Toward the fabrication of site-controlled III-v compound semiconductor quantum dots by droplet epitaxy

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 45, Issue SUPPL., 2004, Pages

  Koguchi, Nobuyuki ^a  

^a NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE   (Japan)

Author keywords

Droplet epitaxy; GaAs AlGaAs quantum dot

Indexed keywords

EID: 12744259330     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Conference Paper

References (29)

1. W. J. Schaffer, M. D. Lind, S. P. Kowalczyk and R. W. Grant, J. Vac. Sci. & Technol. B 1, 688 (1983).
2. B. F. Lewis, F. J. Grunthaner, A. Madhukar, R. Fernandez and J. Maserjian, J. Vac. Sci. & Technol. B 2, 419 (1984).
3. R. A. A. Kubiak, E. H. C. Parker and S. Newstead, Appl. Phys. A 35, 61 (1984).
4. L. Goldstein, F. Glas, J. Y. Marzin, M. N. Charasse and G. Le Roux, Appl. Phys. Lett. 47, 1099 (1985).
5. D. Leonard, M. Krishnamurthy, C. M. Reaves, S. P. Denbaas and P. M. Petroff, Appl. Phys. Lett. 63, 3203 (1993).
6. N. Koguchi, S. Takahashi and T. Chikyow, Proceed. 6th Int. Conf. MBE, La Jolla, 1990, J. Crystal Growth 111, 688 (1991).
7. I. Amlani, A. O. Orlov, R. K. Kummamuru, G. H. Bernstein, C. S. Lent and G. L. Snider, Appl. Phys. Lett. 77, 738 (2000).
8. G. Toth and C. S. Lent, Phys. Rev. A, 63, 052315 (2001).
9. J. Osaka, N. Inoue, Y. Mada, K. Yamada and K. Wada: J. Crystal Growth 99, 120 (1990).
10. T. Isu, M. Hata and A. Watanabe: J. Crystal Growth 111, 210 (1991).
11. T. Chikyow and N. Koguchi, Jpn. J. Appl. Phys. 29, L2093 (1990).
12. N. Koguchi and K. Ishige, Jpn. J. Appl. Phys. 32, 2052 (1993).
13. N. Koguchi, K. Ishige and S. Takahashi, J. Vac. Sci. & Technol. B 11, 787 (1993).
14. T. Chikyow and N. Koguchi, Appl. Phys. Lett. 61, 2431 (1992).
15. K. Watanabe and N. Koguchi, J. Surf. Anal. 4, 316 (1998).
16. K. Watanabe, N. Koguchi and Y. Gotoh: Jpn. J. Appl. Phys. 39, L79 (2000).
17. K. Watanabe, S. Tsukamoto, Y. Gotoh and N. Koguchi, J. Crystal Growth, 227, 1073 (2001).
18. K. Watanabe, K. Ishige, C. D. Lee, J. Y. Leem, H. J. Lee, S. K. Noh and N. Koguchi, J. Korean Phys. Soc. 38, 25 (2001).
19. Y. Horikoshi, M. Kawashima and H.Y amaguchi, Jpn. J. Appl. Phys. 27, 169 (1988).
20. S. Sanguinetti, K. Watanabe, T. Tateno, M. Gurioli, P. Werner, M. Wakaki and N. Koguchi, J. Crystal Growth, 253, 71 (2003).
21. T. Mano, M. Oshima, K. Watanabe and N. Koguchi, Ext. Abstr. 3rd Int. Symp. on Advanced Physical Fields (1998) p. 23.
22. T. Mano, K. Watanabe, S. Tsukamoto, H. Fujioka, M. Oshima and N. Koguchi, Jpn, J. Appl. Phys. 38, L1009 (1999).
23. T. Mano, K. Watanabe, S. Tsukamoto, Y. Imanaka, T. Takamasu, H. Fujioka, G. Kido, M. Oshima and N. Koguchi, Jpn. J.Appl. Phys. 39, 4580 (2000).
24. T. Mano, K. Watanabe, S. Tsukamoto, N. Koguchi, H. Fujioka, M. Oshima, C.-D. Lee, J. Y. Leem, H. J. Lee, S. K. Noh, Appl. Phys. Lett. 76, 3543 (2000).
25. T. Mano, K. Watanabe, S. Tsukamoto, Y. Imanaka, T. Takamasu, H. Fujioka, G. Kido, M. Oshima and N. Koguchi, Physica E 7, 448 (2000).
26. T. Mano, K. Watanabe, S. Tsukamoto, Y. Imanaka, T. Takamasu, H. Fujioka, G. Kido, M. Oshima and N. Koguchi, J. Surf. Sci, Soc. Jpn. (in Japanese), 21, 47 (2000).
27. N. Liu, H. K. Lyeo, C. K. Shih, M. Oshima, T. Mano and N. Koguchi, Appl. Phys. Lett. 80 (200)
28. J. S. Kim, M. Kawabe and N. Koguchi, J. Crystal Growth 262, 265 (2004).
29. J. S. Kim, M. Kawabe and N. Koguchi, Jpn. J. Appl. Phys. 43, L103 (2004).