Schottky barrier heights of tantalum oxide, barium strontium titanate, lead titanate, and strontium bismuth tantalate

Applied Physics Letters

Volumn 74, Issue 8, 1999, Pages 1168-1170

  Robertson, J ^a   Chen, C W ^a  

^a UNIVERSITY OF CAMBRIDGE   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001561168     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.123476     Document Type: Article

References (34)

1. K. W. Kwon, C. S. Kang, S. O. Park, H. K. Kang, and S. T. Ahn, IEEE Trans. Electron Devices 43, 919 (1996).
2. G. B. Alers, R. M. Fleming, Y. H. Wong, B. Dennis, A. Pinczuk, G. Redinbo, R. Urdahl, E. Ong, and Z. Hasan, Appl. Phys. Lett. 72, 1308 (1998).
3. G. W. Dietz, W. Antpohler, M. Klee, and R. Waser, J. Appl. Phys. 78, 6113 (1995).
4. G. W. Dietz, M. Schumacher, R. Waser, S. K. Streiffer, C. Basceri, and A. I. Kingon, J. Appl. Phys. 82, 2359 (1997).
5. C. A. Paz de Araujo, J. D. Cuchiaro, L. D. McMillan, M. C. Scott, and J. F. Scott, Nature (London) 374, 627 (1995).
6. S. Ezhilvalavan and T. Y. Tseng, J. Appl. Phys. 83, 4797 (1998).
7. X. Di and I. W. Chen, Appl. Phys. Lett. 72, 1923 (1998).
8. E. H. Rhoderick and R. H. Williams, Metal Semiconductor Contacts (Oxford University, New York, 1988).
9. A. W. Cowley and S. M. Sze, J. Appl. Phys. 36, 3212 (1965).
10. W. Monch, Phys. Rev. Lett. 58, 1260 (1986);
11. Surf. Sci. 299, 928 (1994).
12. J. Tersoff, Phys. Rev. Lett. 52, 465 (1984);
13. 56, 2755 (1986).
14. S. Kurtin, T. C. McGill, and C. A. Mead, Phys. Rev. Lett. 30, 1433 (1969).
15. M. Schluter, Phys. Rev. B 17, 5044 (1978);
16. Thin Solid Films 93, 3 (1982).
17. W. Monch, Appl. Surf. Sci. 92, 367 (1996).
18. J. Tersoff, Phys. Rev. B 30, 4874 (1984).
19. M. Cardona and N. E. Christensen, Phys. Rev. B 35, 6182 (1987).
20. W. Monch, J. Appl. Phys. 80, 5076 (1996).
21. E. T. Yu, J. O. McCaldin, and T. C. McGill, Solid State Phys. 46, 1 (1992).
22. J. Robertson, W. L. Warren, B. A. Tuttle, D. Dimos, and D. M. Smyth, Appl. Phys. Lett. 63, 1519 (1993).
23. J. Robertson, C. W. Chen, W. L. Warren, and C. D. Gutleben, Appl. Phys. Lett. 69, 1704 (1996).
24. J. Robertson, C. W. Chen, and W. L. Warren, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 493, 249 (1998).
25. R. D. King-Smith and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 49, 5828 (1994).
26. J. F. Scott, Ferroelectr. Rev. 1, 1 (1998).
27. A. J. Hartmann, R. M. Lamb, J. F. Scott, P. N. Johnston, M. ElBouanani, C. W. Chen, and J. Robertson, J. Korean Phys. Soc. 32, S1329 (1998).
28. R. C. Neville and C. A. Mead, J. Appl. Phys. 43, 4657 (1972).
29. H. Hasegawa and T. Nishino, J. Appl. Phys. 69, 1501 (1991).
30. K. Abe and S. Komatsu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 31, 2985 (1992).
31. T. Shimizu, N. Gotoh, N. Shinozaki, and H. Okushi, Appl. Surf. Sci. 117, 400 (1997).
32. M. Copel, P. R. Duncombe, D. A. Neumayer, T. M. Shaw, and R. M. Tromp, Appl. Phys. Lett. 70, 3227 (1997).
33. S. K. Dey, J. J. Lee, and P. Alluri, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 34, 3134 (1995).
34. C. D. Gutleben, Appl. Phys. Lett. 71, 3444 (1997).