4     Document Type: Article
Times cited : (3)

References (11)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.