Polycrystalline Si films prepared by Al- and Ni- induced crystallisation

Journal of Optoelectronics and Advanced Materials

Volumn 7, Issue 1, 2005, Pages 99-106

  Dimova Malinovska, D ^a  

^a CTRL LAB SOLAR ENER NEW ENER S   (Bulgaria)

Author keywords

Metal Induced Crystallization; Polycrystalline Si films; Raman spectroscopy

Indexed keywords

AMORPHOUS FILMS; ANNEALING; CRYSTALLIZATION; GRAIN GROWTH; MAGNETRON SPUTTERING; POLYCRYSTALLINE MATERIALS; RAMAN SPECTROSCOPY; RUTHERFORD BACKSCATTERING SPECTROSCOPY; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

CRYSTALLINITY; METAL INDUCED CRYSTALLIZATION (MIC); POLYCRYSTALLINE SI FILMS; SOLID PHASE CRYSTALLIZATION (SPC);

THIN FILMS;

EID: 15344338999     PISSN: 14544164     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Conference Paper

References (26)

1. M. S. Haque, H. A. Naseem, W. D. Brown, J., Appl. Phys. 79, 7529 (1996).
2. O. Nast, T. Puzzer, L. M. Koshier, A. B. Sproul, S. R. Wenham, Appl. Phys. Lett. 73, 3214 (1998).
3. C. Spinella, S. Lombardo F., Priolo, J. Appl. Phys. 84, 5383 (1998).
4. J. S. Im, H. J. Kim, M. O. Thompson, Appl. Phys. Lett. 63, 1969 (1993).
5. O. Nast, S. R. Wenham, J. Appl. Phys. 88, 124 (2000).
6. R. Kishore, A. Shaik, H. A. Naseem, W. D. Brown, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 1037 (2003).
7. A. M. Myasnikov, M. C. Poon, P. C. Chan, K. L. Ng, M. S. Chan, W. Y. Chan, S. Singla, C. Y. Yuen, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. v.715, A22.11.1 (2002).
8. K. H. Kim, S. J. Park, A. Y. Kim, J. Jang, J. Non-Cryst. Solids 299-302, 83 (2002).
9. M. A. T. Izmajlowicz, A. J. Flewitt, W. I. Milne, and N. A. Morrison, J. Appl. Phys. 94, 175 (2003).
10. S. F. Gong, H. T. G. Hentzell, A. E. Robertson, J. Appl. Phys. 64, 1457 (1988).
11. L. Hultman, A. Robertson, H. T. G. Hentzell, I. Engstrom, P. A. Psaras, J. Appl. Phys. 62, 3647 (1987).
12. L. Pereira, H. Aguas, R. M. S. Martins, P. Vilarinho, E. Fortunato, R. Martins, Thin Solid Films (2004), in press.
13. R. S. Wagner, W. C. Ellis, Appl. Phys. Lett. 4, 89 (1964).
14. F. Edelman, C. Cytermann, R. Brener, M. Eizenberg, Yu. L. Khait, R. Wiel, W. Beyer, J Appl. Phys. 75, 7875 (1994).
15. S. Gall, M. Muske, I. Sieber, O. Nast, W. Fuhs, J. Non-Cryst. Solids 299-302, 741 (2002).
16. M. S. Ashitikar, G. L. Sharma, J. Appl. Phys. 78, 913 (1995).
17. D. Dimova-Malinovska, O. Angelov, M. Kamenova, M. Sendova-Vassileva, A. Vaseashta, J. Mat. Sci: Materials in Electronics 14, 747 (2003).
18. D. Dimova-Malinovska, O. Angelov, M. Sendova-Vassileva, M. Kamenova, J.-C. Pivin, Thin Solid Films 451-452, 303 (2004).
19. L. Houben, M. Luysberg, P. Hapke, R. Carius, F. Finger, H. Wagner, Phil. Mag. A77, 1447 (1998).
20. N. H. Nickel, P. Lengsfeld, I. Sieber, Phys. Rev. B 61, 15558 (2000)
21. F. M. Fauchet, I. H. Campbell, Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 14, S79 (1988).
22. Z. Igbal, S. Vaprek, J. Phys. C 15, 377 (1982).
23. S. Boultadakis, S. Logothetidis, S. Ves, J. Kircher, J. Appl. Phys. 93, 914 (1993).
24. G. Radnoczi, A. Robertsson, H. T. G. Hentzell, S. F. Gong, M.-A. Hasan, J. Appl. Phys. 69, 6394 (1991).
25. I. Sieber, R. Schneider, I. Doerfel, P. Schubert-Bischoff, S. Gall, W. Fuhs, Thin Solid Films 427, 298 (2003).
26. P. I. Widenborg, A. G. Aberle, PVSEC-14, 281 (2004).