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Volumn 71, Issue 8, 2005, Pages

Ab initio impact ionization rate in GaAs, GaN, and ZnS

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GALLIUM ARSENIDE; GALLIUM NITRATE; ZINC SULFIDE;

EID: 16444364458     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.71.085201     Document Type: Article
Times cited : (11)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.