메뉴 건너뛰기




Volumn 86, Issue 8, 1999, Pages 4458-4463

Hole initiated impact ionization in wide band gap semiconductors

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords


EID: 0001506543     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.371386     Document Type: Article
Times cited : (21)

References (22)
  • 10
    • 3643084435 scopus 로고
    • Z. H. Levine and S. G. Louie, Phys. Rev. B 25, 6310 (1982); M. S. Hybertson and S. G. Louie, Phys. Rev. Lett. 55, 1418 (1985); Phys. Rev. B 34, 5390 (1986).
    • (1982) Phys. Rev. B , vol.25 , pp. 6310
    • Levine, Z.H.1    Louie, S.G.2
  • 11
    • 0001110771 scopus 로고
    • Z. H. Levine and S. G. Louie, Phys. Rev. B 25, 6310 (1982); M. S. Hybertson and S. G. Louie, Phys. Rev. Lett. 55, 1418 (1985); Phys. Rev. B 34, 5390 (1986).
    • (1985) Phys. Rev. Lett. , vol.55 , pp. 1418
    • Hybertson, M.S.1    Louie, S.G.2
  • 12
    • 25544479230 scopus 로고
    • Z. H. Levine and S. G. Louie, Phys. Rev. B 25, 6310 (1982); M. S. Hybertson and S. G. Louie, Phys. Rev. Lett. 55, 1418 (1985); Phys. Rev. B 34, 5390 (1986).
    • (1986) Phys. Rev. B , vol.34 , pp. 5390
  • 22
    • 3242825611 scopus 로고
    • J. L. Moll, Physics of Semiconductors (McGraw-Hill, New York, 1964); J. Cryst. Growth 86, 72 (1988).
    • (1988) J. Cryst. Growth , vol.86 , pp. 72


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.