Amorphouslike chemical vapor deposited tungsten diffusion barrier for copper metallization and effects of nitrogen addition

Journal of Applied Physics

Volumn 82, Issue 3, 1997, Pages 1469-1475

  Chang, Kow Ming ^a   Yeh, Ta Hsun ^a   Deng, I Chung ^a   Shin, Chieh Wen ^a  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000397771     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.365925     Document Type: Article

References (27)

1. C. W. Park and R. W. Vook, Appl. Phys. Lett. 59, 175 (1991).
2. J. Tao, N. W. Cheung, C. Hu, H. K. Kang, and S. S. Wang, IEEE Electron Device Lett. 13, 433 (1992).
3. S. Q. Wang, I. Raaijmakers, B. J. Burrow, S. Suthar, S. Redkar, and K.-B. Kim, J. Appl. Phys. 70, 5176 (1990).
4. J. D. McBrayer, R. M. Swanson, and T. W. Sigmon, J. Electrochem. Soc. 133, 1242 (1986).
5. S. Q. Hong, C. M. Comrie, S. W. Russell, and J. W. Mayer, J. Appl. Phys. 70, 3655 (1992).
6. S. H. Corn, J. L. Falconer, and A. W. Czanderna, J. Vac. Sci. Technol. A 6, 1012 (1988).
7. A. Cros, M. O. Aboelfotoh, and K. N. Tu, J. Appl. Phys. 67, 3328 (1990).
8. K. Holloway and P. M. Fryer, Appl. Phys. Lett. 57, 1736 (1990).
9. P. Catania, J. P. Doyle, and J. J. Cuomo, J. Vac. Sci. Technol. A 10, 3318 (1992).
10. J. O. Olowolafe, C. J. Mogab, R. B. Gregory, and M. Kottke, J. Appl. Phys. 72, 4099 (1992).
11. O. Adciello, S. Chevacharoenkul, M. S. Ameen, and J. Duarte, J. Vac. Sci. Technol. A 9, 625 (1991).
12. P. J. Pokela, C.-K. Kwok, E. Kolawa, S. Raud, and M.-A. Nicolet, Appl. Surf. Sci. 53, 364 (1991).
13. S. Q. Wang, S. Suthar, C. Hoeflich, and B. J. Burrow, J. Appl. Phys. 73, 2301 (1993).
14. M. M. Farahani, T. E. Turner, and J. J. Barnes, J. Electrochem. Soc. 136, 1484 (1989).
15. H. P. Kattelus, E. Kolawa, K. Affolter, and M.-A. Nicolet, J. Vac. Sci. Technol. A 3, 2246 (1985).
16. H. S. Chen, L. C. Kimerling, J. M. Poate, and W. L. Brown, Appl. Phys. Lett. 32, 461 (1978).
17. H. Ono, T. Nakano, and T. Ohta, Appl. Phys. Lett. 64, 1511 (1994).
18. R. C. Weast, M. J. Astle, and W. H. Beyer, CRC Handbook of Chemistry and Physics, 64th ed. (CRC, Boca Raton, Florida, 1983), p. F-47.
19. J. E. J. Schmitz, Chemical Vapor Deposition of Tungsten and Tungsten Suicides for VLSI/ULSI Applications (Noyes, Park Ridge, NJ, 1991), Chap. II.
20. M.-A. Nicolet and M. Bartur, J. Vac. Sci. Technol. 19, 786 (1981).
21. C. W. Lee, Y. T. Kim, C. Lee, J. Y. Lee, Suk-ki Min, and Y. W. Park, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 69 (1994).
22. T. Nakajima, K. Watanabe, and N. Watanabe, J. Electrochem. Soc. 134, 3175 (1987).
23. L. Stolt and F. M. d'Heurle, Thin Solid Films 189, 269 (1990).
24. J. K. Solberg, Acta Crystallogr. Sec. A 34, 684 (1978).
25. M. Ronay and R. G. Schad, Phys. Rev. Lett. 64, 2042 (1990).
26. L. Stolt and F. M. d'Heurle, Thin Solid Films 189, 269 (1990).
27. J. J. Chu, L. J. Chen, and K. N. Tu, J. Appl. Phys. 62, 461 (1987).