Study on the seeded growth of AlN bulk crystals by sublimation

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 43, Issue 11 A, 2004, Pages 7448-7453

  Balakrishnan, Krishnan ^a   Iwaya, Motoaki ^a   Kamiyama, Satoshi ^a   Amano, Hiroshi ^a   Akasaki, Isamu ^a   Takagi, Takashi ^b   Noro, Tadashi ^b  

^a MEIJO UNIVERSITY   (Japan)

^b IBIDEN CO LTD   (Japan)

Author keywords

AlN bulk crystal; Coalescence; Screw dislocation; SiC substrate; Sublimation

Indexed keywords

COALESCENCE; CRUCIBLES; CRYSTAL GROWTH; PARAMETER ESTIMATION; SINGLE CRYSTALS; SUBLIMATION;

ALN BULK CRYSTAL; HEXAGONAL ISLANDS; SCREW DISLOCATION; SIC SUBSTRATE;

ALUMINUM NITRIDE;

EID: 11244354341     PISSN: 00214922     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.43.7448     Document Type: Article

References (35)

1. I. Akasaki and H. Amano: Semiconductors and Semimetals, eds. J. I. Pankove and T. D. Moustakas (Academic Press, UK, 1998).
2. H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki and Y. Toyoda: Appl. Phys. Lett. 48 (1986) 353.
3. H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu and I. Akasaki: Jpn. J. Appl. Phys. 28 (1989) L2112.
4. I. Akasaki and H. Amano: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 5393.
5. S. Nakamura, T. Mukai and M. Senoh: Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) L1708.
6. S. Nakamura, T. Mukai and M. Senoh: Appl. Phys. Lett. 64 (1994) 1687.
7. A. Usui, H. Sunakawa, A. Sakai and A. A. Yamaguchi: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L899.
8. Y. Kato, S. Kitamura, K. Hiramatsu and N. Sawaki: J. Cryst. Growth 144 (1994) 133.
9. D. Kapolnek, S. Keller, R. Vetury, R. D. Underwood, P. Kozodoy, S. P. DenBaars and U. K. Mishra: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 1204.
10. T. Detchprohm, M. Yano, S. Sano, R. Nakamura, S. Mochiduki, T. Nakamura, H. Amano and I. Akasaki: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) L16.
11. R. F. Davis, T. Gehrke, K. J. Linthicum, P. Rajagopal, A. M. Roskowski, T. Zheleva, E. A. Preble, C. A. Zorman, M. Mehregany, U. Schwarz, J. Schuck and R. Grober: MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 6 (2001) 14.
12. G. A. Slack and T. F. McNelly: J. Cryst. Growth 34 (1976) 263.
13. J. Karpinski and S. Porowski: J. Cryst. Growth 66 (1984) 11.
14. D. Hamilton: J. Electrochem. Soc. 105 (1958) 735.
15. G. A. Slack and T. F. McNelly: J. Cryst. Growth 42 (1977) 560.
16. L. J. Schowalter, Y. Shusterman, R. Wang, I. Bhat, G. Arunmozhi and G. A. Slack: Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 985.
17. G. A. Slack, L. J. Schowalter, D. Morelli, J. A. Freitas, Jr.: J. Cryst. Growth 246 (2002) 287.
18. E. Silveria, J. A. Freitas, Jr., G. A. Slack and L. J. Schowalter: Phys. Status Solidi C 0 (2003) 2618.
19. C. M. Balkas, Z. Sitar, T. Zheleva, L. Bergman, R. Nemanich and R. F. Davis: J. Cryst. Growth 179 (1997) 363.
20. B. Raghothamachar, M. Dudley, J. C. Rojo, K. Morgan and L. J. Schowalter: J. Cryst. Growth 250 (2003) 244.
21. S. Schlesser, R. Dalmau and Z. Sitar: J. Cryst. Growth 241 (2002) 416.
22. V. Noveski, R. Schlesser, S. Mahajan, S. Beaudoin and Z. Sitar: MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 9 (2004) 2.
23. V. Noveski, R. Schlesser, S. Mahajan, S. Beaudoin and Z. Sitar: J. Cryst. Growth 264 (2004) 369.
24. J. H. Edgar, L. Liu, B. Liu, D. Zhuang, J. Chaundhuri, M. Kuball and S. Rajasingam: J. Cryst. Growth 246 (2002) 187.
25. D. Zhuang, J. H. Edgar, L. Liu, B. Liu and L. Walker: MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 7 (2002) 4.
26. L. Liu, B. Liu, J. H. Edgar, S. Rajasingam and M. Kuball: J. Appl. Phys. 92 (2002) 5183.
27. Y. Shi, B. Liu, L. Liu, J. H. Edgar, E. A. Payzant, J. M. Hayes and M. Kuball: MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 6 (2001) 5.
28. L. Liu, B. Liu, Y. Shi and J. H. Edgar: MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 6 (2001) 7.
29. J. M. Hayes, M. Kuball, Y. Shi and J. H. Edgar: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) L710.
30. M. Tanaka, S. Nakahata, K. Sogabe, H. Nakata and M. Tobioka: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L1062.
31. W. L. Sarney, L. Salamanca-Riba, T. Hossain, P. Zhou, H. N. Jayatirtha, H. H. Kang, R. D. Vispute, M. Spencer and K. Jones: MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 5S1 (2000) W5.5.
32. S. Yu. Karpov, D. V. Zimina, Yu. N. Makarov, E. N. Mokhov, A. D. Roenkov, M. G. Ramm and Yu. A. Vodakov: Phys. Status Solidi A 176 (1999) 435.
33. B. M. Epelbaum, D. Hofmann, M. Bickermann and A. Winnacker: Mater. Sci. Forum 389-393 (2002) 1445.
34. A. S. Segal, S.Yu. Karpov, Yu. N. Makarov, E. N. Mokhov, A. D. Roenkov, M. G. Ramm, Yu. A. Vodakov: J. Cryst. Growth 211 (2000) 68.
35. S. Mahajan: Appl. Phys. Lett. 80 (2002) 4321.