Selective etching of InGaAsGaAs(100) multilayers of quantum-dot chains

Applied Physics Letters

Volumn 86, Issue 14, 2005, Pages 1-3

  Wang, Zh M ^a   Zhang, L ^a   Holmes, K ^a   Salamo, G J ^a  

^a UNIVERSITY OF ARKANSAS   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; ETCHING; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MULTILAYERS; SCANNING TUNNELING MICROSCOPY; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

CAPPING; INTERMIXING; QUANTUM-DOT CHAINS; SELF-CORRELATION;

SEMICONDUCTING INDIUM GALLIUM ARSENIDE;

EID: 17444380022     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1898425     Document Type: Article

References (21)

1. O. G. Schmidt, Ch. Deneke, S. Kiravittaya, R. Songmuang, H. Heidemeyer, Y. Nakamura, R. Zapf-Gottwich, C. Muller, and N. Y. Jin-Phillipp, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 8, 1025 (2002).
2. H. Yamaguchi, R. Dreyfus, Y. Hirayama, and S. Miyashita, Appl. Phys. Lett. 78, 2372 (2001).
3. H. Yamaguchi and Y. Hirayama, Appl. Phys. Lett. 80, 4428 (2002).
4. Q. Xie, A. Madhukar, P. Chen, and N. Kobayashi, Phys. Rev. Lett. 75, 2542 (1995).
5. G. S. Solomon, J. A. Trezza, A. F. Marshall, and J. S. Harris, Phys. Rev. Lett. 76, 952 (1996).
6. G. S. Solomon, Appl. Phys. Lett. 84, 2073 (2004).
7. Z. M. Wang, K. Holmes, Yu. I. Mazur, and G. J. Salamo, Appl. Phys. Lett. 84, 1931 (2004).
8. Zh. M. Wang, Sh. Seydmohamadi, J. H. Lee, and G. J. Salamo, Appl. Phys. Lett. 85, 5031 (2004).
9. Yu. I. Mazur, W. Q. Ma, X. Wang, Z. M. Wang, G. J. Salamo, M. Xiao, T. D. Mishima, and M. B. Johnson, Appl. Phys. Lett. 83, 987 (2003).
10. D. G. Cooke, F. A. Hegmann, Yu. I. Mazur, W. Q. Ma, X. Wang, Z. M. Wang, G. J. Salamo, M. Xiao, T. D. Mishima, and M. B. Johnson, Appl. Phys. Lett. 85, 3839 (2004).
11. Zh. M. Wang, H. Churchill, C. E. George, and G. J. Salamo, J. Appl. Phys. 96, 6908 (2004).
12. P. B. Joyce, T. J. Krzyzewski, G. R. Bell, and T. S. Jones, Appl. Phys. Lett. 79, 3615 (2001).
13. R. Songmuang, S. Kiravittaya, and O. G. Schmidt, J. Cryst. Growth 249, 416 (2003).
14. T. Mano, R. Nötzel, G. J. Hamhuis, T. J. Eijkemans, and J. H. Wolter, J. Appl. Phys. 95, 109 (2004).
15. S. J. Paik, J. Kim, S. Park, S. Kim, C. Koo, S. K. Lee, and D. Cho, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 42, 326 (2003).
16. Q. Xie, P. Chen, and A. Madhukar, Appl. Phys. Lett. 65, 2051 (1994).
17. Z. M. Wang, J. L. Shultz, and G. J. Salamo, Appl. Phys. Lett. 83, 1749 (2003).
18. B. Basnar, H. Hirner, E. Gornik, and G. Strasser, J. Cryst. Growth 264, 26 (2004).
19. U. Denker, M. Stoffel, and O. G. Schmidt, Phys. Rev. Lett. 90, 196102 (2003).
20. O. G. Schmidt, U. Denker, S. Christianse, and F. Ernst, Appl. Phys. Lett. 81, 2614 (2002).
21. O. G. Schmidt, A. Rastelli, G. S. Kar, R. Songmuang, S. Kiravittaya, M. Stoffel, U. Denker, S. Stufler, A. Zrenner, D. Grützmacher, B. Y. Nguyen, and P. Wennekers, Physica E (Amsterdam) 25, 280 (2004).