Interfacial phases and electrical characteristics of ferreoelectric strontium bismuth tantalate films on Pt/TiO2 and tTi/Pt/Ti heterostructure electrodes

Chemistry of Materials

Volumn 17, Issue 6, 2005, Pages 1441-1449

  Calzada, M L ^a   Jimenez R ^a   Gonzalez A ^a   Garcia Lopez J ^b,c   Leinen, D ^d   Rodriguez Castellon E ^d  

^a INSTITUTO DE CIENCIA DE MATERIALES DE MADRID   (Spain)

^b UNIVERSITY OF SEVILLE   (Spain)

^c CENTRO NACIONAL DE ACELERADORES   (Spain)

^d UNIVERSITY OF MÁLAGA   (Spain)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DEPOSITION; ELECTRODES; FERROELECTRIC MATERIALS; HETEROJUNCTIONS; MATHEMATICAL MODELS; PEROVSKITE; PLATINUM ALLOYS; STRONTIUM; THERMAL EFFECTS; THIN FILMS; TITANIUM DIOXIDE; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

CRYSTALLINE PHASES; GRAZING INCIDENCE; SCHOTTKY EMISSION MODEL; STRONTIUM BISMUTH TANTALATE (SBT);

STRONTIUM COMPOUNDS;

BISMUTH; PLATINUM; STRONTIUM; TANTALUM; TITANIUM; TITANIUM DIOXIDE;

ARTICLE; CRYSTALLIZATION; ELECTRIC ACTIVITY; ELECTRODE; FILM; PHASE TRANSITION; POLARIZATION; X RAY DIFFRACTION;

EID: 15444379105     PISSN: 08974756     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/cm048996q     Document Type: Article

References (41)

