Electrochemical approach for fabricating nanogap electrodes with well controllable separation

Applied Physics Letters

Volumn 86, Issue 12, 2005, Pages 1-3

  Chen, Fang ^a   Qing, Quan ^a   Ren, Liang ^a   Wu, Zhongyun ^a   Liu, Zhongfan ^a  

^a PEKING UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRIC IMPEDANCE; ELECTRODEPOSITION; ELECTRODES; ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY; ENERGY GAP; LINEAR SYSTEMS; MATHEMATICAL MODELS; PARAMETER ESTIMATION;

GAP SEPARATION; LINEAR DEPOSITION; NANOGAP ELECTRODES; QUANTUM CONDUCTANCE;

ELECTROCHEMISTRY;

EID: 17944363252     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1871361     Document Type: Article

References (26)

1. J. Y. Chung, K. H. Lee, J. H. Lee, and R. S. Ruoff, Langmuir 20, 3011 (2004).
2. A. Bezryadina, C. Dekkerb, and G. Schmid, Appl. Phys. Lett. 71, 1273 (1997).
3. Y. V. Kervennic, D. Vanmaekelbergh, L. P. Kouwenhoven, and H. S. J. Van der Zant, Appl. Phys. Lett. 83, 3782 (2003).
4. K. Liu, P. Avouris, J. Bucchignano, R. Martel, S. Sun, and J. Michl, Appl. Phys. Lett. 80, 865 (2002).
5. M. S. M. Saifullah, T. Ondarcuhu, D. K. Koltsov, C. Joachim, and M. E. Welland, Nanotechnology 13, 659 (2002).
6. M. A. Guillorn, D. W. Carr, R. C. Tiberio, E. Greenbaum, and M. L. Simpson, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1177 (2000).
7. T. Nagase, T. Kubota, and S. Mashiko, Thin Solid Films 438-439, 374 (2003).
8. H. Zhang, S. W. Chung, and C. A. Mirkin, Nano Lett. 3, 43 (2003).
9. T. Miyazaki, K. Kobayashi, T. Horiuchi, H. Yamada, and K. Matsushige, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 40, 4365 (2001).
10. J. Chung, K. H. Lee, and J. Lee, Nano Lett. 3, 1029 (2003).
11. J. Lefebvre, M. Radosavljevic, and A. T. Johnsona, Appl. Phys. Lett. 76, 3828 (2000).
12. S. I. Khondaker and Z. Yao, Appl. Phys. Lett. 81, 4613 (2002).
13. M. F. Lambert, M. F. Goffman, J. P. Bourgoin, and P. Hesto, Nanotechnology 14, 772 (2003).
14. H. K. Park, A. K. L. Lim, A. P. Alivisatosa, J. Park, and P. L. McEuena, Appl. Phys. Lett. 75, 301 (1999).
15. C. Zhou, C. J. Muller, M. R. Deshpande, J. W. Sleight, and M. A. Reed, Appl. Phys. Lett. 67, 1160 (1995).
16. M. A. Reed, C. Zhou, C. J. Muller, T. P. Burgin, and J. M. Tour, Science 278, 252 (1997).
17. C. Z. Li and N. J. Tao, Appl. Phys. Lett. 72, 894 (1998).
18. A. F. Morpurgo, C. M. Marcus, and D. B. Robinson, Appl. Phys. Lett. 74, 2084 (1999).
19. C. Z. Li, H. X. He, and N. J. Tao, Appl. Phys. Lett. 77, 3995 (2000).
20. Y. V. Kervennic, H. S. J. Van der Zant, A. F. Morpurgo, L. Gurevich, and L. P. Kouwenhoven, Appl. Phys. Lett. 80, 321 (2002).
21. C. S. Yang, C. Zhang, J. Redepenning, and B. Doudina, Appl. Phys. Lett. 84, 2865 (2004).
22. Y. Kashimura, H. Nakashima, K. Furukawa, and K. Torimitsu, Thin Solid Films 438-439, 317 (2003).
23. P. Visconti, G. Maruccio, E. D. Amone, A. D. Torre, A. Bramanti, R. Cingolani, and R. Rinaldi, Mater. Sci. Eng., C 23, 889 (2003).
24. C. S. Yang, J. Thiltges, B. Doudin, and M. Johnson, J. Phys.: Condens. Matter 14, L765 (2002).
25. M. M. Deshmukh, A. L. Prieto, Q. Gu, and H. K. Park, Nano Lett. 3, 1383 (2003).
26. S. Boussaad and N. J. Tao, Appl. Phys. Lett. 80, 2398 (2002).