High-density InAs nanowires realized in situ on (100) InP

Applied Physics Letters

Volumn 75, Issue 8, 1999, Pages 1173-1175

  Li, Hanxuan ^a,b   Wu, Ju ^a   Wang, Zhanguo ^a   Daniels Race, Theda ^b  

^a INSTITUTE OF SEMICONDUCTORS   (China)

^b Duke University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001320201     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.124633     Document Type: Article

References (17)

1. H. Marchand, P. Desjardins, S. Guillon, J.-E. Paultre, and Z. Bougrioua, Appl. Phys. Lett. 71, 527 (1997); A. Ponchet, A. Le Corre, H. L'Haridon, B. Lambert, and S. Salaün, ibid. 67, 1850 (1995), and references therein.
2. H. Marchand, P. Desjardins, S. Guillon, J.-E. Paultre, and Z. Bougrioua, Appl. Phys. Lett. 71, 527 (1997); A. Ponchet, A. Le Corre, H. L'Haridon, B. Lambert, and S. Salaün, ibid. 67, 1850 (1995), and references therein.
3. M. Brasil, A. Bernussi, M. A. Cotta, and M. Marquezini, Appl. Phys. Lett. 65, 857 (1994).
4. S. T. Chou, K. Y. Cheng, L. J. Chou, and K. C. Hsieh, J. Appl. Phys. 78, 6270 (1995).
5. A. G. Norman, S. P. Ahrenkiel, H. Moutinho, and M. M. Al-Jassim, Appl. Phys. Lett. 73, 1844 (1998).
6. M. A. Cotta, R. A. Hamm, T. W. Staley, S. N. Chu, L. R. Harriott, M. B. Panish, and H. Tempkin, Phys. Rev. Lett. 70, 4106 (1993).
7. M. Kasu and N. Kobayashi, J. Cryst. Growth 170, 246 (1997).
8. J. Sudijono, M. D. Johnson, C. W. Snyder, M. B. Elowitz, and B. G. Orr, Phys. Rev. Lett. 69, 2811 (1992).
9. S. Fafard, Z. Wasilewski, J. McCaffrey, S. Raymond, and S. Raymond, Appl. Phys. Lett. 68, 991 (1996).
10. J. Brault, M. Gendry, G. Grenet, G. Hollinger, Y. Désieres, and T. Benyattou, Appl. Phys. Lett. 73, 2932 (1998); A. Weber, O. Gauthier-Lafaye, F. H. Julien, J. Brault, M. Gendry, Y. Désieres, and T. Benyattou, ibid. 74, 413 (1999); M. Phaner-Goutorbe, Y. Robach, P. Krapf, A. Solére, and L. Porte, Surf. Sci. 402-404, 268 (1998), and references therein.
11. J. Brault, M. Gendry, G. Grenet, G. Hollinger, Y. Désieres, and T. Benyattou, Appl. Phys. Lett. 73, 2932 (1998); A. Weber, O. Gauthier-Lafaye, F. H. Julien, J. Brault, M. Gendry, Y. Désieres, and T. Benyattou, ibid. 74, 413 (1999); M. Phaner-Goutorbe, Y. Robach, P. Krapf, A. Solére, and L. Porte, Surf. Sci. 402-404, 268 (1998), and references therein.
12. J. Brault, M. Gendry, G. Grenet, G. Hollinger, Y. Désieres, and T. Benyattou, Appl. Phys. Lett. 73, 2932 (1998); A. Weber, O. Gauthier-Lafaye, F. H. Julien, J. Brault, M. Gendry, Y. Désieres, and T. Benyattou, ibid. 74, 413 (1999); M. Phaner-Goutorbe, Y. Robach, P. Krapf, A. Solére, and L. Porte, Surf. Sci. 402-404, 268 (1998), and references therein.
13. R. Nötzel, U. Jahn, Z. Niu, A. Trampert, J. Fricke, H. Schönherr, T. Kurth, D. Heitmann, L. Däweritz, and K. Ploog, Appl. Phys. Lett. 72, 2002 (1998).
14. S. Hara, J. Motohisa, and T. Fukui, J. Cryst. Growth 170, 579 (1997).
15. M. Strassburg, V. Kutzer, U. W. Pohl, A. Hoffmann, I. Broser, N. N. Ledentsov, D. Bimberg, A. Rosenauer, U. Fischer, D. Gerthsen, I. L. Krestnikov, M. V. Maximov, P. S. Kop'ev, and Zh. I. Alferov, Appl. Phys. Lett. 72, 942 (1998).
16. V. A. Shchukin, D. Bimberg, V. G. Malyshkin, and N. N. Ledenstov, Phys. Rev. B 57, 12262 (1998).
17. P. J. Pearah, A. C. Chen, A. M. Moy, K. C. Hsieh, and K. Y. Cheng, IEEE J. Quantum Electron. QE-30, 608 (1994).