Atom-resolved scanning tunneling microscopy of (In,Ga)As quantum wires on GaAs(311)A

Applied Physics Letters

Volumn 84, Issue 10, 2004, Pages 1756-1758

  Wen, H ^a   Wang, Z M ^a   Salamo, G J ^a  

^a UNIVERSITY OF ARKANSAS   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTAL GROWTH; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MONOLAYERS; NUCLEATION; PHOTOLUMINESCENCE; SCANNING TUNNELING MICROSCOPY; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS; SILICON WAFERS; SURFACE ROUGHNESS;

ELECTRONIC TRANSPORT; WETTING LAYERS;

SEMICONDUCTOR QUANTUM WIRES;

EID: 1842424395     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1664018     Document Type: Article

References (23)

1. D. Bimberg, M. Grundmann, and N. N. Ledentsov, Quantum Dot Heterostructures (Wiley, Chichester, 1999).
2. D. L. Huffaker, G. Park, Z. Zhou, O. B. Shchekin, and D. G. Deppe, Appl. Phys. Lett. 73, 2564 (1998).
3. J. Phillips, P. Bhattacharya, S. W. Kennerly, D. W. Beekman, and M. Dutta, IEEE J. Quantum Electron. 35, 936 (1999).
4. H. X. Li, J. Wu, Z. G. Wang, and T. Daniels-Race, Appl. Phys. Lett. 75, 1173 (1999).
5. O. Bierwagen, C. Walther, W. T. Masselink, and K.-J. Friedland, Phys. Rev. B 67, 195331 (2003).
6. W. Q. Ma, R. Notzel, H. P. Schonherr, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 79, 4219 (2001).
7. T. Mano, R. Notzel, G. J. Hamhuis, T. J. Eijkemans, and J. H. Wolter, Appl. Phys. Lett. 81, 1705 (2002).
8. Q. Gong, R. Notzel, and J. H. Wolter, J. Cryst. Growth 251, 150 (2003).
9. T. Nitta, Y. Ohno, S. Shimomura, and S. Hiyamizu, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 1824 (2001).
10. X. Y. Wang, Z. M. Wang, V. R. Yazdanpanah, G. J. Salamo, and M. Xiao, J. Appl. Phys. 95, 1609 (2004).
11. J. Tersoff and R. M. Tromp, Phys. Rev. Lett. 82, 2782 (1993).
12. W. I. Wang, E. E. Mendez, T. S. Kuan, and L. Esaki, Appl. Phys. Lett. 47, 826 (1985).
13. R. Notzel, N. N. Ledentsov, L. Daweritz, and K. Ploog, Phys. Rev. Lett. 67, 3812 (1991).
14. Z. M. Wang, V. R. Yazdanpanah, J. L. Shultz, and G. J. Salamo, Appl. Phys. Lett. 81, 2965 (2002).
15. Z. M. Wang, H. Wen, V. R. Yazdanpanah, J. L. Schltz, and G. J. Salamo, Appl. Phys. Lett. 82, 1688 (2003).
16. M. Henini, S. Sanguinetti, S. C. Fortina, E. Grilli, M. Guzzi, G. Panzarini, L. C. Andreani, M. D. Upward, P. Moriarty, P. H. Beton, and L. Eaves, Phys. Rev. B 57, R6815 (1998).
17. S. Sanguinetti, M. Guzzi, E. Grilli, G. Panzarini, and M. Henini, Appl. Phys. Lett. 77, 1982 (2000).
18. M. Wassermeier, J. Sudijono, M. D. Johnson, K. T. Leung, B. G. Orr, L. Daweritz, and K. Ploog, Phys. Rev. B 51, 14721 (1995).
19. H. Yamaguchi, M. R. Fahy, and B. A. Joyce, Appl. Phys. Lett. 69, 776 (1996).
20. J. G. Belk, J. L. Sudijono, X. M. Zhang, J. H. Neave, T. S. Jones, and B. A. Joyce, Phys. Rev. Lett. 78, 475 (1997).
21. G. Medeiros-Ribeiro, A. M. Bratkovsky, T. I. Kamins, D. A. A. Ohlberg, and R. S. Williams, Science 279, 353 (1998).
22. J. Daruka, J. Tersoff, and A.-L. Barabasi, Phys. Rev. Lett. 82, 2753 (1999).
23. F. M. Ross, R. M. Tromp, and M. C. Reuter, Science 286, 1931 (1999).