Investigations of V-shaped defects and photoluminescence of thin GaN-rich GaNP layers grown on a GaN epilayer by metalorganic chemical vapor deposition

Applied Physics Letters

Volumn 84, Issue 11, 2004, Pages 1886-1888

  Li, H D ^a,b   Tsukihara, M ^a   Naoi, Y ^a   Lee, Y B ^a   Sakai, S ^a  

^a UNIVERSITY OF TOKUSHIMA   (Japan)

^b NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DISLOCATION DENSITY; STRUCTURAL DEFECTS;

ANNEALING; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; OPTICAL PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; PHOTONS; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

GALLIUM COMPOUNDS;

EID: 1842788582     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1687462     Document Type: Article

References (19)

1. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 1999).
2. O. Igarashi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 27, 790 (1988); O. Igarashi, ibid. 31, 3791 (1992).
3. O. Igarashi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 27, 790 (1988); O. Igarashi, ibid. 31, 3791 (1992).
4. K. Iwata, H. Asahi, K. Asami, and S. Gonda, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L1634 (1996); K. Iwata, H. Asahi, K. Asami, R. Kuroiwa, and S. Gonda, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 1436 (1998); R. Kuroiwa, H. Asahi, K. Asami, S. J. Kim, K. Iwata, and S. Gonda, Appl. Phys. Lett. 73, 2630 (1998); H. Asahi, H. Tampo, H. Hiroki, K. Asami, and S. Gonda, Mater. Sci. Eng., B 75, 199 (2000).
5. K. Iwata, H. Asahi, K. Asami, and S. Gonda, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L1634 (1996); K. Iwata, H. Asahi, K. Asami, R. Kuroiwa, and S. Gonda, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 1436 (1998); R. Kuroiwa, H. Asahi, K. Asami, S. J. Kim, K. Iwata, and S. Gonda, Appl. Phys. Lett. 73, 2630 (1998); H. Asahi, H. Tampo, H. Hiroki, K. Asami, and S. Gonda, Mater. Sci. Eng., B 75, 199 (2000).
6. K. Iwata, H. Asahi, K. Asami, and S. Gonda, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L1634 (1996); K. Iwata, H. Asahi, K. Asami, R. Kuroiwa, and S. Gonda, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 1436 (1998); R. Kuroiwa, H. Asahi, K. Asami, S. J. Kim, K. Iwata, and S. Gonda, Appl. Phys. Lett. 73, 2630 (1998); H. Asahi, H. Tampo, H. Hiroki, K. Asami, and S. Gonda, Mater. Sci. Eng., B 75, 199 (2000).
7. K. Iwata, H. Asahi, K. Asami, and S. Gonda, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L1634 (1996); K. Iwata, H. Asahi, K. Asami, R. Kuroiwa, and S. Gonda, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 1436 (1998); R. Kuroiwa, H. Asahi, K. Asami, S. J. Kim, K. Iwata, and S. Gonda, Appl. Phys. Lett. 73, 2630 (1998); H. Asahi, H. Tampo, H. Hiroki, K. Asami, and S. Gonda, Mater. Sci. Eng., B 75, 199 (2000).
8. T. Y. Seong, I. T. Bae, C. J. Choi, D. Y. Noh, Y. Zhao, and C. W. Tu, J. Appl. Phys. 85, 3192 (1998).
9. For example, H. P. Xin and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 77, 2180 (2000).
10. S. Sakai, Y. Ueta, and Y. Terauchi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 32, 4413 (1993).
11. H. D. Li, M. Tsukihara, Y. Naoi, and S. Sakai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 41, L1332 (2002).
12. M. Tsukihara, Y. Naoi, S. Sakai, and H. D. Li, Appl. Phys. Lett. 82, 919 (2003).
13. J. E. Northrup, L. T. Romano, and J. Neugebauer, Appl. Phys. Lett. 74, 2319 (1999).
14. H. K. Cho, J. Y. Lee, and G. M. Yang, Appl. Phys. Lett. 80, 1370 (2002), and references therein.
15. L. T. Romano, J. E. Northrup, A. J. Ptak, and T. H. Myers, Appl. Phys. Lett. 77, 2479 (2000).
16. P. Vennéguès, M. Benaissa, B. Beaumont, E. Feltin, P. De Mierry, S. Dalmasso, M. Leroux, and P. Gibart, Appl. Phys. Lett. 77, 880 (2000).
17. H. K. Cho, J. Y. Lee, S. R. Jeon, and G. M. Yang, Appl. Phys. Lett. 79, 3788 (2001).
18. B. Heying, E. J. Tarsa, C. R. Elsass, P. Fini, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 85, 6470 (1999).
19. R. Windisch, B. Dutta, M. Kuijk, A. Knobloch, S. Meinlschmidt, S. Schoberth, P. Kiesel, G. Borghs, G. H. Döhler, and P. Heremans, IEEE Trans. Electron Devices 47, 1492 (2000), and references therein.