1. Kingom, A. Nature 1999, 401, 658.
2. Scott, J. F.; Paz de Araujo, C. A. Science 1989, 246, 1400.
3. Scott, J. F. Ferroelectr. Rev. 1998, 1, 1.
4. Al-Shareef, H. N.; Dimos, D.; Boyle, T. J.; Warren, W. L.; Tuttle, B. A. Appl. Phys. Lett. 1996, 68 (5), 627.
5. Calzada, M. L.; Poyato, R.; García-López, J.; Respaldiza, M. A.; Ricote, J.; Pardo, L. J. Eur. Ceram. Soc. 2001, 21, 1529.
6. Kim, S. H.; Kim, D. J.; Maria, J. P.; Kingon, A. I.; Streiffer, S. K.; Im, J.; Auciello, O. Appl. Phys. Lett. 2000, 76 (4), 496.
7. az de Araujo, C. A.; Cuchiaro, J. D.; McMillan, L. D.; Scott, M. C.; Scott, J. F. Nature 1995, 374, 627.
8. Rae, A. D. Acta Crystallogr. 1992, B48, 418.
9. Muller, C.; Jacob. F.; Gagou, Y.; Elkaim, E. J. Appl. Crystallogr. 2003. 36 (3), 880.
10. Boyle, T. J.; Buchheit, C. D.; Rodríguez, M. A.; Al-Shareef, H. N.; Hernández, B. A.; Scott, B.; Ziller, J. W. J. Mater. Res. 1996, 11 (9), 2274.
11. Calzada, M. L.; Jiménez, R.; Gonzalez, A.; Mendiola, J. Chem. Mater. 2001, 13, 3.
12. Kijima, T.; Ishiwara, H. Ferroelectrics 2002, 271, 289.
13. Kato, K. Jpn. J. Appl. Phys. 1998, 37, 5178.
14. Park, J. D.; Coi, J. H.; Oh, T. S. Jpn. J. Appl. Phys. 2002, 41, 5645.
15. Huang, C. H.; Tseng, T. Y.; Chien. C. H.; Yang, M. J.; Leu, C. C.; Chang, T. C.; Liu, P. T.; Huang, T. Y. Thin Solid Films 2002, 420-421, 377.
16. Shin, W. C.; Choi, K. J.; Yoon, S. G. Thin Solid Films 2002, 409, 133.
17. Kim, S. H.; Kim, D. J.; Maria, J. P.; Kingon, A. I.; Streiffer, S. K.; Im, J.; Auciello, O. Appl. Phys. Lett. 2000, 76 (4), 496.
18. Hu, G. D.; Xu, J. B.; Wilson, I. H.; Cheoung, W. Y.; Ke, N.; Wong, S. P. Appl. Phys. Lett. 1999, 74 (24), 3711.
19. Robertson, J.; Chen, C. W. Appl. Phys. Lett. 1999, 74 (8), 1168.
20. Di, X.; Chen, I. W. Appl. Phys. Lett. 1998, 72, 1923.
21. Seong, N. J.; Yang, C. H.; Shin, W. C.; Yoon, S. G. Appl. Phys. Lett. 1998, 72 (11), 1374.
22. Das, R. R.; Bhattacharya, P.; Katiyar, R. S. J. Appl. Phys. 2002, 92 (10), 6160.
23. Li, A. D.; Wu, D.; Ling, H. Q.; Yu, T.; Liu, Z. G.; Ming, N. B. Microelectron. Eng. 2003, 66, 654.
24. Choi, S. H.; Kim, E. H.; Choi, I. H.; Kim, Y. T.; Choi, J. H.; Lee, J. Y. Thin Solid Films 2001, 388 (1-2), 226.
25. Poonawala, N.; Dravid, V. P.; Auciello, O.; Im, J.; Drauss, A. R. J. Appl. Phys. 2000, 87 (5), 2227.
26. Wu, A. Y.; Vilarinho, P. M.; Salvado, I. M.; Baptista, J. L.; Zhou, Z. X.; Reaney, I. M.; Ramos, A. R.; da Silva, M. F. J. Am. Ceram. Soc. 2002, 85 (13), 226.
27. Ricote, J.; Poyato, R.; Algueró, M.; Pardo, L.; Calzada, M. L. J. Am. Ceram. Soc. 2003, 86 (9), 1571.
28. Williams, D. B.; Carter, C. B. Transmission electron microscopy: a text book for materials science; Plenum Press: London, 1996.
29. Ricote, J.; Jiménez, R.; Calzada, M. L.; González, A.; Mendiola, J. Ferroelectrics 2002, 271, 143.
30. Takahashi, M.; Noda, M.; Okuyama, M. J. Appl. Phys. 2003, 94 (10), 6729.
31. Tani, T.; Xu, Z.; Payne, D. A. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1993, 310, 269.
32. González, A.; Poyato, R.; Jiménez, R.; Mendiola, J.; Pardo, L.; Calzada, M. L. Surf. Interface Anal. 2000, 29, 325.
33. Calzada, M. L.; González, A.; García-López, J.; Jiménez, R. Chem. Mater. 2003, 15, 4775.
34. Doolittle, L. R. Nucl. Instrum. Methods 1985, B9, 344.
35. Sze, S. M. Physics of Semiconductor Devices; Wiley: New York, 1981.
36. Rodríguez, M. A.; Boyle, T. J.; Hernandez, B. A.; Buchheit, C. D.; Eatough, M. O. J. Mater. Res. 1996, 11 (9), 2282.
37. Li, A.; Wu, D. H.; Ling, H.; Yi, T.; Wang, M.; Yin, X.; Liu, Z.; Ming, N. J. Appl. Phys. 2000, 88 (2), 1035.
38. González, A.; Jiménez, R.; Mendiola, J.; Calzada, M. L. Integr. Ferroelectr. 2000, 30, 281.
39. Watanabe, K.; Hartman, A. J.; Lamb, R. N.; Scott, J. F. J. Appl. Phys 1998, 84 (4), 2170.
40. Okino, H.; Toyoda, Y.; Shimizu, M.; Horiuchi, T.; Shiosaki, T.; Matsushige, K. Jpn. J. Appl. Phys. 1998, 37, 5137.
41. Jiménez, B.; Jiménez, R.; Castro, A.; Millán, P.; Pardo, L. J. Phys.: Condens. Matter 2001, 13, 7315.