Strongly localized exciton luminescence in Cr-doped GaN

Applied Physics Letters

Volumn 86, Issue 9, 2005, Pages 1-3

  Shanthi, S ^a   Hashimoto, M ^a   Zhou, Y K ^a   Kimura, S ^a   Emura, S ^a   Hasegawa, S ^a   Hasuike, N ^b   Harima, H ^b   Asahi, H ^a  

^a OSAKA UNIVERSITY   (Japan)

^b KYOTO INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BACKSCATTERING; ELECTRON EMISSION; GALLIUM NITRIDE; LUMINESCENCE; SPECTRUM ANALYSIS; STACKING FAULTS;

BIND EXCITONS; LOW-INTENSITY LINES; LOW-TEMPERATURE PHOTOLUMINESCENCE; ZINC BLENDE PHASES;

EXCITONS;

EID: 17044365467     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1871365     Document Type: Article

References (21)

1. T. Kondo, S. Kuwabara, H. Owa, and H. Munekata, J. Cryst. Growth 237, 1353 (2000).
2. M. Hashimoto, Y. K. Zhou, M. Kanamura, H. Katayama-Yoshida, and H. Asahi, J. Cryst. Growth 252, 499 (2003).
3. N. Teraguchi, A. Suzuki, Y. Nanisi, Y. K. Zhou, M. Hashimoto, and H. Asahi, Solid State Commun. 122, 651 (2002).
4. E. Oh, H. Park, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 72, 70 (1998).
5. M. Hashimoto, Y. K. Zhou, M. Kannamura, and H. Asahi, Solid State Commun. 122, 37 (2002).
6. M. Hashimoto, H. Tanaka, R. Asano, S. Hasegawa, and H. Asahi, Appl. Phys. Lett. 84, 4191 (2004).
7. L. Eckey, J. Ch. Holst, P. Maxim, R. Heitz, A. Haffmann, I. Broser, B. K. Meyer, C. Wetzel, E. N. Mokhov, and P. G. Baranov, Appl. Phys. Lett. 68, 415 (1996).
8. Z. Chen, D.-C. Lu, X. Liu, X. Wang, P. Han, D. Wang, H. Yuan, Z. Wang, G. Li, and Z. Fang, J. Appl. Phys. 93, 316 (2003).
9. K. W. Mah, J. P. Mosnier, E. McGlynn, M. O. Henry, D. O'Mahony, and J. G. Lunney, Appl. Phys. Lett. 80, 3301 (2002).
10. Y.-H. Kwon, S. K. Shee, G. H. Gainer, G. H. Park, S. J. Hwang, and J. J. Song, Appl. Phys. Lett. 76, 840 (2000).
11. G. Martinez-Criado, A. Cros, A. Cantarero, R. Dimitrov, O. Ambacher, and M. Stutzmann, J. Appl. Phys. 88, 3470 (2000).
12. Y. Shon, Y. H. Kwon, T. W. Kang, X. Fan, D. Fu, and Y. Kim, J. Cryst. Growth 245, 193 (2002).
13. H. Siegle, L. Eckey, A. Hoffmann, C. Thomsen, B. K. Meyer, D. Schikora, M. Hankeln, and K. Lischka, Solid State Commun. 96, 943 (1995).
14. J. I. Pankove, J. E. Berkeyheiser, H. P. Maruska, and J. Wittke, Solid State Commun. 8, 1051 (1970).
15. R. Dai, S. Fu, J. Xie, G. Fan, G. Hu, H. Schrey, and C. Klingshirn, J. Phys. C 15, 393 (1982).
16. M. A. Reshchikov, D. Huang, F. Yun, P. Visconti, L. He, H. Morkoc, J. Jasinski, Z. Liliental-Weber, R. J. Molnar, S. S. Park, and K. Y. Lee, J. Appl. Phys. 94, 5623 (2003).
17. S. Fischer, C. Wetzel, E. E. Haller, and B. K. Mayer, Appl. Phys. Lett. 67, 1248 (1995).
18. G. P. Das, B. K. Rao, and P. Jena, Phys. Rev. B 69, 214422 (2004).
19. M. Hashimoto, H. Tanaka, S. Emura, M. S. Kim, T. Honma, N. Umesaki, Y. K. Zhou, S. Hasegawa, and H. Asahi, J. Cryst. Growth 273, 149 (2004).
20. Z. Z. Bandic, T. C. McGill, and Z. Ikonic, Phys. Rev. B 56, 3564 (1997).
21. C. Stampfl and C. G. Van De Walle, Phys. Rev. B 57, 15052 (1998).