Gas source MBE growth of GaN-related novel semiconductors

Materials Science and Engineering: B

Volumn 75, Issue 2-3, 2000, Pages 199-203

  Asahi, H ^a   Tampo, H ^a   Hiroki, H ^a   Asami, K ^a   Gonda, S ^a  

^a OSAKA UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

GaN; GaNP; Gas source MBE; Large bandgap bowing; Phase separation; Polycrystalline GaN; Polycrystalline semiconductor photonics; Strong photoluminescence intensity

Indexed keywords

EID: 0005792014     PISSN: 09215107     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0921-5107(00)00362-7     Document Type: Article

References (13)

1. K. Iwata, H. Asahi, K. Asami, S. Gonda, Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) L1634.
2. K. Iwata, H. Asahi, K. Asami, S. Gonda, J. Cryst. Growth 175/176 (1997) 150.
3. K. Iwata, H. Asahi, K. Asami, R. Kuroiwa, S. Gonda, Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) 1436.
4. H. Tampo, H. Asahi, K. Iwata, K. Asami, S. Gonda, Proceedings of the 2nd International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes, Chiba, Japan, 1998, pp. 719-722.
5. K. Iwata, H. Asahi, K. Asami, R. Kuroiwa, S. Gonda, Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L661.
6. K. Iwata, H. Asahi, R. Kuroiwa, K. Asami, S. Gonda, J. Cryst. Growth 188 (1998) 98.
7. K. Iwata, H. Asahi, K. Asami, A. Ishida, R. Kuroiwa, H. Tampo, S. Gonda, A. Chichibu, J. Cryst. Growth 189/190 (1998) 218.
8. H. Asahi, K. Iwata, H. Tampo, R. Kuroiwa, M. Hiroki, K. Asami, S. Nakamura, S. Gonda, J. Cryst. Growth, 201-202 (1999) 371.
9. K. Iwata, H. Asahi, S.J. Yu, K. Asami, H. Fujita, M. Fushida, S. Gonda, Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) L289.
10. J.N. Baillargeon, K.Y. Cheng, G.E. Hofler, P.J. Pearah, K.C. Hsich, Appl. Phys. Lett. 60 (1992) 2540.
11. S. Sakai, Y. Ueta, Y. Terauchi, Jpn. J. Appl. Phys. 32 (1993) 4413.
12. R. Kuroiwa, H. Asahi, K. Iwata, S.J. Kim, J.H. Noh, K. Asami, S. Gonda, Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 3810.
13. T. Yamamoto, H. Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L180.